一种长余辉材料、其应用及利用其调节太阳光的方法
【专利摘要】本发明提供了一种长余辉材料、其应用及利用其调节太阳光的方法。本发明所提供的长余辉材料，其被太阳光中波长为200nm～600nm的高能光激发后，部分高能光子被长余辉材料内的陷阱捕获；陷阱内被束缚的电子在太阳光中波长为1μm～5μm的红外光的激励下被释放，进入导带后，被发光中心捕获而产生可见光，从而实现对太阳光中红外光的吸收利用。本发明中的长余辉材料，可以把太阳能电池响应低的高能光，通过红外光，转换为响应较高的可见光。因此将其应用于太阳能电池中，使太阳能电池能够有效利用太阳光中的红外光，提高太阳能电池的光电转换效率。本发明中的长余辉材料除了可以应用于太阳能电池外，还可以应用于车膜、车窗玻璃、门窗玻璃等等中。
【专利说明】
一种长余辉材料、其应用及利用其调节太阳光的方法
技术领域
[0001]本发明涉及一种长余辉材料，具体地说是一种长余辉材料、其应用及利用其调节太阳光的方法。
【背景技术】
[0002]太阳光是一种取之不尽，用之不竭的能源。随着化学能源带来的污染日益显现，寻找替代的能源已经刻不容缓。太阳能电池能把太阳的光能转换为电能，是一个理想的获取太阳能的装置。但太阳能电池不能把所有光能转换为电能。代表性的硅基太阳能电池只能把400-1000nm的光转换为电能。太阳光波长超过I 10nm的红外和远红外波段约占其总能量的40%，这一波段的光无法被常规太阳能电池组件吸收利用转化为电能，而是转化为热能，使组件温度升高，降低组件发电效率。因此，如果能够有效利用太阳光中的红外光，将会大大提高电池效率。通过计算可知，如果充分利用红外光可以使硅电池效率提高25%。但至今为止，还没有一个有效的转换近红外光进入可见光的方法。虽然有研究者提出采用上转换材料把红外光转换为可见光来提高电池效率(CN200910078549.1—一种上转换太阳能电池，CN201210352413.7—一种硅基薄膜太阳能电池用上转换铝硅酸盐玻璃)，但目前近红外光到可见光的上转换只有在激光下能够实现，激发功率至少要在lW/cm2。太阳光全光谱的照度是100W/m2 = 0.01W/cm2。如果换算为单波长的照度，将小于lmW/cm2，太阳光需要聚焦1000倍才能实现上转换。因此太阳光的激发密度小，不足以产生上转换发射，目前还没有在太阳光激发下实现红外光到可见光发射并用于太阳能电池的报道。
【发明内容】
[0003]本发明的目的之一就是提供一种长余辉材料，该长余辉材料可在太阳光的照射下实现太阳光中红外光到可见光的转换，从而实现对太阳光的调节作用。
[0004]本发明的目的之二就是提供一种上述长余辉材料的应用，该长余辉材料可用于太阳能电池、车膜、窗户玻璃等。
[0005]本发明的目的之三就是提供一种利用上述长余辉材料调节太阳光的方法。
[0006]本发明的目的之一是这样实现的:一种长余辉材料，该长余辉材料被太阳光中波长为200nm?600nm的高能光激发后，部分高能光子被长余辉材料的陷阱捕获；陷阱内束缚的电子在太阳光中波长为Iym?5μπι的红外光的激励下被释放，产生可见光，实现对太阳光中红外光的吸收利用。
[0007]优选的，上述长余辉材料，其陷阱内束缚的电子在太阳光中波长为Ιμπι?1.5μπι的红外光的激励下被释放，产生可见光。
[0008]所述长余辉材料为硫化物基质的长余辉材料，其化学通式为:M(1-a-b-c)S:aRE2+，bN—，cLn3+;其中，M 为 Ma、Ca、Sr 和 Ba 中的至少一种，RE 为 Yb 或 Eu，N为 F、Cl 或Br，Ln为 Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tn、Dy、Ho、Er、Tm、Yo 和 Lu中的至少一种；0.00Ka<0.1，0<b<0.05，0<c<0.05ο
[0009]所述长余辉材料为硫氧化物基质的长余辉材料，其化学通式为:M(2tb-c)02S:aEu3+ 4514+，。#+;其中，]\1为￥和1^中的至少一种小为1%、03、51、83和211中的至少一种;0.001彡&彡0.1，0彡b彡0.05，0彡 C彡0.05。
[0010]所述长余辉材料为铝酸盐基质的长余辉材料，其化学通式为:M(1—a—b)Alx0y:aRE2+，bLn3+;其中，M 为 Ma、Ca、Sr 和Ba 中的至少一种，RE为 Yb或Eu，Ln为 Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tn、Dy、Ho、Er、Tm、Yo和Lu中的至少一种；0.001彡a彡0.1，0彡b彡0.050为2、4或12，当叉=2时，7=4;当x = 4时，y = 7 ；当X = 12时，y = 19。
[0011 ]所述长余辉材料为铝酸盐基质的长余辉材料，其化学通式为:M(Atb)Al14O25: aRE2+，bLn3+;其中，M 为 Ma、Ca、Sr 和 Ba 中的至少一种，RE 为 Yb 或 Eu，Ln为 Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tn、Dy、Ho、Er、Tm、Yo 和 Lu中的至少一种；0.001 彡a彡0.1，0<b<0.05。
[0012]所述长余辉材料为娃酸盐基质的长余辉材料，其化学通式为:aM0-bN0-cSi02_dR:xEu2+，yLn3+;其中，M为Ca、Sr、Ba和Zn中的至少一种，N为Mg、Cd或Be，R为B2O3和P2O5中的至少一种，Ln为Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Τη、Dy、Ho、Er、Tm、Yo和 Lu 中的至少一种；0.6<a^i6，(Xb^5a^c^9,0^d^0.7,0.00001^x^0.2,0^y^0.3o
[0013]本发明的目的之二是这样实现的:一种上述长余辉材料的应用，上述长余辉材料应用于太阳能电池、车膜或玻璃等。
[0014]本发明的目的之三是这样实现的:一种利用长余辉材料调节太阳光的方法，包括如下步骤:
[0015]a、由太阳光中波长为200nm?600nm的高能光作为激发源激发上述长余辉材料；
[0016]b、长余辉材料被高能光激发后，其中一部分高能光子激发长余辉材料的发光中心使其产生可见光，另一部分高能光子被长余辉材料内的陷阱捕获；
[0017 ] c、由太阳光中波长为I μπι?5μηι的红外光作为激励源照射长余辉材料；
[0018]d、存储在长余辉材料陷讲内被束缚的电子在波长为Iym?5μηι的红外光的激励下被释放；
[0019]e、被释放的电子被长余辉材料的发光中心俘获，进而产生可见光，从而实现将太阳光中红外光转换为可见光的目的，实现对太阳光的调节作用。
[0020]优选的，步骤c中由太阳光中波长为Ιμπι?1.5μπι的红外光作为激励源照射长余辉材料。
[0021]本发明所提供的长余辉材料(长余辉材料为长余辉发光材料的简称)，其被太阳光中波长为200nm?600nm的高能光激发后，高能光一部分激发长余辉材料的发光中心，产生可见光(例如产生红光、绿光等)，另外一部分高能光光子(简称高能光子)被长余辉材料的陷阱中的电子捕获(或称俘获)，形成各种深度的陷阱能级。这些陷阱内的电子在相应光能或热能的激发下，可以被释放出来进入导带，再由长余辉材料的发光中心捕获进而产生可见光。由于太阳光是一个宽带光谱，光谱范围可以从紫外光到红外光，由高能光光子产生的各种深度陷阱能级，部分被红外光或近红外光激发产生可见光。这相当于把高能光和红外光(波长为Iym?5μπι)转换为太阳能电池响应较高的可见光(尤其是红光和绿光)，从而实现利用红外光的目的。
[0022]本发明所提供的长余辉材料，与目前常用的长余辉材料相比存在明显差异，分别如下:
[0023]1、普通长余辉材料，是利用其浅陷阱，它可在常温下被激励。常温下对应的温度为300K，300K的温度对应的波数为210cm—S对应的波长为47μπι，即陷阱较浅时在常温的热激发下可以实现光激励。而本发明中的长余辉材料，其内的陷阱相对较深，陷阱内束缚的电子，在常温下是不能被释放的，需要在波长为Iym?5μηι的红外光的激励下才能释放。
[0024]2、市场上的IP材料，如BaFBr:Eu2+，其发射光在380nm_420nm范围内，是太阳能电池响应较低的部分，而且需要高能激发如X射线，其激励用的是红光，能量较高。本发明所提供的长余辉材料，其发射光可以为绿光-红光，可以用太阳光里面的蓝紫光激发，激励用Iym?5μηι能量较低的光激励。
[0025]本发明中的长余辉材料，可以把太阳能电池响应低的高能光，通过红外光，转换为可见光。因此将其应用于太阳能电池中，使太阳能电池能够有效利用太阳光中的红外光，提高太阳能电池的光电转换效率。
[0026]本发明中的长余辉材料，除了可以应用于太阳能电池外，还可以应用于车膜、车窗玻璃、门窗玻璃等等中。将其应用于车膜或玻璃中时，由于太阳光中波长为200nm-400nm的紫外光的穿透能力较弱，而当这些波段的紫外光通过激发长余辉材料转换为可见光后，就会穿透车膜或玻璃，进而增加车膜或玻璃的透光率。太阳光中波长为Iym?5μπι的红外光经长余辉材料转换为可见光后，可以降低温度。
【附图说明】
[0027]图1是本发明实施例1所制备的长余辉发光材料SrQ.98S:2%Yb2+的激发光谱和发射光谱的示意图。
[0028]图2中图2(a)是本发明实施例2所制备的长余辉发光材料Sr0.995S:0.5% Yb2+在254nm波长光的激发下的发光照片，图2(b)是长余辉发光材料Sr0.995S: 0.5 %Yb2+在1064nm激光器激励下的发光照片。
[0029]图3是本发明实施例3所制备的长余辉发光材料Sr0.995S:0.5%Eu2+的激发光谱和发射光谱的示意图。
[0030]图4中图4(a)是本发明实施例3所制备的长余辉发光材料Sr0.995S:0.5 %Eu2+在475nm波长光的激发下的发光照片，图4(b)是长余辉发光材料Sr0.995S: 0.5 %Eu2+在1064nm激光器激励下的发光照片。
[0031]图5是本发明实施例4所制备的长余辉发光材料0&0.973:2%￥132+，1%(:1—的激发光谱和发射光谱的示意图。
[0032]图6中图6(&)是本发明实施例4所制备的长余辉发光材料0&0.973:2%￥132+，1%(:1—在25411111波长光的激发下的发光照片，图6(13)是长余辉发光材料0&().973:2%￥132+，1%(:1一在1064nm激光器激励下的发光照片。
[0033]图7中图7(&)是本发明实施例4所制备的长余辉发光材料0&0.973:2%￥132+，1%(:1—在25411111波长光的激发下的发光照片，图7(13)是长余辉发光材料0&().973:2%￥132+，1%(:1一在
1.5μηι激光器激励下的发光照片。
[0034]图8是本发明实施例5所制备的长余辉发光材料5孤9^1204:1^^112+，1%073+的激发光谱和发射光谱的示意图。
[0035]图9中图9(a)是本发明实施例5所制备的长余辉发光材料Sr0.98Al204:l%Eu2+，l%073+在37011111波长光的激发下的发光照片，图9(13)是长余辉发光材料5竹.!^1204:1 ^^112+，I %Dy3+在1064nm激光器激励下的发光照片。
[0036]图10是本发明实施例6所制备的长余辉发光材料SruS14:1%Yb2+的激发光谱和发射光谱的示意图。
[0037]图11中图11(a)是本发明实施例6所制备的长余辉发光材料Sru9S14:1 %Yb2+在365nm波长光的激发下的发光照片，图11 (b)是长余辉发光材料Sn.99Si04:1 % Yb2+在1064nm激光器激励下的发光照片。
【具体实施方式】
[0038]实施例1，硫化物基质长余辉发光材料Sr0.98S:2%Yb2+。
[0039 ]按照下面步骤制备长余辉发光材料Sr0.98S: 2 % Yb2+。
[0040](I)将纯度不小于99.99%的3^04和￥13203按照式5^).983:2%￥132+中30听13的化学计量比准确称量，并加入过量的硫磺，以保证硫源充足。
[0041](2)将称好的原料放入球磨罐内，加入适量无水乙醇在球磨机上以230rpm的转速进行充分研磨混合5h，将混合物放在热空气消毒箱内，在600C下干燥3h。
[0042](3)将干燥的混合物装入氧化铝坩祸，在90%N2+10%H2还原气氛下以1300°C恒温煅烧3h后自然降温至室温，粉碎研磨后得硫化物基质长余辉发光材料Sr0.9sS:2% Yb2+。
[0043]对所制备的硫化物基质长余辉发光材料SrQ.98S:2%Yb2+进行激发光谱和发射光谱的测试，所得结果见图1。图1中左侧曲线为激发光谱，右侧曲线为发射光谱；由图1左侧曲线可看出，硫化物基质长余辉发光材料Sr0.98S:2%Yb2+可以被波长为270nm和465nm的光激发；图1右侧曲线是样品在465nm波长光的激发下的发射谱，可见样品发出605nm的橙光。
[0044]实施例2，硫化物基质长余辉发光材料Sr0.995S:0.5% Yb2+。
[0045 ] 按照下面步骤制备长余辉发光材料Sr ο.995 S: 0.5 % Yb2+。
[0046](I)将纯度不小于99.99 % 的 SrSO4和Yb2O3按照式Sr0.995S: 0.5 % Yb2+中 Sr和Yb的化学计量比准确称量，并加入过量的硫磺，以保证硫源充足。
[0047](2)将称好的原料放入球磨罐内，加入适量无水乙醇在球磨机上以230rpm的转速进行充分研磨混合5h，将混合物放在热空气消毒箱内，在600C下干燥3h。
[0048](3)将干燥的混合物装入氧化铝坩祸，在90%N2+10%H2还原气氛下以1300°C恒温煅烧3h后自然降温至室温，粉碎研磨后得硫化物基质长余辉发光材料Sr0.995S:0.5% Yb2+。
[0049]采用汞灯(254nm波长)作为激发源照射所制备的硫化物基质长余辉发光材料Sr0.995S: 0.5% Yb2+，长余辉发光材料Sr0.995S: 0.5 % Yb2+发橙光，所得发射谱与图1中的发射光谱相似，所得发光照片如图2(a)所示。待撤去汞灯，且长余辉发光材料SrQ.995S:0.5%Yb2+所发余辉消失后，再用1064nm激光器作为激励源照射长余辉发光材料SrQ.995S:0.5%Yb2+，长余辉发光材料SrQ.995S:0.5%Yb2+再次发橙光，所得照片如图2(b)所示，这也证明了本实施例所制备的样品在1064nm激光器激发下是陷阱发光。
[0050]实施例3，硫化物基质长余辉发光材料Sr0.995S:0.5% Eu2+。
[OO51 ] 按照下面步骤制备长余辉发光材料Sr 0.995 S: 0.5 % Eu2+。
[0052](I)将纯度不小于99.99 %的SrSO4和Eu2O3按照式SmS: 0.5 %Eu2+中Sr和Eu的化学计量比准确称量，并加入过量的硫磺，以保证硫源充足。
[0053](2)将称好的原料放入球磨罐内，加入适量无水乙醇在球磨机上以230rpm的转速进行充分研磨混合5h，将混合物放在热空气消毒箱内，在600C下干燥3h。
[0054](3)将干燥的混合物装入氧化铝坩祸，在90%N2+10%H2还原气氛下以1300°C恒温煅烧3h后自然降温至室温，粉碎研磨后得硫化物基质长余辉发光材料Sr0.995S:0.5% Eu2+。
[0055]对所制备的硫化物基质长余辉发光材料Sr0.995S:0.5 %Eu2+进行激发光谱和发射光谱的测试，所得结果见图3。图3中左侧曲线为激发光谱，右侧曲线为发射光谱；由图3左侧曲线可看出，硫化物基质长余辉发光材料31'().9953:0.55/^112+可以被波长为290111]1和475111]1波长的光激发；图3右侧曲线是样品在475nm波长光激发下的发射谱，可见样品发出625nm的橙红光。本实施例所制备的样品在475nm波长光激发下的发光照片如图4(a)所示。撤去475nm光源的照射，且待样品所发余辉消失后，再用1064nm激光器作为激励源照射样品，样品再次发橙红光，发光照片如图4(b)所示。同样证明了本实施例所制备的样品在1064nm激光器激发下是陷阱发光。
[0056]实施例4，硫化物基质长余辉发光材料Ca0.97S: 2% Yb2+，I % Cl—。
[0057]按照下面步骤制备长余辉发光材料Ca0.97S:2%Yb2+，l%Cr。
[0058](I)将纯度不小于 99.99 % 的 CaSOhYb2O3 和 NH4Cl 按照式 CatL97S: 2 % Yb2+，I %C1—中Ca、Yb和Cl的化学计量比准确称量，并加入过量的硫磺，以保证硫源充足。
[0059](2)将称好的原料放入球磨罐内，加入适量无水乙醇在球磨机上以230rpm的转速进行充分研磨混合5h，将混合物放在热空气消毒箱内，在600C下干燥3h。
[0060](3)将干燥的混合物装入氧化铝坩祸，在90%N2+10%H2还原气氛下以1300°C恒温煅烧3h后自然降温至室温，粉碎研磨后得硫化物基质长余辉发光材料Ca0.97S:2% Yb2+，I %Cl—。
[0061 ]对所制备的长余辉发光材料0&0.973:2%￥132+，1%(:1—进行激发光谱和发射光谱的测试，所得结果见图5。由图5可看出，该材料的发射峰位于650nm左右，对应红光。
[0062]使所制备的长余辉发光材料Ca0.97S: 2 % Yb2+，I % Cl—在254nm汞灯照射下发光，得到发光照片如图6(a)所示，待撤去汞灯，且样品余辉消失后，再用1064nm激光器照射样品，得到的发光照片如图6(b)所示。
[0063]再次使所制备的长余辉发光材料0&0.973:2%￥132+，1%(:1—在254腹汞灯照射下发光，得到发光照片如图7(a)所示，待撤去汞灯，且样品余辉消失后，再用1.5μπι激光器照射样品，得到的发光照片如图7(b)所示。
[0064]由图6和图7可以看出，长余辉发光材料0&0.973:2%￥132+，1%(:1—能够被紫外光激发产生红光，在撤去紫外光且余辉消失后，该样品还可被红外光激励并产生红光，即:本发明所提供的长余辉材料可以将红外光转换成红色的可见光。
[0065]实施例5，铝酸盐基质的长余辉材料Sr0.98Al204:l%Eu2+，l%Dy3+。
[0066]按照下面步骤制备长余辉发光材料SmAhCk: l%Eu2+，l%Dy3+。
[0067](I)将纯度不小于 99.99%的SrC03、Al203、Eu203和Dy203按照式Sr().98Al204:l%Eu2+，1%073+中3广4^11和07的化学计量比准确称量。
[0068](2)将称好的原料放入球磨罐内，加入适量无水乙醇在球磨机上以230rpm的转速进行充分研磨混合5h，将混合物放在热空气消毒箱内，在600C下干燥3h。
[0069](3)将干燥的混合物装入氧化铝坩祸，在90%N2+10%H2还原气氛下以1300°C恒温煅烧3h后自然降温至室温，粉碎研磨后得铝酸盐基质长余辉发光材料Sr0.S8Al2O4:1 %Eu2+，I % Dy3+ο
[0070]对所制备的长余辉发光材料3^).9^1204:1^^112+，1%073+进行激发光谱和发射光谱的测试，所得结果见图8。图8中右侧的发射光谱是在370nm光的激发下产生的，所发射的光为绿光，所发射光的照片如图9(a)所示。撤去370nm的光源，且待样品余辉消失后，用1064nm激光器激发样品，得到样品所发绿光的照片如图9(b)所示。
[0071]实施例6，硅酸盐基质长余辉材料Sn.99Si04: l%Yb2+。
[0072]按照下面步骤制备长余辉发光材料Sr1.99Si04:l%Yb2+。
[0073](I)将纯度不小于 99.99%的51(:03、3102和￥匕203按照式311.993104:1%￥132+中51、51和Yb的化学计量比准确称量。
[0074](2)将称好的原料放入球磨罐内，加入适量无水乙醇在球磨机上以230rpm的转速进行充分研磨混合5h，将混合物放在热空气消毒箱内，在600C下干燥3h。
[0075](3)将干燥的混合物装入氧化铝坩祸，在90%N2+10%H2还原气氛下以1300°C恒温煅烧3h后自然降温至室温，粉碎研磨后得硅酸盐基质长余辉发光材料Sn.99Si04:1 % Yb2+。
[0076]对所制备的长余辉发光材料SrL99S1cl^Yb2+进行激发光谱和发射光谱的测试，所得结果见图10。图10中右侧的发射光谱是在365nm光的激发下产生的，所发射的光为黄光，所发射光的照片如图11(a)所示。撤去365nm的光源，且待样品余辉消失后，用1064nm激光器激发样品，得到样品所发黄光的照片如图11(b)所示。
【主权项】
1.一种长余辉材料，其特征是，该长余辉材料被太阳光中波长为200nm?600nm的高能光激发后，部分高能光子被长余辉材料内的陷阱捕获;陷阱内束缚的电子在太阳光中波长为Ιμπι?5μπι的红外光的激励下被释放，产生可见光，实现对太阳光中红外光的吸收利用。2.根据权利要求1所述的长余辉材料，其特征是，所述长余辉材料为硫化物基质的长余辉材料，其化学通式为:M(1—a—b—c) S: aRE2+，bN—，cLn3+;其中，M为Ma、Ca、Sr和Ba中的至少一种，RE为 Yb 或 Eu，N为 F、C1 或处，1^为￥、1^丄6、卩广制、5111、6(1、1'11、07、!10 41、1'111、￥0和1^中的至少一种；0.001彡a彡0.1，0彡b彡0.05，0彡 c彡0.05。3.根据权利要求1所述的长余辉材料，其特征是，所述长余辉材料为硫氧化物基质的长余辉材料，其化学通式为:M(2-a-b-c)02S: aEu3+，bSi4+，cN2+ ；其中，Μ*Υ和La中的至少一种，N为Mg、Ca、Sr、Ba 和 Zn中的至少一种;0.00Ka<0.1，0<b<0.05，0<c<0.05。4.根据权利要求1所述的长余辉材料，其特征是，所述长余辉材料为铝酸盐基质的长余辉材料，其化学通式为:M(1—a—b)AlxOy: aRE2+，bLn3+;其中，M为Ma、Ca、Sr和Ba中的至少一种，RE为Yb或Eu，Ln为Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tn、Dy、Ho、Er、Tm、Yo和Lu中的至少一种；0.001彡a彡0.1，CKbS0.05;X为2、4或12，当X = 2时，y = 4;当x = 4时，y = 7；当X = 12时，y = 19。5.根据权利要求1所述的长余辉材料，其特征是，所述长余辉材料为铝酸盐基质的长余辉材料，其化学通式为1(4-^)41^025: aRE2+，bLn3+ ；其中，M*Ma、Ca、Sr和Ba中的至少一种，RE为Yb或Eu，Ln为Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tn、Dy、Ho、Er、Tm、Yo和Lu中的至少一种；(h001彡a彡0.1，0彡b彡0.05。6.根据权利要求1所述的长余辉材料，其特征是，所述长余辉材料为硅酸盐基质的长余辉材料，其化学通式为:aM0-bN0-cSi02-dR: xEu2+，yLn3+;其中，M为Ca、Sr、Ba和Zn中的至少一种，N 为 Mg、Cd 或 Be，R 为 B2O3 和 P2O5 中的至少一种，Ln为Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tn、Dy、Ho、Er、Tm、Yo 和 Lu 中的至少一种;0.6<a<6，0<b<5，Kc<9，0<cK0.7，0.0000Kx<0.2，0<y^0.3o7.—种权利要求1所述的长余辉材料的应用，其特征是，所述长余辉材料应用于太阳能电池、车膜或玻璃。8.一种利用长余辉材料调节太阳光的方法，其特征是，包括如下步骤: a、由太阳光中波长为200nm?600nm的高能光作为激发源激发权利要求1所述的长余辉材料； b、长余辉材料被高能光激发后，其中一部分高能光子激发长余辉材料的发光中心使其产生可见光，另一部分高能光子被长余辉材料内的陷阱捕获； c、由太阳光中波长为Ιμπι?5μηι的红外光作为激励源照射长余辉材料； d、存储在长余辉材料陷讲内的电子在波长为Ιμπι?5μηι的红外光的激励下被释放； e、被释放的电子被长余辉材料的发光中心俘获，产生可见光，从而实现将太阳光中红外光转换为可见光的目的，实现对太阳光的调节作用。
【文档编号】C09K11/56GK105925261SQ201610307407
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2016年5月10日
【发明人】杨艳民, 张伟, 葛大勇, 魏军
【申请人】河北大学