液晶介质和包括其的液晶显示器的制造方法

文档序号:10679445
液晶介质和包括其的液晶显示器的制造方法
【专利摘要】本发明涉及液晶介质,优选具有向列相和0.5或更大的介电各向异性,其具有独特的介电性能,其中其具有?2或更大至小于8或更小范围内的垂直于指向矢的介电常数(ε⊥)和同时1.0或更大的垂直于指向矢的介电常数(ε⊥)与介电各向异性(△ε)之比,即(ε⊥/△ε)?或8或更大的垂直于指向矢的介电常数(ε⊥)和26或更小的介电各向异性(△ε),和优选包含一种或多种具有高的垂直于指向矢的介电常数(ε⊥)和高的平均介电常数(εav.)的化合物,涉及其在电光显示器,特别是在基于IPS或FFS效应的有源矩阵显示器中的用途,涉及含有这种类型液晶介质的这类显示器,和涉及式I的化合物用于改善包含一种或多种额外介晶化合物的液晶介质的透射率和/或响应时间的用途。
【专利说明】
液晶介质和包括其的液晶显示器
技术领域
[0001] 本发明涉及新型的液晶介质,特别是用于液晶显示器的液晶介质,和这些液晶显 示器,特别是使用介电正性液晶的利用IPS(平面内切换)或优选FFS(边缘场切换)效应的液 晶显示器。偶尔后一个也被称为SG-FFS(超控制FFS(#per grip FFS))效应。对于该效应, 使用介电正性液晶,其包含一种或多种同时具有高的平行于分子指向矢和垂直于分子指向 矢的介电常数的化合物,导致大的平均介电常数和高介电比,以及优选同时相对小的介电 各向异性。液晶介质任选额外地包含介电负性、介电中性化合物或这二者。在沿面(即平面) 初始配向中使用液晶介质。根据本发明的液晶介质具有正性介电各向异性并且包含同时具 有大的平行于和垂直于分子指向矢的介电常数的化合物。
[0002] 所述介质的特征在于在各自显示器中特别高的透射率和降低的响应时间,这通过 它们独特的物理性能组合,尤其是通过它们的介电性能和特别是通过它们高的(ε?/^v.)比 或高的它们的介电比(eV Α ε)的值带来。这也导致它们在根据本发明的显示器中的优异表 现。
【背景技术】
[0003] 使用介电正性液晶的IPS和FFS显示器是本领域熟知的并且已经广泛被采用用于 多种类型的显示器,例如桌面显示器和电视机,而且用于移动应用。
[0004] 然而,目前广泛采用使用介电负性液晶的IPS和特别是FFS显示器。后一个有时被 称为UB-FFS(超亮FFS)。例如在US 2013/0207038 A1中公开了这种显示器。相比于先前使用 的IPS和FFS显示器,这些显示器的特征在于显著增加的透射率,这已经是介电正性液晶。然 而,使用介电负性液晶的这些显示器具有严重的缺点:相比于使用介电正性液晶的各个显 示器需要更高的操作电压。用于UB-FFS的液晶介质具有-0.5或更小和优选-1.5或更小的介 电各向异性。
[0005] 用于HB-FFS(高亮度FFS)的液晶介质具有0.5或更大和优选1.5或更大的介电各向 异性。用于ΗΒ-FFS的包含介电负性和介电正性液晶化合物二者的液晶介质,或介晶化合物 公开于例如US 2013/0207038 A1中。然而,这些介质的特征在于已经有相当大的ε丄和eav值, 然而它们的(ε V Δ ε)比相对小。
[0006] 然而,根据本申请,优选介电正性液晶介质呈沿面配向的IPS或FFS效应。
[0007] 该效应在电光显示器元件中的工业应用需要LC相,其必须满足多种要求。此处尤 为重要的是对湿气、空气的耐化学性和物理影响,例如热、红外线、可见光和紫外区域的辐 射以及直流(DC)和交流(AC)电场。
[0008] 此外,工业可用的LC相需要在适合的温度范围和低粘度下具有液晶中间相。
[0009] 迄今已经公开的具有液晶中间相的系列化合物均不包括符合全部这些要求的单 一化合物。因此,通常制备2-25种,优选3-18种化合物的混合物以获得可用作LC相的物质。 [0010]已知矩阵液晶显示器(MLC显示器)。可用于单像素单切换的非线性元件为,例如, 有源元件(即晶体管)。随后使用术语"有源矩阵",其中通常使用薄膜晶体管(TFT),其通常 安置在作为基板的玻璃板上。
[0011]两种技术之间的区别在于:包含化合物半导体,例如,CdSe或金属氧化物如ZnO的 TFT,或基于多晶和尤其是无定形硅的TFT。目前后一技术在全球范围内具有最大的商业重 要性。
[0012] 将TFT矩阵施用于显示器的一个玻璃板的内侧,而另一玻璃板在其内侧带有透明 反电极。与像素电极的尺寸相比,TFT非常小且对图像几乎没有不利作用。该技术还可以推 广到全色功能的显示器,其中将红、绿和蓝滤光片的镶嵌物(mosaic)以使得滤光片元件与 每个可切换的像素相对设置的方式排列。
[0013] 迄今最常使用的TFT显示器通常使用传输中的交叉偏振器操作并且是背光照明 的。对于TV应用,使用ECB(或VAN)盒或FFS盒,而监视器通常使用IPS盒或TN(扭转向列)盒, 和笔记本、笔记本电脑和移动应用通常使用TN、VA或FFS盒。
[0014] 术语"MLC显示器"在此处包括具有集成非线性元件的任何矩阵显示器,即除了有 源矩阵外,还有具有无源元件的显示器,例如变阻器或二极管(M頂=金属-绝缘体-金属)。
[0015] 这种类型的MLC显示器特别适用于TV应用、监视器和笔记本或用于例如在汽车制 造或飞机构造中的具有高信息密度的显示器。除了关于对比度的角度依赖性和响应时间的 问题之外,由于液晶混合物不够高的比电阻,MLC显示器中也还产生一些问题[T0GASHI,S., SEKI-GUCHI,Κ.,ΤΑΝΑΒΕ,Η., YAMAMOTO,Ε.,SORIMACHI,Κ.,TAJIMA,E.,ΨΑΤΑΝΑΒΕ,Η., SHIMIZU,H.,Proc.Eurodisplay 84,Sept.1984: A 210-288Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings,pp.141ff.,Paris;STR0MER,M.,Proc.Eurodisplay 84, Sept.1984:Design of Thin Film Transistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays,pp. 145ff.,Paris] D随着电阻的降低,MLC显示器的对比度劣 化。因为由于与显示器内表面的相互作用,液晶混合物的比电阻通常随MLC显示器的寿命下 降,所以对于显示器来说高的(初始)电阻是非常重要的,以在长的操作期间必须具有可接 受的电阻值。
[0016] 除了 IPS显亦器(例如:Yeo,S · D ·,Paper 15 · 3 : "An LC Display f or the TV Application",SID 2004International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV, Book II,pp.758和759)和长久已知的TN显示器之外,使用ECB效应的显示器已经确立为所 谓的VAN(垂直配向向列)显示器,作为当今最重要的三种较新型液晶显示器之一,特别是用 于电视应用而言。
[0017] 此处可以提及最重要的设计:MVA(多域垂直配向,例如:Yoshide,H.et al .,Paper 3.1:"MVA LCD for Notebook or Mobile PCs...",SID 2004International Symposium, Digest of Technical Papers,XXXV,Book Ι,ρρ·6 至 9,和 Liu,C.T.等人,Paper 15.1: "A46_inch TFT-LCD HDTV Technology…",SID 2004International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book ΙΙ,ρρ·750至753),PVA(图案垂直配向,例如:Kim,Sang Soo,Paper 15.4:"Super PVA Sets New State-of-the-Art for LCD-TV",SID 2004International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book II,pp.760至 763)和ASV(先进超视觉,例如:Shigeta,Mitzuhiro and Fukuoka,Hirofumi,Paper 15.2: "Development of High Qual-ity LCDTV",SID 2004International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book II,pp.754至757)dVA效应的更现代的版本是所谓的 PAVA(光配向VA)和PSVA(聚合物稳定的VA)。
[0018] 以一般的形式,例如在Souk,Jun,SID Seminar 2004,Seminar M_6 : "Recent Advances in LCD Technology",Seminar Lecture Notes,M-6/1至M-6/26,和Miller,Ian, SID Seminar 2004,Seminar M_7:"LCD-Television",Seminar Lecture Notes,M_7/1至M-7/32中比较了所述技术。虽然现代ECB显示器的响应时间已经用过驱动(overdrive)通过寻 址方法显著地得以改善,例如Kim,HyeonKyeong等人,Paper 9.1:"A 57-in.Wide UXGA TFT-LCD for HDTV Application'SID 2004International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book I,pp. 106至109,实现视频兼容的响应时间,特别是在灰阶 的切换中,仍然是未满意解决的问题。
[0019] ECB显示器,如ASV显示器使用具有负性介电各向异性(△ ε)的液晶介质,而TN和迄 今所有常规IPS显示器使用具有正性介电各向异性的液晶介质。然而,目前对于利用介电负 性液晶介质的IPS和FFS显示器存在增加的需求。
[0020] 在这种类型的液晶显示器中,液晶被用作介电材料,当施加电压时其光学性能可 逆地变化。
[0021] 因为通常在显示器中,即也在根据这些所提及效应的显示器中,操作电压应当尽 可能低,使用通常主要由液晶化合物组成的液晶介质,所有这些具有相同符号的介电各向 异性并且具有最高可能的介电各向异性值。通常,最多采用相对小比例的中性化合物和如 果可能不采用具有与介质介电各向异性相反符号的介电各向异性的化合物。在例如用于 ECB或UB-FFS显示器的具有负性介电各向异性的液晶介质的情况下,因此主要采用具有负 性介电各向异性的化合物。所采用的各液晶介质通常主要由和通常甚至基本上由具有负性 介电各向异性的液晶化合物组成。
[0022]在根据本申请使用的介质中,通常采用显著量的介电正性液晶化合物和通常仅非 常少量的介电化合物或甚至无介电化合物,因为通常液晶显示器旨在具有最低可能的寻址 电压。同时,在某些情形下可以有利地使用少量介电中性化合物。
[0023] US 2013/0207038 A1公开了用于ΗΒ-FFS显示器的液晶介质,提议通过额外并入介 电负性液晶改善使用具有正性介电各向异性的液晶的FFS显示器的性能。然而,这导致需要 对所得介质的整体介电各向异性补偿这些化合物的负性贡献。为此,或必须增加介电正性 材料的浓度,其反之使得在混合物中使用介电中性化合物作为稀释剂的空间变小了,或可 选择地必须使用具有更强正性介电各向异性的化合物。这些替代方案均具有增加显示器中 液晶的响应时间的强烈的缺陷。
[0024]已经公开了用于IPS和FFS显示器的具有正性介电各向异性的液晶介质。在以下将 给出一些实例。
[0025] CN 104232105 A公开了具有正性介电各向异性的液晶介质,其具有至多0.7的介 电比(ει/Δ ε)。
[0026] W0 2014/192390也公开了具有正性介电各向异性的液晶介质,其具有相当高的ε I 值,但仅具有约0.5的介电比(^/Δε)。
[0027] W0 2015/007131公开了具有正性介电各向异性的液晶介质,其中一些具有约0.7 和略微更高(至多〇 . 88)的介电比(ε丄/ Δ ε)。明显地,液晶混合物的向列相的范围必须足够 宽以用于意欲的显示器应用。
[0028] 在显示器中液晶介质的响应时间必须得以改善,即降低。这对于电视或多媒体应 用的显示器是特别重要的。为了改善响应时间,过去已经重复地提议优化液晶介质的旋转 粘度(γΟ,即获得具有最低可能旋转粘度的介质。然而,此处所得到的结果对于许多应用 是不足的,并且因此使其看起来希望找到进一步优化的方法。
[0029] 介质对于极限载荷,特别对于UV曝光和加热的足够的稳定性是非常特别重要的。 特别地在移动设备(例如移动电话)的显示器中的情况下,这可以是关键的。
[0030] 除了它们相对差的透射率和它们相对长的响应时间,迄今公开的MLC显示器,它们 具有其它的缺点。这些例如是它们相对低的对比度,它们相对高的视角依赖性和在这些显 示器中灰阶再生困难,尤其是当从倾斜视角观察时,以及它们不足的VHR和它们不足的寿 命。需要显示器透射率和它们响应时间的所期望的改善以改善它们的能量效率或它们渲染 迅速移动图片的能力。
[0031] 因此对于具有非常高比电阻同时大的工作温度范围、短的响应时间和低的阈值电 压的MLC显示器持续具有大的需求,在该显示器的帮助下,可以生产多种灰阶并且其特别具 有良好和稳定的VHR。

【发明内容】

[0032] 本发明的目的为提供MLC显示器,不仅用于监视器和TV应用,而且还用于移动应 用,例如电话和导航系统,其基于ECB、IPS或FFS效应,不具有以上指出的缺陷,或仅以减少 程度具有以上所述缺点,并且同时具有非常高的比电阻值。特别地,必须保证对于移动电话 和导航系统它们还在极其高和极其低的温度下工作。
[0033] 令人惊讶地,已经发现如果在这些显示元件中使用向列液晶混合物可以获得这样 的液晶显示器,其特别是在IPS和FFS显示器中具有低的阈值电压,以及短的响应时间,足够 宽的向列相,有利、相对低的双折射率(A η),和同时高透射率,对于通过加热和UV曝光分解 的良好稳定性,和稳定、高的VHR,所述向列液晶混合物包含至少一种、优选两种或更多种式 I的化合物,所述式I的化合物优选选自子式1-1、1-2、1-3和1-4的化合物,特别优选子式1-2 和/或1-3和/或1-4,更优选1-2和/或1-4,和优选额外地包含至少一种、优选两种或更多种 选自式II和III的化合物的化合物,前者优选式ΙΙ-1和/或11-2,和/或包含至少一种,优选 两种或更多种选自式IV和/或V的化合物,和优选包含一种或多种选自式VII至IX的化合物 (所有式在文本中如以下定义)。
[0034]这种类型的介质可以特别用于具有有源矩阵寻址的电光显示器,如IPS-或FFS显 示器。
[0035] 因此本发明涉及液晶介质,其基于包含一种或多种具有以下之一的极性化合物的 混合物,
[0036] -2或更大至8或更小的范围的垂直于指向矢的介电常数(ε±),和1.0或更大的垂直 于指向矢的介电常数与介电各向异性的介电比(ε?/Δε),或
[0037] -8.0或更大的垂直于指向矢的介电常数(ε丄),优选26或更小,并且优选额外地同 样地1.0或更大的垂直于指向矢的介电常数与介电各向异性的介电比(ε±/ Δ ε)。
[0038] 1.0或更大的垂直于指向矢的介电常数与介电各向异性的比(ε丄/△ ε)对应于2.0 或更小的平行于指向矢的介电常数(ε ||)与垂直于指向矢的介电常数(ει)的比,g卩(ε||/ε丄) 的比。
[0039] 根据本发明的介质优选额外地包含一种或多种选自式II和III的化合物的化合 物,优选一种或多种式II的化合物,另外更优选一种或多种式III的化合物,和最优选额外 一种或多种选自式IV和V的化合物的化合物,和再次优选一种或多种选自式VI至IX的化合 物的化合物(所有式如下定义)
[0040] 根据本发明的混合物展示出非常宽的向列相范围(清亮点多70 °C )、非常有利的电 容阈值、相对高的保留率值和同时良好的-20 °C和-30 °C的低温稳定性、以及非常低的旋转 粘度。根据本发明的混合物进一步特征在于清亮点与旋转粘度的良好比以及相对高的正性 介电各向异性。
[0041] 现在,已经令人意外地发现使用具有正性介电各向异性的液晶的FFS类型的LC可 以使用特殊选择的液晶介质实现。这些介质的特征在于物理性能的特定组合。这些之中最 决定性的是它们的介电性能并且此处是高平均介电常数(e av.),高的垂直于液晶分子指向 矢的介电常数(ε?),高的介电各向异性值(Α ε),和特别地,相对高的这后两个值的比:(^/ Α ε) 0
[0042] 优选地,一方面,根据本发明的液晶介质具有0.5或更大的介电各向异性值,优选 1.0或更大,更优选1.5或更大。另一方面,它们优选具有26或更小的介电各向异性。
[0043] 优选地,一方面,根据本发明的液晶介质具有2或更小的垂直于指向矢的介电常数 值,更优选8或更大且另一方面优选20或更小。
[0044]根据本发明的液晶介质优选具有正性介电各向异性,优选在1.5或更大至20.0或 更小的范围,更优选在3.0或更大至8.0或更小的范围,和最优选在4.0或更大至7.0或更小 的范围。
[0045] 根据本发明的液晶介质优选具有5.0或更大的垂直于液晶分子指向矢的介电常数 (U),更优选6.0或更大,更优选7.0或更大,更优选8.0或更大,更优选9或更大,和最优选 1〇.〇或更大。
[0046] 根据本发明的液晶介质优选具有1.0或更大的介电比(ε?/Δε),更优选1.5或更 大,和最优选2.0或更大。
[0047] 在本发明的一种优选的实施方案中,液晶介质优选包含
[0048] a)-种或多种具有高的垂直于指向矢和平行于指向矢二者的介电常数的化合物, 优选选自式I的化合物,优选浓度在1 % -60 %的范围,优选5 % -40 %的范围,特别优选8 % -35%的范围,
[0050] 其中
中了 衣不
[0055] n 表示0或 1,
[0056] R11和R12彼此独立地表示优选具有1-7个C原子的烷基、烷氧基、氟化的烷基或氟化 的烷氧基,具有2-7个C原子的烯基、烯基氧基、烷氧基烷基或氟化的烯基并且优选烷基、烷 氧基、烯基或烯基氧基,最优选烷基、烷氧基或烯基氧基,和R 11可选择地表示R1且R12可选择 地表示X1,
[0057] R1表示优选具有1-7个C原子的烷基、烷氧基、氟化的烷基或氟化的烷氧基,具有2-7个C原子的烯基、烯基氧基、烷氧基烷基或氟化的烯基并且优选烷基或烯基,和
[0058] X1表示F、C1、氟化的烷基、氟化的烯基、氟化的烷氧基或氟化的烯基氧基,后四个 基团优选具有1-4个C原子,优选F、C1、CF3或0CF3,特别对于式1-1和1-2,优选F和对于式1-4, 优选0CF 3,和
[0059] b)-种或多种选自式II和III的化合物的介电正性化合物,优选各自具有大于3的 介电各向异性的化合物:
[0061 ] 其中
[0062] R2表示具有1-7个C原子的烷基、烷氧基、氟化的烷基或氟化的烷氧基,具有2-7个C 原子的烯基、烯基氧基、烷氧基烷基或氟化的烯基,和优选烷基或烯基,

[0064] 在每次出现时彼此独立地表示 I
[0069] L21和L22表示Η或F,优选L21表示F,
[0070] X2表示卤素、具有1-3个C原子的卤化的烷基或烷氧基或具有2或3个C原子的卤化 的烯基或烯基氧基,优选 F、Cl、-〇CF3、-〇-CH2CF3、-〇-CH=CH2、-〇-CH=CF 2 或-CF3,非常优选 F、Cl、-0-CH=CF2 或-〇CF3,
[0071] m表示0、1、2或3,优选1或2并且特别优选1,
[0072] R3表示具有1-7个C原子的烷基、烷氧基、氟化的烷基或氟化的烷氧基,具有2-7个C 原子的烯基、烯基氧基、烷氧基烷基或氟化的烯基并且优选烷基或烯基,
[0074] 在每次出现时彼此独立地为

[0078] L31和L32,彼此独立地表示Η或F,优选L31表示F,
[0079] X3表示卤素,具有1-3个C原子的卤化的烷基或烷氧基或具有2或3个C原子的卤化 的烯基或烯基氧基,F、Cl、-〇CF 3、-〇CHF2、-〇-CH2CF3、-0-CH = CF2、-0-CH = CH2 或-CF3,非常优 选F、Cl、-〇-CH=CF2、-0CHF2 或-〇CF3,
[0080] Z3 表示-CH2CH2-、-CF2CF2-、-COO-、反式-CH=CH-、反式-CF = CF-、-CH2〇-或单键,优 选-CH2CH2-、-C00-、反式-CH=CH-或单键并且非常优选-C00-、反式-CH=CH-或单键,和 [0081 ] η表示0、1、2或3,优选1、2或3和特别优选1,和
[0082] c)任选的一种或多种选自式IV和V的介电中性化合物:
[0084] 其中
[0085] R41和R42,彼此独立地具有以上在式II下对于R 2所指出的含义,优选R41表示烷基和 R42表不烷基或烷氧基或R41表不烯基和R42表不烷基,
[0087] 彼此独立地并且如果
出现两次
[0089] 则这些也彼此独立地表示
[0096] Z41和Z42,彼此独立地并且如果Z41出现两次,则这些也彼此独立地表示-CH2CH2-、- C00-、反式-CH=CH-、反式-CF = CF-、-CH2〇-、-CF2〇-、-c=C-或单键,优选其一个或多个表示 单键,和
[0097] p表示0、1或2,优选0或1,和
[0098] R51和R52,彼此独立地具有对于R21和R22给出的含义之一并且优选表示具有1-7个C 原子的烷基,优选正烷基,特别优选具有1-5个C原子的正烷基,具有1-7个C原子的烷氧基, 优选正烷氧基,特别优选具有2-5个C原子的正烷氧基,具有2-7个C原子,优选具有2-4个C原 子的烷氧基烷基、烯基或烯基氧基,优选烯基氧基,
[0100]如果存在,各自彼此独立地表示
[0104] 优选
5
[0106]和,如果存在
[0108] Z51 至 Z53 各自彼此独立地表示-CH2-CH2-、-CH2-0-、-CH = CH-、-C = C-、-⑶0-或单 键,优选-ch2-ch2-、-ch2-o-或单键和特别优选单键,
[0109] i和j各自彼此独立地表示0或1,
[0110] (i+j)优选表示〇、1或2,更优选0或1,和最优选1。
[0111] d)再次任选地,可选择地或额外地,一种或多种选自式VI至IX的介电负性化合物:
[0113] 其中
[0114] R61表示具有1-7个C原子的未取代的烷基,优选直链烷基,更优选正烷基,最优选丙 基或戊基,具有2-7个C原子的未取代的烯基,优选直链烯基,特别优选具有2-5个C原子,具 有1-6个C原子的未取代的烷氧基或具有2-6个C原子的未取代的烯基氧基,
[0115] R62表示具有1-7个C原子的未取代的烷基,具有1-6个C原子的未取代的烷氧基或具 有2-6个C原子的未取代的烯基氧基,和
[0116] 1 表示0或 1,
[0117] R71表示具有1-7个C原子的未取代的烷基,优选直链烷基,更优选正烷基,最优选丙 基或戊基,或具有2-7个C原子的未取代的烯基,优选直链烯基,特别优选具有2-5个C原子,
[0118] R72表示具有1-7个C原子的未取代的烷基,优选具有2-5个C原子,具有1-6个C原子 的未取代的烷氧基,优选具有1、2、3或4个C原子,或具有2-6个C原子的未取代的烯基氧基, 优选具有2、3或4个C原子,和
[0121 ] R81表示具有1-7个C原子的未取代的烷基,优选直链烷基,更优选正烷基,最优选丙 基或戊基,或具有2-7个C原子的未取代的烯基,优选直链烯基,特别优选具有2-5个C原子, [0122] R82表示具有1-7个C原子的未取代的烷基,优选具有2-5个C原子,具有1-6个C原子 的未取代的烷氧基,优选具有1、2、3或4个C原子,或具有2-6个C原子的未取代的烯基氧基, 优选具有2、3或4个C原子,
[0129] Z8 表示-(C = 0) -0-、-CH2-0-、-CF2-0-或-CH2-CH2-,优选
[0130] -(C = 0)_0-或-CH2-0-,和
[0131] 〇表示0或 1,
[0132] R91和R92彼此独立地具有以上R72给出的含义,
[0133] R91优选表示具有2-5个C原子的烷基,优选具有3-5个C原子,
[0134] R92优选表示具有2-5个C原子的烷基或烷氧基,更优选具有2-4个C原子的烷氧基, 或具有2-4个C原子的烯基氧基。
[0136] p和q彼此独立地表示0或1,和
[0137] (p+q)优选表示0或1,和若
[0139] 可替代地,优选p = q = l。
[0140] 根据本申请的液晶介质优选具有向列相。
[0141] 优选地,式I的化合物选自式I -1至I -4的化合物:
[0143] 其中
[0144] R11和R12彼此独立地表示优选具有1-7个C原子的烷基、烷氧基、氟化的烷基或氟化 的烷氧基,具有2-7个C原子的烯基、烯基氧基、烷氧基烷基或氟化的烯基并且优选烷基、烷 氧基、烯基或烯基氧基,最优选烷氧基或烯基氧基,
[0145] R1表示优选具有1-7个C原子的烷基、烷氧基、氟化的烷基或氟化的烷氧基,具有2-7个C原子的烯基、烯基氧基、烷氧基烷基或氟化的烯基并且优选烷基或烯基,和
[0146] X1表示?、(:1、^^3、氟化的烷基、氟化的烯基、氟化的烷氧基或氟化的烯基氧基, 后四个基团优选具有1-4个C原子,优选F、C1、CF 3或0CF3,特别对于式1-1和1-2优选F和对于 式1-4优选0CF3。
[0147] 式1-3的化合物根据W002/055463制备,和含有两个烷氧基的式1-3的化合物(Rn = >妒-0; R12 = >R2-0)优选根据以下方案(方案1)由基础化合物二苯并呋喃起始制备。

[0151] 方案1.具有两个烷氧基端基的式1-3的化合物的合成
[0152] 含有一个烷氧基(f-O)和一个烷基(R2)的式1-3的化合物况1^!?1-。;!? 12^!?2)优 选根据以下方案(方案2)由基础化合物二苯并呋喃起始制备。
[0154] 方案2.具有一个烷基和一个烷氧基端基的式1-3的化合物的合成。基团R对应于例 如相应地少一个碳原子的R2的基团。
[0155] 含有两个烷基基团的式1-3的化合物= = 优选根据以下方案(方案 3)由基础化合物二苯并呋喃起始制备。
[0157] 方案3.式1-3化合物的合成。所采用的醛的基团R对应于例如相应地少一个碳原子 的R2的基团。
[0158] 式I -4的化合物优选例如根据以下方案制备。
[0160] 方案4.式1-4的化合物的合成
[0161] 此外,本发明涉及根据本发明的液晶混合物和液晶介质在IPS和FFS显示器中的用 途,特别是在含有液晶介质的SG-FFS显示器中的用途,用于改善响应时间和/或透射率。
[0162] 此外,本发明涉及含有根据本发明的液晶介质的液晶显示器,特别是IPS或FFS显 示器,特别优选FFS或SG-FFS显示器。
[0163] 此外,本发明涉及包含液晶盒的IPS或FFS类型的液晶显示器,所述液晶盒由两个 基板(其中至少一个基板对光是透明的并且至少一个基板具有电极层),和位于所述基板之 间的液晶介质层组成,所述液晶介质层包含聚合的组分和低分子量组分,其中聚合的组分 可通过在液晶盒的基板之间的液晶介质中一种或多种可聚合的化合物的聚合获得,优选施 加电压并且其中低分子量组分是上下文描述的根据本发明的液晶混合物。
[0164] 根据本发明的显示器优选通过有源矩阵(有源矩阵LCD,简称AMD)寻址,优选通过 薄膜晶体管(TFT)的矩阵寻址。然而,根据本发明的液晶也可以有利的方式在具有其它已知 寻址装置的显示器中使用。
[0165] 此外本发明涉及制备根据本发明液晶介质的方法,通过将一种或多种式I的化合 物(优选选自式1-1至1-4的化合物)与一种或多种低分子量液晶化合物或液晶混合物和任 选与其它液晶化合物和/或添加剂混合进行。
[0166] 上下文适用以下含义:
[0167] 除非另有说明,术语"FFS"用于表示FFS和SG-FFS显示器。
[0168] 术语"介晶基团"是本领域技术人员已知并且描述于文献中,并且表示由于其吸引 和排斥相互作用的各向异性,实质上有助于在低分子量或聚合型物质中引起液晶(LC)相的 基团。含有介晶基团的化合物(介晶化合物)不必须本身具有液晶相。介晶化合物也可以仅 在与其它化合物混合和/或在聚合之后展现出液晶相行为。典型的介晶基团例如为刚性棒 状或圆盘状的单元。与介晶或液晶化合物相关使用的术语和定义的综述在Pure Appl.Chem.73(5),888(2001)和C.Tschierske,G.Pelzl,S.Diele,Angew.Chem.2004,116, 6340-6368中给出。
[0169] 术语"间隔基团"或简称"间隔基"(在上下文中也被称为"Sp")为本领域技术人员 所已知并描述于文献中,参见例如Pure Appl ·Chem.73(5),888(2001^PC.Tschierske, G.Pelzl ,S.Diele,Angew.Chem. 2004,116,6340-6368。除非另有说明,上下文中术语"间隔 基团"或"间隔基"表示在可聚合的介晶化合物中使介晶基团和可聚合基团彼此连接的柔性 基团。
[0170] 为了本发明的目的,术语"液晶介质"旨在表示包含液晶混合物和一种或多种可聚 合化合物(例如反应性介晶)的介质。术语"液晶混合物"(或"主体混合物")旨在表示仅由不 可聚合的低分子量化合物,优选两种或更多种液晶化合物和任选的其它添加剂,例如手性 掺杂剂或稳定剂组成的液晶混合物。
[0171]特别优选具有向列相的液晶混合物和液晶介质,特别是在室温下。
[0172]在本发明的一个优选的实施方案中,所述液晶介质包含一种或多种具有大于3的 介电各向异性的介电正性化合物,选自式Π -1和II -2的化合物:
[0174]其中参数具有以上在式II下指出的各自含义,且L23和L24彼此独立地表示Η或F,优 选L23表示F,和
给出的含义之一,
[0176] 和在式Π -l和II-2的情况下,X2优选表示F或0CF3,特别优选F,和在式II-2的情况 下,
1彼此独立地优选表示 或
[0179] 和/或选自式ΠΙ-l和ΙΙΙ-2的化合物:
[0181] 其中参数具有在式III下给出的含义,
[0182] 和根据本发明的介质可选择地或除了式ΠΙ-l和/或ΙΙΙ-2的化合物之外还可以包 含一种或多种式π 1-3的化合物
[0184] 其中参数具有以上指出的各自含义,和参数L31和L32彼此独立并独立于其它参数 地表示Η或F。
[0185] 所述液晶介质优选包含选自式Π -l和ΙΙ-2的化合物的化合物,其中L21和L22和/或 L23和L24均表示F。
[0186] 在一个优选的实施方案中,所述液晶介质包含选自式ΙΙ-2和ΙΙ-3的化合物的化合 物,其中L21、L 22、L23和L24均表示F 〇
[0187] 所述液晶介质优选包含一种或多种式Π -l的化合物。式Π -l的化合物优选选自式 ΙΙ-la至Il-le的化合物,优选一种或多种式ΙΙ-la和/或ΙΙ-lb和/或ΙΙ-ld的化合物,优选选 自式ΙΙ-la和/或ΙΙ-ld或ΙΙ-lb和/或ΙΙ-ld,最优选选自式Il-ld:
[0189] 其中参数具有以上指出的各自含义,且L25和L26彼此独立并且独立于其它参数地 表示Η或F,并且优选
[0190] 在式 ΙΙ-la 和 ΙΙ-lb 中,
[0191] L21 和 L22 均表示 F,
[0192] 在式 II-lc 和 Π-ld 中,
[0193] L21和L22均表示F和/或L23和L24均表示F,和
[0194] 在式 ΙΙ-le 中,
[0195] 1^、1^和1^3表示?。
[0196] 所述液晶介质优选包含一种或多种式II-2的化合物,其优选选自式II_2a至II_2k 的化合物,优选一种或多种各自为式II_2a和/或II-2h和/或II-2j的化合物;

[0199]其中参数具有以上指出的各自含义,和L25至L28彼此独立地表示Η或F,优选L 27和L28 均表示Η,特别优选L26表示Η。
[0200] 所述液晶介质优选包含选自式Il-la至Il-le的化合物的化合物,其中L21和L22均 表示F和/或L 23和L24均表示F。
[0201] 在一个优选的实施方案中,所述液晶介质包含选自式Il-la至ΙΙ-Π 的化合物的化 合物,其中L21、L22、L23和L 24均表示F。
[0202]尤其优选的式II-2的化合物是下式的化合物,特别优选式II-2a_l和/或II-2h_l 和/或II-2k-2:

[0206] 其中R2和X2具有以上指出的含义,和X2优选表示F。
[0207] 所述液晶介质优选包含一种或多种式III-1的化合物。式III-1的化合物优选选自 式Ill-la至ΙΙΙ-lj的化合物,优选选自式111-1。、111-1厂111-18和111-1」·;

[0210]其中参数具有以上给出的含义并且优选其中参数具有以上指出的各自含义,参数 L33和L34彼此独立并且独立于其它参数地表示Η或F,和参数L35和L 36彼此独立并且独立于其 它参数地表示Η或F。
[0211]所述液晶介质优选包含一种或多种式III-lc的化合物,其优选选自式ΙΙΙ-lc-l至 III-lc-5的化合物,优选式III-lc-1和/或III-lc-2,最优选式III-lc-1:
[0213] 其中R3具有以上指出的含义。
[0214] 所述液晶介质优选包含一种或多种式ΙΙΙ-lf的化合物,其优选选自式III-lf-1至 III-lf-6的化合物,优选式III-lf-1和/或III-lf-2和/或III-lf-3和/或III-lf-6,更优选 式 III-lf-3 和/或 III-lf-6,更优选式 III-lf-6:
[0216] 其中R3具有以上指出的含义。
[0217] 所述液晶介质优选包含一种或多种式ΙΙΙ-lg的化合物,其优选选自式III-lg-1至 III-lg-5的化合物,优选式III-lg-3:

[0220] 其中R3具有以上指出的含义。
[0221] 所述液晶介质优选包含一种或多种式ΙΙΙ-lh的化合物,其优选选自式III-lh-1至 III-lh-3的化合物,优选式III-lh-3:
[0224] 其中参数具有以上给出的含义,并且X3优选表示F。
[0225] 所述液晶介质优选包含一种或多种式ΙΙΙ-li的化合物,其优选选自式III-li-1和 III -1 i -2的化合物,优选式III -1 i -2:
[0227] 其中参数具有以上给出的含义,和X3优选表示F。
[0228] 所述液晶介质优选包含一种或多种式ΙΙΙ-lj的化合物,其优选选自式III-lj-1和 II1-1 j-2的化合物,优选式II1-1 j-Ι:
[0230] 其中参数具有以上给出的含义.
[0231] 所述液晶介质优选包含一种或多种式III-2的化合物。式III-2的化合物优选选自 式III-2a和III-2b的化合物,优选式III-2b:
[0233]其中参数具有以上指出的各自含义,和参数L33和L34彼此独立并且独立于其它参 数地表示Η或F。
[0234]所述液晶介质优选包含一种或多种式III_2a的化合物,其优选选自式III-2a-l至 III-2a-6的化合物:

[0237] 其中R3具有以上指出的含义。
[0238] 所述液晶介质优选包含一种或多种式III-2b的化合物,其优选选自式III-2b-l至 III -2b-4,优选III -2b-4的化合物:
[0240]其中R3具有以上指出的含义。
[0241]可选择地或除了式III-1和/或III-2的化合物之外,根据本发明的介质还可以包 含一种或多种式Π 1-3的化合物。
[0243] 其中参数具有以上在式III下指出的各自含义。
[0244] 这些化合物优选选自式II I-3a和II I_3b:
[0246] 其中R3具有以上指出的含义。
[0247] 根据本发明的液晶介质优选包含一种或多种具有-1.5至3范围的介电各向异性的 介电中性化合物,优选选自式VI、VII、VIII和IX的化合物。
[0248] 在本申请中,元素均包括它们各自的同位素。特别地,在化合物中一个或多个Η可 以被D代替,和这在一些实施方案中也是特别优选的。相应化合物相应高程度的氘化例如使 得能够探测和识别该化合物。这在一些情况下是非常有助的,特别是在式I化合物的情况 下。
[0249] 在本申请中
[0250] alkyl 特别优选表示直链烷基,特别是 afe-AH^n-CsHT^n-C^-Sn-CsHn-dP
[0251 ] a 1 keny 1 特别优选表示 CH2 = CH-、E-CH3-CH = CH-、CH2 = CH-CH2-CH2-、E-CH3-CH = CH-CH2-CH2-或 E- (n-C3H7) -CH=CH-。
[0252]在本发明的一个优选的实施方案中,根据本发明的介质在每种情况下包含一种或 多种式VI的化合物,其选自式VI-1和VI-2的化合物,优选一种或多种各自为式VI-1的化合 物和一种或多种式VI-2的化合物,
[0254] 其中参数具有以上在式VI下给出的各自含义,并且优选
[0255] 在式 VI-1 中
[0256] R61和R62彼此独立地表示甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基,又或者戊氧基,优选乙 氧基、丁氧基或戊氧基,更优选乙氧基或丁氧基,和最优选丁氧基。
[0257] 在式 VI-2 中
[0258] R61优选表不乙烯基、1-E-丙烯基、丁 _4_稀-1-基、戊-1-稀-1-基或戊_3_稀_1基和 η-丙基或η-戊基和
[0259] R62表示具有1-7个C原子的未取代的烷基,优选具有2-5个C原子,或优选具有1-6个 C原子的未取代的烷氧基,特别优选具有2或4个C原子,和最优选乙氧基,和
[0260] 在本发明的一个优选的实施方案中,根据本发明的介质在每种情况下包含一种或 多种式VII的化合物,其选自式VII-1至VII-3的化合物,优选一种或多种各自为式VII-1的 化合物和一种或多种式VII-2的化合物,
[0262] 其中参数具有以上在式VII下给出的各自含义,并且优选
[0263] R71优选表不乙烯基、1_Ε_丙烯基、丁_4_稀-1-基、戊-1-稀-1-基或戊_3_稀_1基、η_ 丙基或η-戊基和
[0264] R72表示具有1-7个C原子的未取代的烷基,优选具有2-5个C原子,或优选具有1-6个 C原子的未取代的烷氧基,特别优选具有2或4个C原子,和最优选乙氧基,
[0265] 在本发明的一个优选的实施方案中,根据本发明的介质在每种情况下包含一种或 多种式VI-1的化合物,其选自以下化合物:
[0268]在本发明的一个优选的实施方案中,根据本发明的介质在每种情况下包含一种或 多种式VI-2的化合物,其选自以下化合物:
[0270]在本发明的一个优选的实施方案中,根据本发明的介质在每种情况下包含一种或 多种式VII-1的化合物,其选自以下化合物:
[0272]在本发明的一个优选的实施方案中,根据本发明的介质在每种情况下包含一种或 多种式VII-2的化合物,其选自以下化合物:
[0274] 除了式I的化合物或其优选的子式之外,根据本发明的介质优选还包含一种或多 种选自式VI和VII的化合物的介电中性化合物,优选其总浓度在5 %或更高至90 %或更低, 优选10%或更高至80%或更低,特别优选20%或更高至70%或更低的范围。
[0275] 在本发明的一个优选的实施方案中,根据本发明的介质在每种情况下包含一种或 多种式VIII的化合物,其选自式VII1-1至VII1-3的化合物,优选一种或多种各自为式VIII-1的化合物和/或一种或多种式VII1-3的化合物,
[0278] 其中参数具有以上在式VIII下给出的各自含义,并且优选
[0279] R81表不乙烯基、1-E-丙烯基、丁烯基、戊烯基或戊烯基、乙基、 正丙基或正戊基、烷基,优选乙基、正丙基或正戊基和
[0280] R82表示具有1-7个C原子的未取代的烷基(优选具有1-5个C原子)或具有1-6个C原 子的未取代的烷氧基。
[0281 ] 在式VII1-1和VII1-2中,R82优选表示具有2或4个C原子的烷氧基,和最优选乙氧基 和在式VII1-3中其优选表示烷基,优选甲基、乙基或正丙基,最优选甲基。
[0282]在一个进一步优选的实施方案中,所述介质包含一种或多种式IV的化合物,
[0284] 其中
[0285] R41表示具有1-7个C原子的未取代的烷基或具有2-7个C原子的未取代的烯基,优选 正烷基,特别优选具有2、3、4或5个C原子,和
[0286] R42表示具有1-7个C原子的未取代的烷基,具有2-7个C原子的未取代的烯基,或具 有1-6个C原子的未取代的烷氧基(均优选具有2-5个C原子),未取代的烯基(优选具有2、3或 4个C原子),更优选乙烯基或1-丙烯基和特别是乙烯基
[0287] 在一个特别优选的实施方案中,所述介质包含一种或多种式IV的化合物,其选自 式IV-1至IV-4的化合物,优选式IV-1,
[0289] 其中
[0290] alkyl和alkyl'彼此独立地表示具有1-7个C原子的烷基,优选具有2-5个C原子,
[0291 ] alkenyl和alkenyl'彼此独立地表示具有2-5个C原子的烯基,优选具有2至4个C原 子,特别优选2个C原子,
[0292] alkenyl'表示具有2-5个C原子的烯基,优选具有2至4个C原子,特别优选具有2-3 个C原子,和
[0293] alkoxy表示具有1-5个C原子的烷氧基,优选具有2-4个C原子。
[0294] 在一个特别优选的实施方案中,根据本发明的介质包含一种或多种式IV-1的化合 物和/或一种或多种式IV-2的化合物。
[0295] 在一个进一步优选的实施方案中,所述介质包含一种或多种式V的化合物。
[0296] 根据本发明的介质优选以指出的总浓度包含以下化合物:
[0297] 1 - 60wt %的一种或多种选自式I的化合物的化合物,和
[0298] 5 - 60wt %的一种或多种式II的化合物,优选选自式II -1和II -2的化合物,和/或
[0299] 5_25wt%的一种或多种式III的化合物,和/或
[0300] 5-45wt%的一种或多种式IV的化合物,和/或 [0301] 5_25wt%的一种或多种式V的化合物,和/或
[0302] 5_25wt%的一种或多种式VI的化合物,和/或
[0303] 5_20wt%的一种或多种式VII的化合物,和/或
[0304] 5-30wt%的一种或多种式VIII的化合物,优选选自式VIII-1和VIII-2的化合物, 和/或
[0305] 0_60wt%的一种或多种式IX的化合物
[0306] 其中所有式I至IX的化合物(其存在于在介质中)的总含量优选为95%或更高,并 且更优选100 %。
[0307] 后一条件适用于所有根据本申请的介质。
[0308] 在一个进一步优选的实施方案中,除了式I的化合物或其优选的子式和式VI和/或 VII和/或VIII和/或IX的化合物之外,根据本发明的介质还优选包含一种或多种选自式IV 和V的化合物的介电中性化合物,其优选总浓度在5 %或更高至90 %或更低的范围,优选 10 %或更高至80 %或更低,特别优选20 %或更高至70 %或更低。
[0309] 在一个特别优选的实施方案中根据本发明的介质包含
[0310] 一种或多种式II的化合物,其总浓度在5%或更高至50%或更低的范围,优选10% 或更高至40%或更低的范围,和/或
[0311] 一种或多种式VII-1的化合物,其总浓度在5%或更高至30%或更低的范围,和/或
[0312] 一种或多种式VII-2的化合物,其总浓度在3%或更高至30%或更低的范围。
[0313] 优选地,在根据本发明的介质中式I化合物的浓度在1 %或更高至60%或更低的范 围,更优选5 %或更高至40 %或更低,最优选8 %或更高至35 %或更低。
[0314] 在本发明的一个优选的实施方案中,在介质中式II化合物的浓度在3%或更高至 60%或更低的范围,更优选5%或更高至55%或更低,更优选10%或更高至50%或更低,和 最优选15%或更高至45%或更低。
[0315] 在本发明的一个优选的实施方案中,在介质中式VII化合物的浓度为2%或更高至 50%或更低的范围,更优选5%或更高至40%或更低,更优选10%或更高至35%或更低,和 最优选15%或更高至30%或更低。
[0316] 在本发明的一个优选的实施方案中,在介质中式VII-1的化合物的浓度在1%或更 高至40%或更低的范围,更优选2%或更高至35%或更低,或可选择地15%或更高至25%或 更低。
[0317] 在本发明的一个优选的实施方案中,如果存在,在介质中式VII-2的化合物的浓度 在1 %或更高至40%或更低的范围,更优选5%或更高至35%或更低,和最优选10%或更高 至30%或更低。
[0318]本发明还涉及含有根据本发明的液晶介质的电光显示器或电光组件。优选基于 VA、ECB、IPS或FFS效应,优选基于VA、IPS或FFS效应的电光显示器,和特别是通过有源矩阵 寻址设备寻址的那些。
[0319]因此,本发明同样涉及根据本发明的液晶介质在电光显示器或在电光组件中的用 途,和涉及制备根据本发明的液晶介质的方法,其特征在于将一种或多种式I的化合物与一 种或多种式II的化合物(优选与一种或多种子式II-1和/或II-2的化合物)和/或与一种或 多种式VII的化合物(优选与一种或多种子式VII-1和/或VII-2的化合物),特别优选一种或 多种来自两种或更多种,优选三种或更多种其不同式,和非常特别优选来自这些式11-1、 II-2、VII-1和VII-2的所有四个,和一种或多种其它化合物优选选自式IV和V的化合物,更 优选与一种或多种式IV和式V二者的化合物混合。
[0320]在一个进一步优选的实施方案中,所述介质包含一种或多种式IV的化合物,选自 式IV-2和IV-3的化合物,
[0322] 其中
[0323] alkyl和alkyl'彼此独立地表示具有1-7个C原子的烷基,优选具有2-5个C原子,
[0324] alkoxy表示具有1-5个C原子的烷氧基,优选具有2-4个C原子。
[0325] 在一个进一步优选的实施方案中,所述介质包含一种或多种式V的化合物,其选自 式V-1和V-2的化合物,优选式V-1的化合物,
[0327] 其中参数具有以上在式V下给出的含义,并且优选
[0328] R51表示具有1-7个C原子的烷基或具有2-7个C原子的烯基,和
[0329] R52表示具有1-7个C原子的烷基,具有2-7个C原子的烯基或具有1-6个C原子的烷氧 基,优选烷基或烯基,特别优选烷基,
[0330] 在一个进一步优选的实施方案中,所述介质包含一种或多种式V-1的化合物,其选 自式V-la和V-lb的化合物,
[0332] 其中
[0333] alkyl和alkyl'彼此独立地表示具有1-7个C原子的烷基,优选具有2-5个C原子,和
[0334] alkenyl表示具有2-7个C原子的烯基,优选具有2-5个C原子。
[0335] 此外,本发明涉及降低液晶介质双折射率的波长色散的方法,所述液晶介质包含 一种或多种式II的化合物,任选地一种或多种选自式VII-1和VII-2的化合物的化合物和/ 或一种或多种式IV的化合物和/或一种或多种式V的化合物,特征在于在介质中使用一种或 多种式I的化合物。
[0336] 除了式I至V的化合物之外,也可以存在其它成分,例如量为整个混合物的至多 45%,但优选至多35%,特别是至多10%。
[0337] 根据本发明的介质还任选地可以包含介电正性组分,其总浓度优选为20%或更 低,更优选10 %或更低,基于整体介质。
[0338] 在一个优选的实施方案中,根据本发明的液晶介质基于整个混合物总共包含:
[0339] 1 %或更高至20%或更低,优选2%或更高至15 %或更低,特别优选3%或更高至 12 %或更低的式I的化合物,
[0340] 20 %或更高至50 %或更低,优选25 %或更高至45 %或更低,特别优选30 %或更高 至40 %或更低的式II和/或III的化合物,和
[0341] 0 %或更高至35 %或更低,优选2 %或更高至30 %或更低,特别优选3 %或更高至 25%或更低的式IV和/或V的化合物,和
[0342] 5%或更高至50%或更低,10%或更高至45%或更低,优选15%或更高至40%或更 低的式VI和/或VII和/或VIII和/或IX的化合物。
[0343] 根据本发明的液晶介质可以包含一种或多种手性化合物。
[0344] 本发明特别优选的实施方案满足以下条件的一个或多个,
[0345] 其中在表A至C中解释了首字母缩写(缩写)并且在表D中通过实例阐明。
[0346] 优选地,根据本发明的介质满足以下条件的一个或多个。
[0347] i .所述液晶介质具有0.060或更大的双折射率,特别优选0.070或更大。
[0348] ii.所述液晶介质具有0.200或更小的双折射率,特别优选0.180或更小。
[0349] iii.所述液晶介质具有0.090或更大至0.120或更小的范围的双折射率。
[0350] iv.所述液晶介质包含一种或多种特别优选的式1-1的化合物。
[0351] v.在整个混合物中式II化合物的总浓度为25%或更高,优选30%或更高,和优选 在25%或更高至49%或更低的范围,特别优选在29%或更高至47%或更低的范围,和非常 特别优选在37%或更高至44%或更低的范围。
[0352] vi .所述液晶介质包含一种或多种选自下式化合物的式II的化合物:CC-n-V和/或 CC-n-Vm和/或CC-V-V和/或CC-V-Vn和/或CC-nV-Vn,特别优选CC-3-V,优选浓度至多60 %或 更低,特别优选至多50%或更低,和任选地额外地CC-3-V1,优选浓度至多15%或更低,和/ 或CC-4-V,优选浓度至多24%或更低,特别优选至多30%或更低。
[0353] vii.所述介质包含式CC-n-V的化合物,优选CC-3-V,优选浓度为1%或更高至60% 或更低,更优选浓度为3 %或更高至35 %或更低。
[0354] viii .在整个混合物中式CC-3-V的化合物的总浓度优选为15%或更低,优选10% 或更低或20%或更高,优选25%或更高。
[0355] ix.在整个混合物中式Y-n〇-〇m的化合物的总浓度为2%或更高至30%或更低,优 选5%或更高至15%或更低。
[0356] X.在整个混合物中式CY-n-〇m的化合物的总浓度为5 %或更高至60 %或更低,优选 15%或更高至45%或更低。
[0357] xi .在整个混合物中式CCY-n-〇m和/或CCY-n-m,优选CCY-n-〇m的化合物的总浓度 为5%或更高至40%或更低,优选1 %或更高至25%或更低。
[0358] xi i .在整个混合物中式CLY-n-〇m化合物的总浓度为5 %或更高至40 %或更低,优 选10%或更高至30%或更低。
[0359] xiii.所述液晶介质包含一种或多种式IV,优选式IV-1和/或IV-2的化合物,优选 总浓度为1 %或更高,特别是2%或更高,和非常特别优选3%或更高至50%或更低,优选 35%或更低。
[0360] xiv.所述液晶介质包含一种或多种式V、优选式V-1和/或V-2的化合物,优选总浓 度为1 %或更高,特别是2%或更高,和非常特别优选15%或更高至35%或更低,优选30%或 更低。
[0361 ] xv.在整个混合物中式CCP-V-n,优选CCP-V-1的化合物的总浓度优选为5 %或更高 至30%或更低,优选15%或更高至25%或更低。
[0362] xvi.在整个混合物中式CCP-V2-n,优选CCP-V2-1的化合物的总浓度优选为1%或 更高至15%或更低,优选2%或更高至10%或更低。
[0363] 此外本发明涉及具有基于¥4408、1?3、??3或1^4?3效应的有源寻址的电光显示 器,特征在于其含有根据本发明的液晶介质作为电介质。
[0364]所述液晶混合物优选具有具有至少70度宽度的向列相。
[0365] 旋转粘度γ i优选为350mPa · s或更小,优选250mPa · s或更小并且特别地 150mPa · s或更小。
[0366]根据本发明的混合物适用于所有使用介电正性液晶介质的IPS和FFS-TFT应用,例 如SG-FFS。
[0367] 根据本发明的液晶介质优选几乎完全由4至15种,特别是5至12种和特别优选10种 或更少的化合物组成。这些优选选自式ι、π、ιπ、ιν、ν、νι、νπ、νπι和IX的化合物。
[0368] 根据本发明的液晶介质可以任选地还包含超过18种的化合物。在这种情况下,它 们优选包含18至25种化合物。
[0369] 在一个优选的实施方案中,根据本发明的液晶介质主要包含,优选实质上由和最 优选几乎完全由不含氰基的化合物组成。
[0370] 在一个优选的实施方案中,根据本发明的液晶介质包含选自式1、11和III、IV和V 和 VI 至 IX 的化合物的化合物,优选选自式 1-1、1-2、1-3、1-4、11-1、11-2、111-1、111-2、IV、 ¥、¥11-1、¥11-2、¥111和^的化合物的化合物;它们优选主要由,特别优选实质上和特别优 选几乎完全由所述式的化合物组成。
[0371] 根据本发明的液晶介质在每种情况下优选具有至少-10°C或更低至70°C或更高, 特别优选_20°C或更低至80°C或更高,非常特别优选_30°C或更低至85°C或更高和最优选-40 °C或更低至90 °C或更高的向列相。
[0372] 此处表述"具有向列相"在一方面是指在低温在相应的温度下未观察到近晶相和 结晶,和在另一方面在加热出向列相时未发生清亮。在低温下的研究在相应的温度下在流 动粘度计中进行并且通过储存在具有对应于至少100小时的电光应用的盒厚度的测试盒中 检查。如果在相应的测试盒中在-20°c的温度下的储存稳定性为1000小时或更长,该介质被 视为在该温度下稳定。在-30 °C和_40°C的温度下,相应的时间分别为500小时和250小时。在 高温下,通过常规方法在毛细管中测量清亮点。
[0373] 在一个优选的实施方案中,根据本发明的液晶介质的特征在于在适中至低范围的 光学各向异性。双折射率值优选在0.075或更大至0.130或更小的范围,特别优选0.085或更 大至0.120或更小的范围,和非常特别优选0.090或更大至0.115或更小的范围。
[0374] 在该实施方案中,根据本发明的液晶介质具有正性介电各向异性和相对高的介电 各向异性绝对值Α ε,其优选在0.5或更大,优选1.0或更大,更优选2.0或更大至20或更小, 更优选至15或更小,更优选3.0或更大至10或更小,特别优选4.0或更大至9.0或更小,和非 常特别优选4.5或更大至8.0或更小的范围。
[0375] 根据本发明的液晶介质优选具有相对低的阈值电压(Vo)值,其范围为1.0V或更高 至2.5V或更低,优选1.2V或更高至2.2V或更低,特别优选1.3V或更高至2.0V或更低。
[0376] 在一个进一步优选的实施方案中,根据本发明的液晶介质优选具有相对高的平均 介电常数值(£& = (£||+2£丄)/3),其优选在8.0或更大至25.0或更小的范围,优选8.5或更大 至20.0或更小,仍然更优选9.0或更大至19.07或更小,特别优选10.0或更大至18.0或更小, 和非常特别优选11. 〇或更大至16.5或更小。
[0377] 此外,根据本发明的液晶介质在液晶盒中具有高的VHR值。
[0378] 在20°C下新鲜填充的盒中,在盒中,这些介质的VHR值大于或等于95 %,优选大于 或等于97%,特别优选大于或等于98%和非常特别优选大于或等于99%,和在100°C下炉中 5分钟之后,在盒中,这些大于或等于90%,优选大于或等于93%,特别优选大于或等于96% 和非常特别优选大于或等于98%。
[0379] 通常,此处具有低寻址电压或阈值电压的液晶介质相比具有更高寻址电压或阈值 电压的那些具有更低的VHR,并且反之亦然。
[0380]这些单个物理性能优选的值在每种情况下也优选通过根据本发明的介质彼此结 合来保持。
[0381] 在本申请中,除非另有明确指出,术语"化合物"也写作"(一种或多种)化合物"是 指一种和多种化合物二者。
[0382] 在一个优选的实施方案中,根据本发明的液晶介质包含
[0383] 一种或多种式I的化合物,和
[0384] 一种或多种式 II 的化合物,优选式 PUQU-n-F、CDUQU-n-F、APUQU-n-F 和 PGUQU-n-, 和/或
[0385] 一种或多种式III的化合物,优选式CCP-n-〇T、CGG-n-F和CGG-n-〇D,和/或
[0386] -种或多种式V的化合物,优选式 CC-n-V、CCP-n-m、CCP-V-n、CCP-V2-n 和CGP-n-n 和/或
[0387] 一种或多种式VI的化合物,优选式Y-n-〇m、Y-n〇-〇m和/或CY-n-〇m,选自式Y-3-01、 Υ-40-04、CY-3-02、CY-3-04、CY-5-02 和 CY-5-04 的化合物,和/或
[0388] 任选地,优选地必须地,一种或多种式VII-1的化合物,优选选自式CCY-n-m和CCY- η-Om 的化合物,优选式 CCY-n-Om,优选选自式 CCY-3-02、CCY-2-02、CCY-3-01、CCY-3-03、 CCY-4-02、CCY-3-02 和 CCY-5-02 的化合物,和/或
[0389] 任选地,优选地必须地,一种或多种式VII-2的化合物,优选式CLY-n-〇m,优选选自 式 CLY-2-04、CLY-3-02、CLY-3-03 的化合物,和/或
[0390] 一种或多种式VIII的化合物,优选式CZY-η-Οη和CCOY-n-m和/或
[0391 ] -种或多种式IX的化合物,优选式PYP-n-m和/或
[0392] 任选地,优选地必须地,一种或多种式IV的化合物,优选选自式CC-n-V、CC-n-Vm和 CC-nV-Vm的化合物,优选0>3,、0:-3-¥1、0:-4-¥、0:-5,和0:,,,特别优选选自化合物 0:-3-¥、0:-3,1、0:-4,和0:,,,非常特别优选化合物0:-3,,和任选额外地化合物0:- 4-V和/或 CC-3-V1 和/或 CC-V-V,和/或
[0393] 任选地,优选地必须地,一种或多种式V的化合物,优选式CCP-V-1和/或CCP-V2-1。
[0394] 在本发明具体优选的实施方案中,根据本发明的介质包含一种或多种式IX的化合 物。
[0395] 式IX的化合物也高度适用作液晶混合物中的稳定剂,尤其是在p = q=l和环A9 = 1,4-亚苯基的情况下。特别地,它们针对UV曝光稳定了混合物的VHR。
[0396] 在一个优选的实施方案中,根据本发明的介质包含一种或多种式IX的化合物,其 选自一种或多种式IX-1至IX-4的化合物,非常特别优选式IX-1至IX-3,
[0399] 其中参数具有在式IX下给出的含义。
[0400] 在一个进一步优选的实施方案中,所述介质包含一种或多种式IX-3的化合物,优 选式IX-3-a的化合物,
[0402] 其中
[0403] alkyl和alkyl'彼此独立地表示具有1-7个C原子的烷基,优选具有2-5个C原子。 [0404]在式IX的化合物用于根据本申请的液晶介质的情况下,它们优选以20%或更低, 更优选10%或更低和最优选5%或更低的浓度存在,并且对于单个即(同系(homologous)) 化合物,优选浓度为10%或更低和更优选5%或更低。
[0405] 对于本发明,在各个情况下,除非另有说明,以下定义适用于组合物成分的规格:
[0406] 包含":组合物中的讨论中的成分的浓度优选5%或更高,特别优选10%或更高, 非常特别优选20 %或更高,
[0407]- "主要由…组成":组合物中的讨论中的成分的浓度优选50 %或更高,特别优选 55 %或更高和非常特别优选60 %或更高,
[0408]-"实质上由…组成":组合物中的讨论中的成分的浓度优选80 %或更高,特别优选 90 %或更高和非常特别优选95 %或更高,和
[0409] 几乎完全由…组成":组合物中的讨论中的成分的浓度优选98%或更高,特别优 选99%或更高和非常特别优选100.0%。
[0410] 这适用于作为具有其成分(其可以是组分和化合物)的组合物的介质,并且也适用 于具有其成分(化合物)的组分。只有当涉及相对于整个介质的各个化合物的浓度时,术语 "包含"才表示讨论中的化合物的浓度优选1%或更高,特别优选2%或更高,非常特别优选 4%或更高。
[0411] 对于本发明,是指小于或等于,优选小于,和"多"是指大于或等于,优选大于。 [0412]对于本发明,
[0414] 表示反式-1,4-亚环己基,和
[0416] 表示1,4_亚苯基。
[0417]对于本发明,表述"介电正性化合物"是指具有>1.5的Δε的化合物,表述"介电中 性化合物"是指其中-1.5<Δε<1.5的那些和表述"介电负性化合物"是指其ψΔε〈-1.5的 那些。此处化合物的介电各向异性通过将10%的化合物溶解在液晶主体中并且在1kHz下在 至少一个具有垂面表面配向和具有沿面表面配向的具有20μπι盒厚度的测试盒中测量所得 混合物在每种情况下的电容而测定。测量电压通常是0.5V至1.0V,但总是低于所研究的各 自液晶混合物的电容阈值。
[0418]用于介电正性和介电中性化合物的主体混合物是ZLI-4792并且用于介电负性化 合物的主体混合物为ZLI-2857,二者均来自MerckKGaA,德国。待研究的各自化合物的值由 在添加待研究的化合物之后主体混合物的介电常数的变化而获得并且外推至100%所采用 的化合物。以10 %的量将待研究的化合物溶解在主体混合物中。如果物质的溶解度对于该 目的太低,则逐步将浓度减半直到研究可以在期望的温度下进行。
[0419] 如果需要,根据本发明的液晶介质也可以通常的量包含其它添加剂,例如稳定剂 和/或多色性,例如二色性染料和/或手性添加剂。所采用的这些添加剂的量总共优选0%或 更高至10%或更低,基于整个混合物的量,特别优选0.1%或更高至6%或更低。所采用的各 个化合物的浓度优选〇. 1 %或更高至3 %或更低。当指定在液晶介质中液晶化合物的浓度和 浓度范围时,通常不考虑这些和类似添加剂的浓度。
[0420] 在一个优选的实施方案中,根据本发明的液晶介质包含聚合物前体,所述聚合物 前体包含一种或多种反应性化合物,优选反应性介晶,和如果需要,以通常量包含其它的添 加剂,例如聚合引发剂和/或聚合缓和剂。基于整个混合物的量,所采用的这些添加剂的量 总共为〇%或更高至10%或更低,优选0.1%或更高至2%或更低。当指定液晶介质中液晶化 合物的浓度和浓度范围时,不考虑这些和类似添加剂的浓度。
[0421]所述组合物由多种化合物组成,优选3或更多至30或更少,特别优选6或更多至20 或更少和非常特别优选10或更多至16或更少种类的化合物,其以常规的方式混合。通常,以 较少量使用的所期望量的组分溶解在组成混合物主要成分的组分中。这有利地在升高的温 度下进行。如果所选择的温度高于主要成分的清亮点,则特别容易观察到溶解操作完成。然 而,也可以其它常规的方式制备液晶混合物,例如使用预混合或由所谓的"多瓶体系"制备。
[0422] 根据本发明的混合物展现出清亮点在65°C或更高的非常宽的向列相范围,非常有 利的电容阈值,相对高的保持率值以及同时在_30°C和_40°C下非常良好的低温稳定性。此 外,根据本发明的混合物的特征在于低的旋转粘度Y u
[0423] 对本领域技术人员不言而喻,用于VA、IPS、FFS或PALC显示器的根据本发明的介质 还可以包含其中例如11、10、(:1、?已经被相应的同位素代替的化合物。
[0424] 根据本发明的液晶显示器的结构对应于一般的几何结构,如例如描述于EP-A0240379中的。
[0425] 根据本发明的液晶相可以通过合适的添加剂以它们可以在任何类型的例如迄今 已经公开的IPS和FFS IXD显示器中采用的方式来改性。
[0426] 以下表E表明了可以添加到根据本发明的混合物中的可能的掺杂剂。如果混合物 包含一种或多种掺杂剂,则其(它们)以〇. 〇 1 %至4 %,优选0.1 %至1.0 %的量采用。
[0427] 例如可以优选以0.01 %至6 %,特别是0.1 %至3%的量添加至根据本发明的混合 物中的稳定剂以下示于表F中。
[0428] 为了本发明的目的,除非另外明确指出,所有浓度是以重量百分比指出的,且涉及 相应的整个混合物或同样整个混合物组分,除非另有明确指出。在此上下文中,术语"混合 物"描述液晶介质。
[0429] 除非另有明确指出,在本申请中指出的所有温度的值,如熔点T(C,N),从近晶(S) 相到向列(N)相的转变T(S,N)以及清亮点T(N,I),都以摄氏温度(°C)表示,并且所有的温度 差异相应地以差异度(°或度)表示。
[0430] 对于本发明,术语"阈值电压"指的是电容性阈值(Vo),也称为Freedericks-阈值, 除非另外明确指出。
[0431]所有物理性能是并且已经依据"Merck Liquid Crystals,Physical Properties of Liquid Crystals",Status 1997年 11 月,Merck KGaA(德国)测定的并且适用温度20°C, 且Δ η在436nm、589nm和633nm下测定和Δ ε在1kHz下测定,除非每种情形下另外明确指出。
[0432] 电光性能,例如阈值电压(Vo)(电容性测量),以及切换行为是在Merck Japan制备 的测试盒中测量的。所述测量盒具有钠钙玻璃基板并且在具有聚酰亚胺配向层的ECB或VA 配置中构造(使用稀释剂#26的SE-1211 (混合比1:1),均来自Nissan Chemicals,日本),其 已经彼此垂直摩擦并且影响液晶的垂面配向。透明几乎正方形ΙΤ0电极的表面积为lcm2。
[0433] 除非另有说明,不将手性掺杂剂添加至所使用的液晶混合物中,但后者也特别适 用于其中这种类型掺杂是必须的应用中。
[0434] 旋转粘度使用旋转永久磁体方法测量并且流动粘度在改进的乌氏粘度计中测量。 对于液晶混合物 ZLI-2293、ZLI-4792 和 MLC-6608,所有来自 MerckKGaA,Darmstadt,德国的 产物,在20°C下测定的旋转粘度值分别为161mPa · s、133mPa · s和186mPa · s,和流动粘度 值(v)分别为21mm2 · s-1、1 4mm2 · s-1 和27mm2 · s-、
[0435] 材料的分散对于实际目的可以方便地以以下方式表征,除非另有说明其在整个申 请中使用。双折射率值在20°C的温度下在几个固定波长下使用改进的阿贝折射计测定,伴 随着垂面配向的表面在棱镜的侧面上与该材料接触。双折射率值在436nm(低压汞灯的各所 选光谱线)、589nm(钠"D"线)和633nm(HE-Ne激光器的波长,该激光器与衰减器/扩散器组合 使用以防止对观察者的眼睛造成伤害)的特定波长值下测定。在下表中,Δη在589nm给出和 Δ ( Δ η)作为 Δ ( Δ η) = Δ n(436nm)_ Δ n(633nm)给出。
[0436] 除非另有明确说明,使用了以下符号:
[0437] Vo表示阈值电压,电容性[V],在20°C下,
[0438] ne表示在20°C和589nm下测量的非寻常折射率,
[0439] η。表示在20°C和589nm下测量的寻常折射率,
[0440] Δ η表不在20°C和589nm下测量的光学各向异性,
[0441 ] λ 表示波长 λ[ηΠ ι],
[0442] Δη(λ)表示在20°C和波长λ下测量的光学各向异性,
[0443] △( Δη)表示光学各向异性的变化,定义为:
[0444] Δ n(20°C ,436nm)- Δ n(20°C ,633nm),
[0445] Δ ( Δη*)表示"光学各向异性的相对变化",定义为:
[0446] Δ ( An)/An(20〇C,589nm),
[0447] ε丄表示在20°C和1kHz下垂直于指向矢的电介质极化率,
[0448] ε||表示在20°C和1kHz下平行于于指向矢的电介质极化率,
[0449] Δ ε表示在20°C和1kHz下的介电各向异性,
[0450] !'(叱1)或(:1.?.表示清亮点[°(:],
[0451 ] v表示在20°C下测量的流动粘度[mm2 · s-勺,
[0452] γ i表示在20°C下测量的旋转粘度[mPa · s],
[0453] kn表示弹性常数,在20°C下的"斜展"变形[pN],
[0454] k22表示弹性常数,在20°C下的"扭曲"变形[pN],
[0455] k33表示弹性常数,在20°C下的"弯曲"变形[pN],
[0456] LTS表示在测试盒中测量的,相的低温稳定性,
[0457] VHR表示电压保持率,
[0458] Δ VHR表示电压保持率的降低,和
[0459] Srei表示VHR的相对稳定性,
【具体实施方式】
[0460]以下实施例解释了本发明,而不是限制它。然而,它们向本领域技术人员显示了使 用优选待采用的化合物和其各自浓度以及其彼此组合的优选的混合物概念。此外,实施例 阐明了可获得的性能和性能组合。
[0461] 对于本发明和在以下实施例中,通过首字母缩写词表示了液晶化合物的结构,根 据以下表A至C转成化学式。所有基团CnH 2n+1、CmH2m+dPCiH2i+1SC nH2n、CmH24PCiH2i为直链烷基 或亚烷基基团,在每种情况下,各自具有n、m和1个C原子。优选地,n、m和1彼此独立地为1、2、 3、4、5、6或7。表A显示了化合物核的环要素的代码,表B列举了桥接单元,和表C列举了分子 左手和右手端基的符号含义。首字母缩写词由具有任选连接基团的环要素的代码,之后是 第一连字符以及左手端基代码,和第二连字符以及右手端基代码组成。表D显示了化合物的 示例性结构和它们各自的缩写。
[0462] 表A:环要素

[0466] 表B:桥接单元



























[0512]在本发明的一个优选的实施方案中,根据本发明的介质包含一种或多种选自表E 化合物的化合物。
[0513]表F显示了除了式I的化合物之外,还可以优选在根据本发明的混合物中采用的稳 定剂。此处参数η表示1-12范围的整数。特别地,所显示的酚类衍生物可以作为额外的稳定 剂采用,因为它们充当抗氧剂。




[0520]在本发明的一个优选的实施方案中,根据本发明的介质包含一种或多种选自表F 化合物的化合物,特别是一种或多种选自以下两个式的化合物的化合物。
[0522] 实施例
[0523] 以下实施例解释了本发明而不以任何方式对其进行限制。然而,物理性能使得对 于本领域技术人员可以实现何种性能以及在哪些范围它们可以修改是清楚的。特别地,因 此对于本领域技术人员来说可以优选实现的多种性能的组合是良好限定的。
[0524] 化合物实施例
[0525] 具有高的垂直于指向矢的介电常数(ε±)和高的平均介电常数(eav.)的示例性的化 合物在以下化合物实施例中示例。
[0526] 化合物实施例1.1和1.2
[0527] 式1-1的化合物例如为
[0529]该化合物(CK-3-F)具有85°C的熔点,-8.4的Δ £和13.4的'.。
[0531] 该化合物(CK-5-F)具有 K74°CN(63.7°C)I 的相序列,-7.8的 Δε 和12.2的 eav.。
[0532] 化合物实施例2
[0533] 式1-2的化合物例如为
[0535] 该化合物(YG-20-F)具有69°C的熔点,仅+1.0的Λ ε,和已经13.4的eav.。
[0536] 化合物实施例3和4
[0537] 式1-3的化合物例如为
[0539]该化合物(B-20-05)具有57°C的熔点,-13 · 7的Δ ε和甚至17 · 9的eav·。
[0541 ]该化合物(B-40-05)具有类似优选的性质。
[0542] 化合物实施例5
[0543] 式1-4的化合物例如为
[0545] 该化合物(B-50-0T)具有64°C的熔点,仅_3.7的Δ ε和甚至18.6的£~。
[0546] 混合物实施例
[0547] 在以下公开了示例性的混合物。
[0548] 实施例1
[0549] 制备并且研究了以下混合物(Μ-1)。
[0551]
[0552] 该混合物,混合物M-1具有2.2的介电比(ε丄/Δ ε)并且特征在于在FFS显示器中非 常良好的透射率并且显示出非常短的响应时间。
[0553] 实施例2
[0554] 制备并且研究了以下混合物(M-2)。
[0556] 备注:t.b.d.:待测定。
[0557] 该混合物,混合物M-2具有1.7的介电比(ε丄/Δ ε)并且特征在于在FFS显示器中良 好的透射率并且显示出短的响应时间。
[0558] 实施例3
[0559]制备并且研究了以下混合物(M-3)。
[0561] 备注:t.b.d.:待测定。
[0562] 该混合物,混合物M-3具有1.7的介电比(ε丄/Δ ε)并且特征在于在FFS显示器中良 好的透射率并且显示出短的响应时间。
[0563] 实施例4
[0564] 制备并且研究了以下混合物(Μ-4)。
[0565]
[0566] 该混合物,混合物M-4具有1.5的介电比(ε丄/Δ 〇并且特征在于在FFS显示器中良 好的透射率并且显示出短的响应时间。
[0567] 实施例5
[0568] 制备并且研究了以下混合物(M-5)。
[0570]
[0571] 该混合物,混合物M-5具有1.8的介电比(ε丄/Δ ε)并且特征在于在FFS显示器中良 好的透射率并且显示出短的响应时间。
[0572] 实施例6
[0573] 制备并且研究了以下混合物(M-6)。
[0575] 该混合物,混合物M-6具有1.3的介电比(ε丄/Δ 〇并且特征在于在FFS显示器中良 好的透射率并且显示出短的响应时间。
[0576] 实施例7
[0577] 制备并且研究了以下混合物(Μ-7)。
[0578]
[0579] 备注:t.b.d.:待测定。
[0580] 该混合物,混合物M-7具有1.5的介电比(ε丄/Δ ε)并且特征在于在FFS显示器中良 好的透射率并且显示出短的响应时间。
[0581 ] 实施例8
[0582]制备并且研究了以下混合物(Μ-8)。
[0584]
[0585] 该混合物,混合物M-8具有2.1的介电比(ε丄/Δ 〇并且特征在于在FFS显示器中非 常良好的透射率并且显示出非常短的响应时间。
[0586] 实施例9
[0587] 制备并且研究了以下混合物(M-9)。
[0589] 备注:t.b.d.:待测定。
[0590] 该混合物,混合物M-9具有2.0的介电比(ε丄/Δ ε)并且特征在于在FFS显示器中良 好的透射率并且显示出非常短的响应时间。
[0591] 实施例10
[0592] 制备并且研究了以下混合物(M-10)。
[0594] 该混合物,混合物M-10具有1.5的介电比(ε丄/ Δ ε)并且特征在于在FFS显示器中良 好的透射率并且显示出短的响应时间。
【主权项】
1. 具有向列相和0.5或更大的介电各向异性(AO的液晶介质,特征在于其具有 -2或更大至8或更小的范围内的垂直于指向矢的介电常数(£丄)和同时1.0或更大的垂 直于指向矢的介电常数(£丄)与介电各向异性(Ae)之比,即(ei/Ae),或 -8或更大的垂直于指向矢的介电常数(£丄)和26或更小的介电各向异性(Ae)。2. 根据权利要求1的介质,特征在于其具有2或更大至小于8或更小范围内的垂直于指 向矢的介电常数(£丄)和同时1.0或更大的垂直于指向矢的介电常数(£丄)与介电各向异性 (Ae)之比,S 卩(e_L/Ae)。3. 根据权利要求1的介质,特征在于其具有8或更大的垂直于指向矢的介电常数(^)和 26或更小的介电各向异性(Ae)。4. 根据权利要求3的液晶介质,特征在于其具有1.0或更大的垂直于指向矢的介电常数 (£丄)与介电各向异性(AO之比,SP(e丄/AO。5. 根据权利要求1-4的至少一项的液晶介质,特征在于其具有20或更小的垂直于指向 矢(ei)的介电常数。6. 根据权利要求5的液晶介质,特征在于其包含一种或多种具有高的垂直于指向矢的 介电常数(£丄)和高的平均介电常数(eav.)的化合物。7. 根据权利要求1-6的至少一项的介质,特征在于其包含一种或多种具有高的垂直于 指向矢的介电常数(^)和高的平均介电常数(e av.)的化合物,其是式I的化合物,n表示0或1, R11和R12彼此独立地表示烷基、烷氧基、氟化的烷基或氟化的烷氧基,和R11可替代地表 示R1且R12可替代地表示X1, R1表示优选具有1-7个C原子的烷基、烷氧基、氟化的烷基或氟化的烷氧基,具有2-7个C 原子的烯基、烯基氧基、烷氧基烷基或氟化的烯基,和 X1表示F、C1、氟化的烷基、氟化的烯基、氟化的烷氧基或氟化的烯基氧基。8. 根据权利要求7的介质,特征在于在整个介质中式I的化合物的总浓度为1 %或更高 至60%或更低。9. 根据权利要求1-8的至少一项的介质,特征在于其额外地包含一种或多种手性化合 物。10. 电光显示器或电光组件,特征在于其包含根据权利要求1-9的至少一项的液晶介 质。11. 权利要求10的显示器,特征在于其基于IPS或FFS模式。12. 根据权利要求10或11的显示器,特征在于其包含有源矩阵寻址器件。13. 根据权利要求1-9的至少一项的介质在电光显示器或在电光组件中的用途。14. 根据权利要求10-12的至少一项的显示器,特征在于其是移动显示器。15. 制备根据权利要求1-9的一项或多项的液晶介质的方法,特征在于将一种或多种式 I的化合物与一种或多种额外的介晶化合物混合。
【文档编号】C09K19/46GK106047370SQ201610222430
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年4月12日 公开号201610222430.7, CN 106047370 A, CN 106047370A, CN 201610222430, CN-A-106047370, CN106047370 A, CN106047370A, CN201610222430, CN201610222430.7
【发明人】真边笃孝
【申请人】默克专利股份有限公司
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