飞行器头部屏蔽罩的制作方法

文档序号:10345158阅读:378来源:国知局
飞行器头部屏蔽罩的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电磁防护技术领域,具体涉及一种飞行器头部屏蔽罩。
【背景技术】
[0002]随着飞行器运行环境越来越复杂,以及在运行环境中各种雷达照射机、大功率电台的广泛使用,造成飞行器面临的电磁环境越来越复杂。以往定型的飞行器,很多产品只考虑了研制时的电磁环境,而没考虑未来可能面临的电磁环境,造成了以往的飞行器在现有的电磁环境下不适应性。
[0003]因此,如何提高飞行器抗电磁干扰能力成为了亟待解决的技术问题。
【实用新型内容】
[0004](一)要解决的技术问题
[0005]本实用新型要解决的技术问题是:如何提高飞行器抗电磁干扰能力,同时不影响飞行器正常的工作性能。
[0006](二)技术方案
[0007]为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种飞行器头部屏蔽罩,所述飞行器头部屏蔽罩本体材料为高分子材料,形状与飞行器头部相同,厚度为0.3mm?3mm,且均勾分布有多个预裂槽。
[0008]优选地,所述预裂槽以在飞行器头部屏蔽罩本体内壁凹陷40%厚度的方式形成,个数为4个或6个。
[0009]优选地,所述飞行器头部屏蔽罩本体外壁通过电镀实现导电。
[0010](三)有益效果
[0011]本实用新型通过设计了一种采用高分子材料作为本体材料的屏蔽罩提高了飞行器抗电磁干扰能力,且其内壁均匀分布有预裂槽,使得飞行器头部在发生撞击时,屏蔽罩能够迅速撞裂,不会影响飞行器正常的工作性能。进一步,通过在本体外壁进行电镀实现了导电功能。
【附图说明】
[0012]图1为本实用新型实施例的屏蔽罩安装在飞行器头部时的侧视图;
[0013]图2为本实用新型实施例的屏蔽罩的主视图;
[0014]图3为图1的Π部放大图;
[0015]图4为图1的m部放大图。
【具体实施方式】
[0016]为使本实用新型的目的、内容、和优点更加清楚,下面结合附图和实施例,对本实用新型的【具体实施方式】作进一步详细描述。
[0017]针对飞行器头部的屏蔽性能不足的缺陷,本实用新型开展了对飞行器电磁环境适应性研究,结果发现很多现象都是由于头部和舱体之间有缝隙,电磁干扰通过缝隙耦合到产品内部而导致的,基于此,开展了飞行器头部的电磁兼容加固研究,设计了飞行器头部屏蔽罩,作为一种屏蔽加固措施,同时该屏蔽加固措施不会影响飞行器正常的工作性能。
[0018]如图1、图2所示,本实用新型提供了一种飞行器头部屏蔽罩,所述飞行器头部屏蔽罩本体材料为高分子材料,通过注塑或机加工的方式形成,以保护飞行器头部免受电磁干扰环境的影响,屏蔽罩本体形状与飞行器头部相同,厚度为0.3_?3_,能够紧密地包裹飞行器头部以及飞行器头部与舱体的缝隙,且内壁均匀分布有多个预裂槽,使得飞行器头部在发生撞击时,屏蔽罩能够迅速撞裂,不会影响飞行器正常的工作性能。
[0019]所述预裂槽以在飞行器头部屏蔽罩本体内壁凹陷40%厚度的方式形成,个数为4个或6个,本实施例中为6个,如图2所示。
[0020]所述飞行器头部屏蔽罩本体外壁通过电镀实现导电。
[0021]可以看出,本实用新型通过设计了一种采用高分子材料作为本体材料的屏蔽罩提高了飞行器抗电磁干扰能力,且其内壁均匀分布有预裂槽,使得飞行器头部在发生撞击时,屏蔽罩能够迅速撞裂,不会影响飞行器正常的工作性能。进一步,通过在本体外壁进行电镀实现了导电功能。
[0022]以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,这些改进和变形也应视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种飞行器头部屏蔽罩,其特征在于,所述飞行器头部屏蔽罩本体材料为高分子材料,形状与飞行器头部相同,厚度为0.3_?3_,且内壁均匀分布有多个预裂槽(I)。2.如权利要求1所述的飞行器头部屏蔽罩,其特征在于,所述预裂槽(I)以在飞行器头部屏蔽罩本体内壁凹陷40 %厚度的方式形成,个数为4个或6个。3.如权利要求1或2所述的飞行器头部屏蔽罩,其特征在于,所述飞行器头部屏蔽罩本体外壁通过电镀实现导电。
【专利摘要】本实用新型涉及一种飞行器头部屏蔽罩,属于电磁防护技术领域。本实用新型通过设计了一种采用高分子材料作为本体材料的屏蔽罩提高了飞行器抗电磁干扰能力,且其内壁均匀分布有预裂槽,使得飞行器头部在发生撞击时,屏蔽罩能够迅速撞裂,不会影响飞行器正常的工作性能。进一步,通过在本体外壁进行电镀实现了导电功能。
【IPC分类】B64C7/00
【公开号】CN205256653
【申请号】CN201520891437
【发明人】王添文, 杨钊, 李子森, 刘强, 陶浪舟, 何小健
【申请人】中国兵器工业新技术推广研究所, 江南工业集团有限公司, 北京中北创新科技发展有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2015年11月10日
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