专利名称：一种抗强冲击存储装置的制作方法
技术领域：
本实用新型属于防减冲击的装置，具体地说是一种用于防止电子器件受强冲击的 存储装置。
背景技术：
目前，在电子设备和元器件的运输、存储包装上普遍使用衬垫泡沫材料或衬垫成 型的泡沫材料在包装箱内，避免和防止受冲击而损坏电子设备。对于特殊高灵敏、高精度的 电子设备要求运输的包装和存储装置具有抗强冲击能力，这些对于泡沫材料就不能最大限 度的缓冲，尤其是强冲击下泡沫材料很容易损坏，几乎没有缓冲的作用，而当遇到强冲击时 不能有效地保护存储装置里的电子设备和元器件。
发明内容本实用新型的目的是克服电子设备和元器件的运输、存储包装的现有技术的不 足，提供一种抗强冲击，并能有效缓冲起到保护作用的存储电子元器件的存储装置。本实用新型是这样实现的一种抗强冲击存储装置，包括壳体、用螺栓与壳体紧固在一起的上盖，壳体内的缓 冲层，其特征是所述的缓冲层分别设有上缓冲层、中缓冲层与下缓冲层，缓冲层的材料为 泡沫铝，上缓冲层、中缓冲层与下缓冲层为蜂窝结构；所述的中缓冲层与下缓冲层依据蜂窝 方向呈十字交叉排列。本实用新型的有益效果是具有抗强冲击，并能有效缓冲起到保护作用的存储电 子元器件，主要应用在高灵敏、高精度的电子设备要求运输的包装和存储装置。
图1是本实用新型的装配剖视图；图2是本实用新型的装配俯视图。
具体实施方式
如图1和图2所示，一种抗强冲击存储装置，包括下壳体7、用螺栓与壳体紧固在 一起的上盖1，壳体内的缓冲层，其特征是所述的缓冲层分别设有上缓冲层2、中缓冲层4 与下缓冲层6，缓冲层的材料为泡沫铝，上缓冲层2、中缓冲层与下缓冲层为蜂窝结构，所述 的中缓冲层与下缓冲层依据蜂窝方向呈十字交叉排列。本实用新型用于存储高灵敏、高精度的电子元器件，为大印制板3和小印制板5、 所述的小印制板5装在下缓冲层6的凹槽中，大印制板3装在上缓冲层2和中缓冲层4之 间；上缓冲层2、大印制板3、中缓冲层4、小印制板5、下缓冲层6分层都装入壳体7内后，通 过螺栓将上盖1与下壳体7紧固，印制板3、小印制板5被缓冲层压紧。本实用新型是采用了多层和多级缓冲，具体的缓冲形式为[0012]1.蜂窝结构先破坏，然后泡沫结构破坏，属二级缓冲；2.泡沫结构先破坏，然后蜂窝结构破坏，属二级缓冲；3.泡沫结构和蜂窝结构同时破坏。
权利要求一种抗强冲击存储装置，包括壳体(7)、用螺栓与壳体紧固在一起的上盖(1)，壳体内的缓冲层，其特征是所述的缓冲层分别设有上缓冲层(2)、中缓冲层(4)与下缓冲层(6)，缓冲层的材料为泡沫铝，上缓冲层、中缓冲层与下缓冲层为蜂窝结构；所述的中缓冲层与下缓冲层依据蜂窝方向呈十字交叉排列。
专利摘要本实用新型提供了一种抗强冲击存储装置，包括壳体、用螺栓与壳体紧固在一起的上盖，壳体内的缓冲层，其特点是所述的缓冲层分别设有上缓冲层、中缓冲层与下缓冲层，缓冲层的材料为泡沫铝，上缓冲层为泡沫结构，中缓冲层与下缓冲层为蜂窝结构；所述的中缓冲层与下缓冲层依据蜂窝方向呈十字交叉排列。本实用新型的有益效果是具有抗强冲击，并能有效缓冲起到保护作用的存储电子元器件，主要应用在高灵敏、高精度的电子设备要求运输的包装和存储装置。
文档编号B65D85/30GK201770196SQ201020292328
公开日2011年3月23日 申请日期2010年8月10日 优先权日2010年8月10日
发明者李贵生, 杨丽萍, 王建雄 申请人:太原市华洋吉禄电子控制技术有限公司