一种DMD倾斜扫描的3D打印装置及方法与流程

文档序号:16676808发布日期:2019-01-19 00:00阅读:398来源:国知局
一种DMD倾斜扫描的3D打印装置及方法与流程

本发明涉及3d打印领域,更具体地,涉及一种dmd倾斜扫描的3d打印装置及方法。



背景技术:

dlp(digitallightprocessing,数字光处理)技术于1993年由美国ti公司发明,dlp技术的核心是dmd芯片。基于dmd扫描的3d打印具有材料利用率高,成型速度快,无活动喷头,免去其他技术常见的阻塞和失准等优点。基于dmd扫描的3d打印大部分采用直接面曝光成型,直接面曝光操作简易,成型速度快,但受到dmd芯片的限制,无法在一次成型过程中打印大幅面积的期望成型的物体,无法在单个幅面重复打印多个期望成型的物体。例如,基于dmd扫描的3d打印机能够打印一个完好精细的戒指,而且速度很快。然而,如果需要一次打印许多精细的戒指,就需要提出新的打印方法,才能够在整个打印区域中保持一致的高分辨率。



技术实现要素:

本发明为解决现有技术中基于dmd扫描的3d打印无法在一次成型过程中打印大幅面积的期望成型的物体,无法在单个幅面重复打印多个期望成型的物体等问题,提供一种dmd倾斜扫描的3d打印装置及方法。

为解决上述技术问题,本发明的技术方案如下:

一种dmd倾斜扫描的3d打印装置,包括控制系统,dmd倾斜扫描系统和位移平台,其中,所述的dmd倾斜扫描系统固定于位移平台之上,dmd倾斜扫描系统、位移平台均由所述的控制系统控制。

进一步地,所述的控制系统包括计算机和三轴运动控制器,其中,所述的计算机的第一输出端连接dmd倾斜扫描系统;所述的计算机的第二输出端连接三轴运动控制器的输入端,三轴运动控制器的输出端连接位移平台。

进一步地,所述的dmd倾斜扫描系统包括光源、反光镜、dmd芯片和物镜组,其中,所述的光源、反光镜和dmd芯片构成反射回路;所述的光源发出的均匀光路经过反光镜反射到dmd芯片,再经过物镜组生成一组倾斜的倾斜点阵列,所述的倾斜点阵列投影到位移平台上。

进一步地,所述的物镜组包括第一物体平面、第一成像平面、微透镜和空间滤波器阵列、第二物体平面、点阵列、投影面、第一镜头和第二镜头,其中,所述的第一物体平面固定于dmd芯片的反射面;所述的第一镜头固定于微透镜和空间滤波器阵列的上端面之上;所述的第二镜头固定于微透镜和空间滤波器阵列的下端面之下;所述的微透镜和空间滤波器阵列的上端面固定有第一成像平面,微透镜和空间滤波器阵列的下端面固定有第二物体平面;所述的投影面固定于第二镜头的下方,投影面上固定有点阵列;经dmd芯片反射的光束依次经过第一物体平面、第一镜头、第一成像平面、微透镜和空间滤波器阵列、第二物体平面、第二镜头和点阵列,最终将生成的倾斜点阵列投影到投影面上。

进一步地,所述的位移平台包括液槽、刮板、工作台、工作箱、弹簧和升降台,其中,所述的液槽用于盛载光敏树脂材料;所述的工作箱、弹簧和升降台均位于液槽内,工作箱和升降台通过若干根弹簧连接;所述的工作台的上端面设置有刮板,工作台固定在液槽的开口处;所述的升降台连接xyz三轴控制系统;所述的点阵列投影到工作箱上。

进一步地,所述的位移平台还包括电源,所述的电源设置在三轴运动控制器上,用于控制弹簧的伸缩。

进一步地,所述的工作箱的材料采用轻型铁质;所述的工作箱的长宽小于液槽长宽的1/2,工作箱的高度加弹簧的极限压缩高度小于工作台高度,工作箱的高度加弹簧正常状态下的高度大于工作台的高度。

进一步地,所述的dmd倾斜扫描系统还包括光滤波器,所述的光滤波器设置在光源的前方,用于挑选出所需的波长。

一种dmd倾斜扫描的3d打印装置的打印方法,包括以下步骤:

s1:曝光准备阶段:计算机控制三轴运动控制器工作,升降台带动工作箱沿z轴下降一定高度,刮板在工作箱内匀涂一层光敏树脂材料,此时,电源通电,弹簧得电压缩,工作箱与工作台分离,工作箱暴露在光敏树脂材料中;

s2:倾斜点阵列形成阶段:计算机控制dmd芯片倾斜一个小角度,利用物镜组将经过dmd芯片反射的均匀光路转变成一组倾斜点阵列;

s3:扫描曝光阶段:计算机控制三轴运动控制器工作,此时电源断电,升降台断电,工作箱在弹簧回复力的作用下回到初始高度,扫描步骤s2中得到的倾斜点阵列,光敏树脂材料在工作箱与工作台形成的封闭空间内在xy面运动,倾斜点阵列上的亮点之间的重叠曝光产生线条或图案,并进行光固化,完成一层曝光面;

s4:重复步骤s1-s3,逐层完成曝光面,最终成型为期望物体。

进一步地,步骤s3相关参数包括:短轴点阵列像素数量n,长轴点阵列像素数量m,点阵列在平行与扫描方向的直线上相互重叠的重复量k,光斑尺寸dsp,光斑间距d,倾斜角度θ和最小水平分量x,其中,

所述的光斑尺寸dsp是微透镜和空间滤波器阵列的焦距与物镜组缩放倍数的乘积;

所述的光斑间距d是dmd芯片间距与物镜组缩放倍数的乘积;

所述的倾斜角度θ的计算公式如下:

所述的最小水平分量x的计算公式如下:

x=dsinθ

扫描正常方向上的点重叠率计算公式如下:

扫描方向上的点重合率计算公式如下:

其中,fr是dmd芯片帧频,vs是扫描速度。

进一步地,本发明所述的第一镜头的孔径,第二镜头的孔径随着期望成型物体的不同而变化。

进一步地,本发明所述的三轴运动控制器是市面上常见的运动控制器,能够实现升降台在x轴,y轴,z轴运动。

进一步地,本发明采用dmd倾斜扫描系统,将均匀光路转变成一组倾斜点阵列,倾斜点阵列上的亮点之间的重叠曝光能够产生线条或图案。

进一步地,本发明所述的物镜组中设置有微透镜和空间滤波器阵列,使投影的均匀光路变成理想的点阵列,提高期望成型物体的表面光滑程度。

进一步地,本发明采用扫描曝光成型,实现在一次成型过程中打印大幅面积的期望成型物体,大幅度提高重复打印效率;也可以在单个幅面重复打印多个期望成型物体,提高单幅打印面积。

进一步地,本发明中每一层曝光面均进行了光固化,减少由于固化不充分带来的二次固化。

与现有技术相比,本发明技术方案的有益效果是:(1)采用dmd倾斜扫描系统,将均匀光路转变成一组倾斜点阵列,倾斜点阵列上的亮点之间的重叠曝光能够产生线条或图案;(2)物镜组中设置有微透镜和空间滤波器阵列,使投影的均匀光路变成理想的点阵列,提高期望成型物体的表面光滑程度;(3)采用扫描曝光成型,实现在一次成型过程中打印大幅面积的期望成型物体,大幅度提高重复打印效率;也可以在单个幅面重复打印多个期望成型物体,提高单幅打印面积;(4)每一层曝光面均进行了光固化,减少由于固化不充分带来的二次固化。

附图说明

图1为本发明一实施例一种dmd倾斜扫描的3d打印装置的系统示意图;

图2为本发明一实施例dmd倾斜扫描系统示意图;

图3为本发明一实施例点阵列工作原理图;

图4为本发明一实施例工作箱匀涂状态示意图;

图5为本发明一实施例工作箱曝光状态示意图;

其中,1控制系统;2dmd倾斜扫描系统;3位移平台;4光滤波器;11计算机;12三轴运动控制系统;13电源;21光源;22反光镜;23dmd芯片;24物镜组;31液槽;32刮板;33工作台;34工作箱;35弹簧;36升降台;241第一物体平面;242第一成像平面;243微透镜和空间滤波器阵列;244第二物体平面;245点阵列;246投影面;247第一镜头;258第二镜头。

具体实施方式

附图仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制;

为了更好说明本实施例,附图某些部件会有省略、放大或缩小,并不代表实际产品的尺寸;

对于本领域技术人员来说,附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。

下面结合附图和实施例对本发明的技术方案做进一步的说明。

实施例1

如图1至图5所示,一种dmd倾斜扫描的3d打印装置,包括控制系统1,dmd倾斜扫描系统2和位移平台3,其中,所述的dmd倾斜扫描系统2固定于位移平台3之上,dmd倾斜扫描系统2、位移平台3均由所述的控制系统1控制。

具体地,本实施例的工作过程如下:

s1:控制系统1控制位移平台3做好曝光准备;

s2:控制系统1控制dmd倾斜扫描系统2将均匀光路转变成一组倾斜点阵列;

s3:控制系统1控制位移平台3扫描步骤s2中得到的倾斜点阵列,倾斜点阵列上的亮点之间的重叠曝光产生线条或图案,并进行光固化,完成一层曝光面;

s4:重复步骤s1-s3,逐层完成曝光面,最终成型为期望物体。

实施例2

本实施例在实施例1的基础上,所述的控制系统1包括计算机11和三轴运动控制器12,其中,所述的计算机11的第一输出端连接dmd倾斜扫描系统2;所述的计算机11的第二输出端连接三轴运动控制器12的输入端,三轴运动控制器12的输出端连接位移平台3。

具体地,本实施例的工作过程如下:

s1:曝光准备阶段:计算机11控制三轴运动控制器12工作,三轴运动控制器12控制位移平台3做好曝光准备;

s2:倾斜点阵列形成阶段:计算机11控制dmd倾斜扫描系统2将均匀光路转变成一组倾斜点阵列;

s3:扫描曝光阶段:计算机11控制三轴运动控制器12工作,三轴运动控制器12控制位移平台扫3描步骤s2中得到的倾斜点阵列,倾斜点阵列上的亮点之间的重叠曝光产生线条或图案,并进行光固化,完成一层曝光面;

s4:重复步骤s1-s3,逐层完成曝光面,最终成型为期望物体。

实施例3

本实施例在实施例2的基础上,所述的dmd倾斜扫描系统2包括光源21、反光镜22、dmd芯片23和物镜组24,其中,所述的光源21、反光镜22和dmd芯片23构成反射回路;所述的光源21发出的均匀光路经过反光镜22反射到dmd芯片23,再经过物镜组24生成一组倾斜的倾斜点阵列,所述的倾斜点阵列投影到位移平台3上。

具体地,所述的物镜组24包括第一物体平面241、第一成像平面242、微透镜和空间滤波器阵列243、第二物体平面244、点阵列245、投影面246、第一镜头247和第二镜头248,其中,所述的第一物体平面241固定于dmd芯片23的反射面;所述的第一镜头247固定于微透镜和空间滤波器阵列243的上端面之上;所述的第二镜头248固定于微透镜和空间滤波器阵列243的下端面之下;所述的微透镜和空间滤波器阵列243的上端面固定有第一成像平面242,微透镜和空间滤波器阵列243的下端面固定有第二物体平面244;所述的投影面246固定于第二镜头248的下方,投影面246上固定有点阵列245;经dmd芯片23反射的光束依次经过第一物体平面241、第一镜头247、第一成像平面242、微透镜和空间滤波器阵列243、第二物体平面244、第二镜头248和点阵列245,最终将生成的倾斜点阵列投影到投影面246上。

具体地,所述的位移平台3包括液槽31、刮板32、工作台33、工作箱34、弹簧35和升降台36,其中,所述的液槽31用于盛载光敏树脂材料;所述的工作箱34、弹簧35和升降台36均位于液槽内,工作箱34和升降台36通过三根弹簧35连接;所述的工作台34的上端面设置有刮板32,工作台33固定在液槽31的开口处;所述的升降台36连接xyz三轴控制系统12;所述的倾斜点阵列投影到工作箱34上。

具体地,所述的位移平台3还包括电源13,所述的电源13设置在三轴运动控制系统12上,用于控制弹簧35的伸缩。

具体地,所述的工作箱34的材料采用轻型铁质;所述的工作箱34的长宽小于液槽31长宽的1/2,工作箱34的高度加弹簧35的极限压缩高度小于工作台33的高度,工作箱34的高度加弹簧35正常状态下的高度大于工作台33的高度。

具体地,所述的dmd倾斜扫描系统还包括光滤波器4,所述的光滤波器4设置在光源13的前方,用于挑选出所需的波长。

具体地,本实施例的工作过程如下:

s1:曝光准备阶段:计算机11控制三轴运动控制器12工作,升降台36带动工作箱34沿z轴下降一定高度,刮板32在工作箱34内匀涂一层光敏树脂材料,此时,电源13通电,弹簧35得电压缩,工作箱34与工作台33分离,工作箱34暴露在光敏树脂材料中;

s2:倾斜点阵列形成阶段:计算机11控制dmd芯片23倾斜一个小角度,利用物镜组24将经过dmd芯片23反射的均匀光路转变成一组倾斜点阵列;

s3:扫描曝光阶段:计算机11控制三轴运动控制器12工作,此时电源13断电,升降台36断电,工作箱34在弹簧35回复力的作用下回到初始高度,扫描步骤s2中得到的倾斜点阵列,光敏树脂材料在工作箱34与工作台33形成的封闭空间内在xy面运动,倾斜点阵列上的亮点之间的重叠曝光产生线条或图案,并进行光固化,完成一层曝光面;

s4:重复步骤s1-s3,逐层完成曝光面,最终成型为期望物体。

具体地,步骤s3相关参数包括:短轴点阵列像素数量n,长轴点阵列像素数量m,点阵列在平行与扫描方向的直线上相互重叠的重复量k,光斑尺寸dsp,光斑间距d,倾斜角度θ和最小水平分量x,其中,

所述的光斑尺寸dsp是微透镜和空间滤波器阵列的焦距与物镜组缩放倍数的乘积;

所述的光斑间距d是dmd芯片间距与物镜组缩放倍数的乘积;

所述的倾斜角度θ的计算公式如下:

所述的最小水平分量x的计算公式如下:

x=dsinθ

扫描正常方向上的点重叠率计算公式如下:

扫描方向上的点重合率计算公式如下:

其中,fr是dmd芯片帧频,vs是扫描速度。

具体地,本发明所述的第一镜头的孔径,第二镜头的孔径随着期望成型物体的不同而变化。

具体地,本发明所述的三轴运动控制器12是市面上常见的运动控制器,能够实现升降台在x轴,y轴,z轴运动。

具体地,本实施例中采用dmd倾斜扫描系统2,将均匀光路转变成一组倾斜点阵列,倾斜点阵列上的亮点之间的重叠曝光能够产生线条或图案。

具体地,本实施例所述的物镜组24中设置有微透镜和空间滤波器阵列243,使投影的均匀光路变成理想的点阵列,提高期望成型物体的表面光滑程度。

具体地,本实施例采用扫描曝光成型,实现在一次成型过程中打印大幅面积的期望成型物体,大幅度提高重复打印效率;也可以在单个幅面重复打印多个期望成型物体,提高单幅打印面积。

具体地,本实施例中每层曝光面都进行光固化,减少由于固化不充分而带来的二次固化。

相同或相似的标号对应相同或相似的部件;

附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制;

显然,本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。

当前第1页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1