一种柔性硅胶基γ屏蔽复合材料卷式薄膜的制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及核辐射屏蔽材料的制备技术领域，尤其涉及一种柔性硅胶基γ屏蔽 复合材料卷式薄膜的制备方法。
【背景技术】
[0002] 随着经济的飞速发展，核技术已经国防军事、医疗诊断、工业生产等领域发挥着越 来越大的作用。但由于核辐射的存在，也给人们也带来了一定的危害，为此需要进行屏蔽材 料的研发，保障从业人员的人身健康。
[0003] 硅橡胶作一种线性高分子材料，柔顺性好，经过硫化后具有优异的热稳定性、耐候 性、抗撕裂强度、优良的散热性及粘结性等，适合作为基体材料研发新型柔性屏蔽材料。
[0004] -般对于柔性的橡胶基屏蔽材料的传统加工方式可大体分为三种，即热压成型、 注塑成型以及热空气加硫。而制取片状薄膜材料时则主要采用热压成型及热空气加硫的方 式进行，存在的缺陷主要在于：热压成型方式生产速度慢，且无法连续生产。因此，有必要开 发一种能够快速成型且能连续生产的卷式柔性屏蔽材料薄膜的生产工艺，促进新型柔性材 屏蔽材料扩大化应用。
【发明内容】
[0005] 针对上述存在的问题，本发明目的在于提供一种步骤简单、实用范围广、具有一定 的抗静电性能的柔性硅橡胶基γ屏蔽材料卷式薄膜的生产制备工艺。
[0006] 为了达到上述目的，本发明采用的技术方案如下：一种柔性硅胶基γ屏蔽复合材 料卷式薄膜的制备方法，所述的制备方法以高温硫化型娃橡胶与γ屏蔽功能填料原料，以 铂金硫化剂为助剂在开炼机进行塑炼，通过阳离子抗静电剂进行预处理，将预处理后的材 料送入压延装置与聚酯膜进行压延得到复合薄膜，经恒温隧道式烘箱常压硫化、收卷，得到 柔性硅胶基γ屏蔽复合材料卷式薄膜；其详细的生产步骤如下： 1) 混炼：将高温硫化橡胶在开炼机上进行塑炼，时间为5~lOmin，温度为30~40°C . 接着加入铂金硫化剂B组分塑炼10~15min，再加入铂金硫化剂A组分继续塑炼10~ 15min，最后加入γ屏蔽功能填料，温度维持在105~115°C，混炼时间为20~30min，得到 柔性硅橡胶基屏蔽材料薄膜； 2) 预处理：在涂布机上用无色透明状的阳离子抗静电剂对聚酯膜和步骤1)中的柔性 硅橡胶基屏蔽材料薄膜的接触面分别进行涂覆操作，涂覆厚度为30~50 u m，得到预处理 后的柔性硅橡胶基屏蔽材料薄膜混合物和预处理后的聚酯膜； 3) 压延制膜：将步骤2)所得预处理后的柔性硅橡胶基屏蔽材料薄膜混合物送入押出 机除泡，再与步骤2)中预处理后的聚酯膜一起送入压延机进行压延得到硅橡胶基屏蔽材料 聚酯复合膜，压延时温度控制在60~80°C ; 4) 硫化：将步骤3)所得硅橡胶基屏蔽材料聚酯复合膜送入恒温隧道式烘箱中，进行 常压硫化，控制硫化温度150~170°C，并控制其在恒温隧道式烘箱内的停留时间为8~ 15min ； 5)收卷：将步骤4)中得到的柔性硅橡胶基屏蔽材料薄膜经过收卷操作，得到硅橡胶基 屏蔽材料薄膜。
[0007] 本发明所述的步骤2)中的无色透明状的阳离子抗静电剂中各组分的重量份数如 下：聚氯二羟乙基-2羟丙基氯化铵20~40份、丙烯酸丁酯1. 5~5份、苯乙烯1. 5~5份、 过氧化碳酸酯〇. 6~1. 5份、无水乙醇50~70份、过氧化二烷烃引发剂0. 5份。
[0008] 本发明所述无色透明状的阳离子抗静电剂的生产方法如下：将阳离子抗静电剂配 方中的各组分在75°C条件下，搅拌反应8h，逐渐降温得到无色透明粘稠状胶液。
[0009] 本发明所述的铂金硫化剂A组分主要为氯铂酸与硅氧烷的络合物，铂金硫化剂B 组分主要为延迟剂与含氢硅氧烷交联剂的混合物。
[0010] 本发明所述的聚酯膜的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯。
[0011] 本发明所述步骤4)的收卷操作之前，需要将步骤3)得到的柔性硅橡胶基屏蔽材 料聚酯复合膜的聚酯膜层撕下，得到柔性硅橡胶基屏蔽材料薄膜继续进行收卷操作。
[0012] 本发明的优点在于：本发明所得柔性硅橡胶基屏蔽材料卷式薄膜的生产工艺，只 需一次开放式加硫，硫化速度可控，且可连续生产出膜，再经恒温隧道式烘箱硫化即可生产 出厚度和幅宽均一的卷式硅橡胶薄膜；工艺生产的步骤少，操作简单方便，提高企业的生产 效率的同时降低的了企业的生产成本；另外本发明生产制备工艺经过简单的调整就可根据 实际需要生产不同规格的具有抗静电的柔性硅橡胶基卷式薄膜，可满足高精密电子仪器对 柔性屏蔽材料的抗静电性能的要求。
【具体实施方式】
[0013] 下面结合【具体实施方式】对本发明作进一步详细的描述。
[0014] 实施例1:一种柔性硅胶基γ屏蔽复合材料卷式薄膜的制备方法： 1)混炼：先将100g的高温硫化橡胶在开炼机上进行塑炼，5分钟后，加入I. 5g铂金硫 化剂B组分塑炼10分钟，再加入0. 5g铂金硫化剂A组分继续塑炼10分钟，最后将改性的 400g γ屏蔽功能填料混炼进材料，调节温度为105°C，混炼20分钟。
[0015] 2)预处理：对聚对苯二甲酸乙二醇酯膜与柔性硅橡胶基相结合的表面涂覆粘性的 阳离子型抗静电剂且厚度为30 u m，其中，所述抗静电剂由聚氯二羟乙基-2羟丙基氯化铵 20%、丙烯酸丁酯1. 5%、苯乙烯1. 5%、过氧化碳酸酯1. 5%、无水乙醇75%，以及0. 5%的过氧化 二烷烃引发剂，在75°C条件下，搅拌反应8h，逐渐降温得到无色透明粘稠状胶液。
[0016] 3)压延成膜：将步骤（1)所得新型硅橡胶基屏蔽材料混合物送入押出机除泡，再 与聚酯膜一起送入压延机进行压延得到硅橡胶基屏蔽材料聚酯复合膜，压延时温度控制在 60。。。
[0017] 4)硫化：将步骤（2)所得硅橡胶基屏蔽材料聚酯复合膜送入恒温隧道式烘箱中， 进行常压硫化，且同时对聚酯膜与柔性硅橡胶基屏蔽材料薄膜之间的抗静电剂进行固化， 恒温隧道式烘箱温度设置为150°C，并控制所述柔性硅橡胶基屏蔽材料聚酯复合膜停留在 烘箱内的时间为8分钟。
[0018] 硫化后，撕下柔性硅橡胶基屏蔽材料复合膜表面的聚酯膜层。
[0019] 5)收卷得到所述柔性硅橡胶基屏蔽材料薄膜。
[0020] 以上制得的柔性硅橡胶基屏蔽材料卷式薄膜的表面电阻率为3. I X IO9 Ω · cm，有 一定的抗静电性能，可以用于精密辐射探测仪器的防尘污染。
[0021] 实施例2:-种柔性硅胶基γ屏蔽复合材料卷式薄膜的制备方法： 1)混炼：先将100g的高温硫化橡胶在开炼机上进行塑炼，8分钟后，加入I. 5g铂金硫 化剂B组分塑炼12分钟，再加入0. 5g铂金硫化剂A组分继续塑炼12分钟，最后将改性的 400g γ屏蔽功能填料混炼进材料，调节温度为IKTC，混炼25分钟。
[0022] 2)预处理：对聚对苯二甲酸乙二醇酯膜与柔性硅橡胶基相结合的表面涂覆粘性的 阳离子型抗静电剂且厚度为40 u m，其中，所述抗静电剂由聚氯二羟乙基-2羟丙基氯化铵 30%、丙烯酸丁酯3%、苯乙烯3%、过氧化碳酸酯1%、无水乙醇62. 5%，以及0. 5%过氧化二烷烃 引发剂，在75°C条件下，搅拌反应8h，逐渐降温得到无色透明粘稠状胶液。
[0023] 3)压延成膜：将步骤（1)所得新型硅橡胶基屏蔽材料混合物送入押出机除泡，再 与聚酯膜一起送入压延机进行压延得到硅橡胶基屏蔽材料聚酯复合膜，压延时温度控制在 70。。。
[0024] 4)硫化：将步骤（2)所得硅橡胶基屏蔽材料聚酯复合膜送入恒温隧道式烘箱中， 进行常压硫化，且同时对聚酯膜与柔性硅橡胶基屏蔽材料薄膜之间的抗静电剂进行固化， 恒温隧道式烘箱温度设置为170°C，并控制所述柔性硅橡胶基屏蔽材料聚酯复合膜停留在 烘箱内的时间为12分钟。