成型模具及低密合性材料的制作方法
【专利摘要】本发明的成型模具是成型成型品时所使用的成型模具，其包括：金属制的基材(10)；陶瓷层(20)，该陶瓷层设置在基材(10)之上，包含氧化钇、氮及4A族元素的阳离子，用于与成型品接触。上述成型模具还可以包括介于基材(10)和陶瓷层(20)之间的中间层(30)。中间层(30)具有硬度高于基材(10)的硬度并且韧性大于陶瓷层(20)的韧性的部分。上述成型模具在模具表面被清洁后接着用于成型成型品。
【专利说明】
成型模具及低密合性材料
技术领域
[0001]本发明涉及一种成型成型品时所使用的成型模具及低密合性材料。
【背景技术】
[0002]专利文献1(日本特开2011-79261号公报)公开了在由陶瓷形成的基材(5)的表面(8)形成有脱模层(4)的成型模具。
【发明内容】
[0003]发明要解决的问题
[0004]专利文献I中记载的脱模层(4)的脱模性、低密合性及防污性优异。另外，专利文献I中使用了由陶瓷形成的基材，这样的话，会存在难以对基材进行机械加工、难以对基材进行处理(容易产生裂纹、缺口)等问题。在本申请文件中，“防污性”是指，防止污物附着的性质和附着的污物容易脱落(被去除)的性质这两个性质。针对某物质表现出低密合性的材料被认为具有针对该物质的防污性。基于此，在本申请文件中适当地使用“防污性”和“低密合性”这两个词汇。
[0005]本发明是鉴于上述的问题而提出的。本发明的第一目的在于，提供一种脱模性及低密合性优异且不易产生裂纹、缺口的成型模具。本发明第二目的在于，提供一种低密合性优异且不易产生裂纹、缺口的低密合性材料。
[0006]用于解决问题的方案
[0007]本发明的成型模具为成型成型品时所使用的成型模具，其特征在于，包括:金属制的基材；以及陶瓷层，该陶瓷层设置在基材之上，包含氧化钇、氮及4A族元素的阳离子，用于与成型品接触，该成型模具在模具表面被清洁后接着用于成型成型品。
[0008]在上述的成型模具中，本发明的成型模具的特征在于，还包括介于基材和陶瓷层之间的粘合层。
[0009]本发明的成型模具是成型成型品时所使用的成型模具，其特征在于，包括:金属制的基材;陶瓷层，该陶瓷层包含氧化钇、氮及4A族元素的阳离子，用于与成型品接触；以及中间层，该中间层介于基材和陶瓷层之间，该成型模具在模具表面被清洁后接着用于成型成型品。
[0010]在上述的成型模具中，本发明的成型模具的特征在于，还包括介于基材和中间层之间的粘合层。
[0011]在上述的成型模具中，本发明的成型模具的特征在于，还包括介于中间层和陶瓷层之间的粘合层。
[0012]在上述的成型模具中，本发明的成型模具的特征在于，中间层以单层形成。
[0013]在上述的成型模具中，本发明的成型模具的特征在于，中间层以多层形成。
[0014]在上述的成型模具中，本发明的成型模具的特征在于，中间层以多层形成，使粘合层介于多个中间层中的至少两个中间层之间。
[0015]在上述的成型模具中，本发明的成型模具的特征在于，粘合层以单层形成。
[0016]在上述的成型模具中，本发明的成型模具的特征在于，粘合层以多层形成。
[0017]在上述的成型模具中，本发明的成型模具的特征在于，中间层具有硬度高于基材的硬度并且韧性大于陶瓷层的韧性的部分。
[0018]在上述的成型模具中，本发明的成型模具的特征在于，中间层至少在靠陶瓷层侧的表面部分的硬度高于基材的硬度。
[0019]在上述的成型模具中，本发明的成型模具的特征在于，中间层包括缓冲层，该缓冲层构的硬度随着从基材侧朝向陶瓷层侧去而变高。
[0020]在上述的成型模具中，本发明的成型模具的特征在于，中间层包括通过变更中间层的组成而使硬度连续变化的缓冲层。
[0021]在上述的成型模具中，本发明的成型模具的特征在于，中间层包括由M-A系(M为钛、铬、镍、锆、铝或硅，A为氮、碳或氧)的氮化物、碳化物、氧化物形成的部分。
[0022]在上述的成型模具中，本发明的成型模具的特征在于，粘合层包括由钛、铬、镍、锆、钇、铝、硅的单体或它们的混合物形成的部分，或者，包括由单体的氧化物或含有多个单体的氧化物形成的部分。
[0023]本发明的低密合性材料是针对成型成型品时所使用的树脂具有低密合性的低密合性材料，其特征在于，包括:金属制的基材；以及陶瓷层，该陶瓷层设置在基材之上，包含氧化钇、氮及4A族元素的阳离子，用于与树脂接触。
[0024]在上述的低密合性材料中，本发明的低密合性材料的特征在于，还包括介于基材和中间层之间的粘合层。
[0025]本发明的低密合性材料是针对成型成型品时所使用的树脂具有低密合性的低密合性材料，其特征在于，包括:金属制的基材;陶瓷层，该陶瓷层包含氧化钇、氮及4A族元素的阳离子，用于与树脂接触；以及中间层，该中间层介于基材和陶瓷层之间。
[0026]在上述的低密合性材料中，本发明的低密合性材料的特征在于，还包括介于基材和中间层之间的粘合层。
[0027]在上述的低密合性材料中，本发明的低密合性材料的特征在于，还包括介于中间层和陶瓷层之间的粘合层。
[0028]在上述的低密合性材料中，本发明的低密合性材料的特征在于，中间层以单层形成。
[0029]在上述的低密合性材料中，本发明的低密合性材料的特征在于，中间层以多层形成。
[0030]在上述的低密合性材料中，本发明的低密合性材料的特征在于，中间层以多层形成，使粘合层介于多个中间层中的至少两个中间层之间。
[0031]在上述的低密合性材料中，本发明的低密合性材料的特征在于，粘合层以单层形成。
[0032]在上述的低密合性材料中，本发明的低密合性材料的特征在于，粘合层以多层形成。
[0033]在上述的低密合性材料中，本发明的低密合性材料的特征在于，中间层具有硬度高于基材的硬度并且韧性大于陶瓷层的韧性的部分。
[0034]在上述的低密合性材料中，本发明的低密合性材料的特征在于，中间层至少在靠陶瓷层侧的表面部分的硬度高于基材的硬度。
[0035]在上述的低密合性材料中，本发明的低密合性材料的特征在于，中间层包括缓冲层，该缓冲层的硬度随着从基材侧朝向陶瓷层侧去而变高。
[0036]在上述的低密合性材料中，本发明的低密合性材料的特征在于，中间层包括通过变更中间层的组成而使硬度连续变化的缓冲层。
[0037]在上述的低密合性材料中，本发明的低密合性材料的特征在于，中间层包括由M-A系(M为钛、铬、镍、锆、铝或硅，A为氮、碳或氧)的氮化物、碳化物、氧化物形成的部分。
[0038]在上述的低密合性材料中，本发明的低密合性材料的特征在于，粘合层包括由钛、铬、镍、锆、钇、铝、硅的单体或它们的混合物形成的部分，或者，包括由单体的氧化物或含有多个单体的氧化物形成的部分。
[0039]此外，本申请说明书中提及的“硬度”的意思是指:使用株式会社岛津制作所制的“超显微动态硬度计”(型号:DUH-211S)，在“压头:三角锥压头(Berkovich type，棱间角度为115。)，从表面压入深度:0.Ιμπι，负荷速度:设定值80(0.8758mN/sec)，负荷保持时间:15sec”这样的测量条件下所测得的硬度。
[0040]发明的效果
[0041]根据本发明，能够提供脱模性及低密合性优异且不易产生裂纹、缺口的成型模具和低密合性优异且不易产生裂纹、缺口的低密合性材料。
[0042]从能基于附图被理解的以下对本发明的详细说明，明确本发明的上述目的以及其他目的、特征、方案、优点。
【附图说明】
[0043]图1是表示本发明的一实施方式的成型模具的剖面的图。
[0044]图2是表示本发明的其他实施方式的成型模具的剖面的图。
[0045]图3是更详细地表示中间层的构造的一例的剖面图。
[0046]图4是更详细地表示中间层的构造的其他例的剖面图。
[0047]图5是更详细地表示中间层的构造的其他例的剖面图。
[0048]图6是表示对本发明一实施例的成型模具和比较例的成型模具评价脱模性后所得到的实验结果的图。
[0049]图7是表示使用本发明的一实施例的成型模具进行规定次数的成型动作后的该成型模具的底面的照片。
[0050]图8是表示使用比较例的成型模具进行规定次数的成型动作后的该成型模具的底面的照片。
[0051]图9A是本发明的一实施例的成型模具和比较例的成型模具在成型前的底面的照片，图9B是表示使用本发明的一实施例的成型模具进行规定次数的成型动作后的该成型模具的底面的照片以及使用比较例的成型模具进行规定次数的成型动作后的该成型模具的底面的照片。
[0052]图1OA是表示利用本发明的一实施例的成型模具和比较例的成型模具并且使用四种树脂对粘合力进行评价后所得到的实验结果的图，图1OB是表示利用本发明的一实施例的成型模具和比较例的成型模具并且使用与上述相同的树脂对连续粘合次数和粘合力之间的关系进行评价后所得到的实验结果的图。
[0053]附图标记说明
[0054]10金属基材，20陶瓷层，30中间层，31、31A、31B缓冲层，32A、32B、32C、32D粘合层。
【具体实施方式】
[0055]以下，对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是，有时会对同样或相当的部分标注同样的附图标记，不反复说明该部分。
[0056]需要说明的是，以下说明的实施方式中提及到个数、量等时，除了有特殊记载的情况之外，本发明的范围不限定于该个数、量等。另外，以下实施方式中的各构成要素，除了有特殊记载的情况之外，对本发明而言并不是必须的。
[0057]首先，大致说明本发明的实施方式。
[0058]本发明的一实施方式是成型成型品时所使用的成型模具，其包括:金属制的基材；以及陶瓷层，该陶瓷层设置在上述基材之上，包含氧化钇、氮及4A族元素的阳离子，用于与上述成型品接触。可以在上述基材和上述陶瓷层之间设置粘合层。
[0059]另外，本发明的一方式是成型成型品时所使用的成型模具，其包括:金属制的基材；以及陶瓷层，该陶瓷层包含氧化钇、氮及4A族元素的阳离子，用于与上述成型品接触，该成型模具还具有介于上述基材和上述陶瓷层之间的中间层。另外，也可以使粘合层介于上述基材和中间层之间。而且，还可以使粘合层介于上述中间层和上述陶瓷层之间。
[0060]此外，也可以是，在以多层形成上述中间层时，使粘合层介于上述多个中间层中的至少两个中间层之间。
[0061 ]而且，也可以是，以单层或多层形成上述粘合层。
[0062]另外，在上述成型模具中，上述中间层具有硬度高于上述基材的硬度并且韧性大于上述陶瓷层的韧性的部分。另外，上述中间层至少在靠上述陶瓷层侧的表面部分的硬度高于上述基材的硬度。
[0063]另外，也可以是，在上述成型模具中，上述中间层包括缓冲层，例如，上述缓冲层的其硬度随着从上述基材侧朝向上述陶瓷层侧去而变高。
[0064]另外，也可以是，在上述成型模具中，构成为上述中间层包括粘合层。
[0065]另外，可以设置多个缓冲层，可以使单层或多层的粘合层介于至少两个缓冲层之间。
[0066]此外，有时上述粘合层发挥缓冲层的作用。
[0067]另外，例如，有时难以用单层的粘合层将中间层(缓冲层)和陶瓷层接合起来。此时，可以使多层的粘合层(例如，配置三层时，从陶瓷层侧起被设为第一粘合层、第二粘合层、第三粘合层)介于中间层(缓冲层)和陶瓷层之间而逐步地将中间层和陶瓷层接合起来(参照图5)。
[0068]S卩，能够利用容易与陶瓷层粘合的物质形成同陶瓷层接触的第一粘合层，并且，利用容易与中间层(缓冲层)粘合的物质形成同中间层(缓冲层)接触的其他粘合层(相当于上述第三粘合层)。即，能够根据需要，将粘合层做成多层构造。
[0069]此外，在将上述多层的粘合层设为三层时，能够利用第二粘合层将上述第一粘合层和上述第三粘合层接合起来，该第二粘合层由容易与上述第一粘合层和第三粘合层粘合的物质形成。
[0070]总而言之，上述中间层实质上是缓冲层，上述中间层(缓冲层)能够借助粘合层与其他层接合(对中间层外加粘合层)。
[0071]另外，如图中实例所示，上述中间层能够由缓冲层和粘合层构成，上述中间层成为包括上述粘合层的中间层(在中间层内附加粘合层)。
[0072]因此，对于本发明的中间层而言，能够将粘合层以外在的方式或内在的方式附加于实质上成为中间层的缓冲层。
[0073 ]此外，本发明的中间层可以仅为缓冲层，也可以仅为粘合层。
[0074]另外，有时缓冲层具有粘合作用，有时粘合层具有缓冲作用。
[0075]另外，说明上述的中间层(缓冲层或粘合层)的缓冲层作用。上述陶瓷层为薄层，相对于上述金属制的基材而言硬度大且韧性小。设置中间层作为缓和该两者的硬度之差及韧性之差的层。
[0076]以下，利用附图进行具体说明。
[0077]图1是表示本实施方式的成型模具的剖面的图。本实施方式的成型模具用于成型树脂成型品等，如图1所示，该成型模具包括金属基材10和陶瓷层20，该陶瓷层20设置在金属基材10之上，用于与成型品接触。
[0078]金属基材1可以由铁系材料(例如，不锈钢、碳钢、合金钢、合金工具钢、高速钢、预硬钢等)构成，也可以由非铁系的材料(铜系、铝系、超硬合金系等)构成。由此，能够制造加工性优异且不易产生裂纹、缺口的金属基材10。
[0079]陶瓷层20包含氧化钇、氮及4A族元素的阳离子。由此，提供脱模性和低密合性优异的成型模具。也可以是，金属基材10和陶瓷层20借助未图示的粘合层进行接合。
[0080]金属基材10可以通过切削加工、放电加工等现有的金属加工法来形成。陶瓷层例如可以由溅射法、离子镀法等物理蒸镀法(PVD)来形成。
[0081 ]在图1的例子中，陶瓷层20的厚度为0.Ιμπι?5μπι左右。金属基材10和陶瓷层20之间的粘合层的厚度为0.ΟΙμ???Ιμ??左右。
[0082]图2是表示其他实施方式的成型模具的剖面的图。在图2所示的实施方式中，成型模具还具备介于基材10和陶瓷层20之间的中间层30。中间层30具有硬度高于金属基材10的硬度并且韧性大于陶瓷层20的韧性的部分。由此，能够抑制陶瓷层20破裂、抑制陶瓷层20从金属基材10剥离。
[0083]在图2的例子中，中间层30的厚度为0.2μπι?5μπι左右。陶瓷层20的厚度与图1的例子同样，为0.1ym?5μηι左右。
[0084]接着，利用图3至图5更详细地说明中间层30的构造。在图3的例子中，中间层30具有缓冲层31Α、31Β和粘合层32Α、32Β，在图4的例子中，中间层30具有缓冲层31和粘合层32Α、32Β，在图5的例子中，中间层30具有缓冲层31Α、31Β和粘合层32Α?32D。
[0085]S卩，缓冲层既可以如图3、图5所示那样由多层构成，也可以如图4所示那样由单层构成。对于粘合层而言，既可以如图3、图4所示那样在缓冲层的两侧均由单层构成，也可以如图5所示那样在缓冲层的一侧由多层构成，且在另一侧由单层构成，还可以在缓冲层的两侧均由多层构成。
[0086]此外，在图5的中间层30中，也可以在实质上成为中间层的缓冲层31A、31B之间设置由单层或多层构成的粘合层。另外，在上述缓冲层(实质上的中间层)设置用于与其他层粘合的粘合层时，上述中间层成为包括粘合层的中间层。
[0087]另外，在图4中，能够将缓冲层31和金属基材10直接接合起来。而且，在图4中，能够将缓冲层31和陶瓷层20直接接合起来。
[0088]缓冲层和粘合层例如均能够通过溅射法、离子镀法等物理蒸镀法(PVD)来形成。
[0089]优选的是，缓冲层的硬度随着从硬度较低的金属基材10侧朝向硬度较高的陶瓷层20侧去而变高。例如，对于如图3、图5那样为层叠构造的缓冲层31A、31B而言，通过使金属基材10侧的缓冲层31A的硬度低于陶瓷层20侧的缓冲层31B的硬度，从而能够使硬度逐步变化。另外，对于如图4所示那样为单层构造的缓冲层31而言，能够通过变更缓冲层的厚度方向上的组成(例如随着靠近金属基材10而降低氮浓度)，来使硬度连续变化。
[0090]缓冲层例如由M-A系(M为钛、铬、镍、锆、铝或硅，A为氮、碳或氧。)的氮化物、碳化物、氧化物构成。
[0091 ]粘合层例如包括钛、络、镍、错、m娃的单体或它们的混合物，或者包括上述单体的氧化物或含有多个上述单体的氧化物。
[0092]构成缓冲层的材料及构成粘合层的材料是可以适当选择并组合的。此外，缓冲层的厚度(总计)为0.2μηι?5μηι左右。
[0093]接着，利用图6对本发明的实施例对脱模性的提高进行说明。图6示出了通过如下方式所得到的实验结果，即:使本发明的一实施例的成型模具和比较例的成型模具(在金属基材实施镀硬质铬所得到的模具)进行规定次数的成型动作，每次都测量脱模力，从而评价脱模性。包括后述的实验在内，在实验中使用的树脂为热固性树脂(具体而言，是环氧树脂)。
[0094]参照图6可知，与比较例的成型模具相比，采用本发明的实施例的成型模具，能够降低脱模力，能够利用陶瓷层20做成脱模性优异的成型模具。
[0095]接着，利用图7、图8，对本发明的实施例对低密合性的提高进行说明。图7、图8分别是表示使用本发明的实施例的成型模具和比较例的成型模具进行规定次数(图7中为1000次，图8中为300次)的成型动作后的该成型模具的底面的照片。
[0096]参照图7、图8，本发明的实施例的成型模具(图7)进行1000次的成型动作后仍并没有出现显眼的污物，但是比较例的成型模具(图8)进行300次的成型动作后，在A部中出现了树脂粘着，在B部中出现了亮部(日文:7歹二)的堆积。而且，模腔底面整体上发生变色。从以上的结果可知，能够利用陶瓷层20做成低密合性优异的成型模具。
[0097]这样，根据本实施方式的成型模具，能够使用陶瓷层20做成脱模性及低密合性优异的成型模具，并且通过使用金属基材10能够抑制成型模具产生裂纹、缺口。而且，能够利用中间层30改善金属基材10和陶瓷层20之间的接合构造，抑制陶瓷层20产生裂纹、抑制陶瓷层20从金属基材10剥离。
[0098]此外，上述成型模具例如可以使用注射成型、传递成型、压缩成型。
[0099]在为传递成型(或压缩成型)的情况下，能够使用树脂材料在设有陶瓷层的模腔内，将安装于基板的半导体芯片密封成型(或压缩成型)于与该模腔的形状对应的封装(成型品)内。
[0100]本发明的低密合性材料可以用于以上所说明的各成型模具。本发明的低密合性材料除了用于以上所说明的成型模具之外，还能用于以下的模具。第一模具为安装在压片机而被使用的压片模具(成型机的一种)。第二模具为对制造碳纤维增强塑料等时所使用的预浸体进行加热加压的成型模具，或者是杆(芯棒)等的成型模具。
[0101]参照图9A、图9B，说明本发明的实施例的低密合性材料(开发材料)减少污物附着的情况。作为比较例，使用了由在金属基材(钢系材料)上实施镀硬质铬所得到的材料(已知材料)形成的成型模具。使用由开发材料形成的成型模具和由已知材料形成的成型模具，分别进行了 250次成型动作。
[0102]对于实验结果，与图9A示出的模具表面的初期状态进行比较，得到图9B示出的成型后的模具表面的状态。如图9B的左侧的照片所示，对于开发材料，在右下的部分可见略微有树脂污物的附着。除此之外，并没有观察到树脂污物的附着。如图9B的右侧的照片所示，对于已知材料，在右上部分明显可见黑色的树脂(多余的树脂)的附着。在从附着的多余的树脂向左下方向连续出来的部分可见金属光泽。该金属光泽有可能是在附着的多余的树脂剥离时表面层被抽剥后所留下的痕迹。剩余的部分中同样可见树脂污物的附着。从照片示出的颜色来看，可以推测与在开发材料中的右下部分处略微可见的树脂污物相比该剩余的部分的树脂污物处于同等或更强的附着的程度。从以上内容可知，本发明的实施例的低密合性材料针对热固性树脂具有优异的低密合性。
[0103]参照图10A、图10B，说明本发明的实施例的低密合性材料(开发材料)减少污物附着的情况。作为比较例，使用了由已知材料形成的成型模具。如图1OA所示，对于四种树脂中的任一种树脂，开发材料和树脂之间的粘合力都减少到已知材料和树脂之间的粘合力的28%?50%。如图1OB所示，对于某树脂而言，在对材料的表面进行清洁后的第一次粘合，开发材料和树脂之间的粘合力就减少到已知材料和树脂之间的粘合力的28%。
[0104]这些结果表示，对使用低密合性材料的成型模具的表面(模具表面)进行清洁后，能够在不进行所谓的习惯性成型的前提下成型成型品。习惯性成型的意思是指，出于将脱模剂附着于模具表面的目的而使用特别的树脂(与成型成型品时使用的树脂不同的树脂)进行的成型。因此，能够在清洁模具表面之后接着成型成型品，因此能够提高成型工程的效率。也可以根据低密合性材料和树脂之间的特性关系，进行习惯性成型。
[0105]作为成型时所使用的树脂，可例举上述的环氧树脂所代表的热固性树脂。本发明的成型模具及低密合性材料可适用于热塑性树脂。
[0106]本发明的低密合性材料的适用对象不限于成型成型品时使用的成型模具。本发明的低密合性材料能够适用于在成型成型品时所使用的树脂的制造工程、成型品的成型工程等中使用的成型模具、零件、治具类、工具类等。本发明的低密合性材料能够适用于混匀树脂进行制造时所使用的零件等，例如，混匀、对板材的压片等所使用的零件、治具类、工具类。本发明的低密合性材料能够适用于在制造预浸体等中间制品时所使用的、延长加热了的预浸体或者调整或截断形体的零件、治具类、工具类等。而且，本发明的低密合性材料例如能够适用于喷嘴、螺杆等注射成型用零件等。
[0107]以上说明了本发明的实施方式，但应该认为本次公开的实施方式并不是在所有方面上的例示，不限定本发明。本发明的范围取决于技术方案，还包括与技术方案中记载的内容同等的内容以及在该范围内进行的所有变更。
【主权项】
1.一种成型模具，其是成型成型品时所使用的成型模具，其特征在于， 该成型模具包括: 金属制的基材；以及 陶瓷层，该陶瓷层设置在所述基材之上，包含氧化钇、氮及4A族元素的阳离子，用于与所述成型品接触， 该成型模具在模具表面被清洁后接着用于成型所述成型品。2.根据权利要求1所述的成型模具，其中， 该成型模具还包括介于所述基材和所述陶瓷层之间的粘合层。3.一种成型模具，其是成型成型品时所使用的成型模具，其特征在于， 该成型模具包括: 金属制的基材； 陶瓷层，该陶瓷层包含氧化钇、氮及4A族元素的阳离子，用于与所述成型品接触；以及 中间层，该中间层介于所述基材和所述陶瓷层之间， 该成型模具在模具表面被清洁后接着用于成型所述成型品。4.根据权利要求3所述的成型模具，其中， 该成型模具还包括介于所述基材和所述中间层之间的粘合层。5.根据权利要求3所述的成型模具，其中， 该成型模具还包括介于所述中间层和所述陶瓷层之间的粘合层。6.根据权利要求3所述的成型模具，其中， 所述中间层以单层形成。7.根据权利要求3所述的成型模具，其中， 所述中间层以多层形成。8.根据权利要求3所述的成型模具，其中， 所述中间层以多层形成，使粘合层介于多个所述中间层中的至少两个中间层之间。9.根据权利要求2、4、5、8中任一项所述的成型模具，其中， 所述粘合层以单层形成。10.根据权利要求2、4、5、8中任一项所述的成型模具，其中， 所述粘合层以多层形成。11.根据权利要求3所述的成型模具，其中， 所述中间层具有硬度高于所述基材的硬度并且韧性大于所述陶瓷层的韧性的部分。12.根据权利要求3所述的成型模具，其中， 所述中间层至少在靠陶瓷层侧的表面部分的硬度高于所述基材的硬度。13.根据权利要求3所述的成型模具，其中， 所述中间层包括缓冲层，该缓冲层的硬度随着从所述基材侧朝向所述陶瓷层侧去而变尚O14.根据权利要求3所述的成型模具，其中， 所述中间层包括通过变更所述中间层的组成而使硬度连续变化的缓冲层。15.根据权利要求3所述的成型模具，其中， 所述中间层包括由M-A系的氮化物、碳化物、氧化物形成的部分，所述M为钛、铬、镍、锆、铝或硅，所述A为氮、碳或氧。16.根据权利要求2、4、5、8中任一项所述的成型模具，其中， 所述粘合层包括由钛、铬、镍、锆、钇、铝、硅的单体或它们的混合物形成的部分，或者，包括由所述单体的氧化物或含有多个所述单体的氧化物形成的部分。17.—种低密合性材料，其是针对成型成型品时所使用的树脂具有低密合性的低密合性材料，其中， 该低密合性材料包括: 金属制的基材；以及 陶瓷层，该陶瓷层设置在所述基材之上，包含氧化钇、氮及4A族元素的阳离子，用于与所述树脂接触。18.根据权利要求17所述的低密合性材料，其中， 该低密合性材料还包括介于所述基材和所述陶瓷层之间的粘合层。19.一种低密合性材料，其是针对成型成型品时所使用的树脂具有低密合性的低密合性材料，其中， 该低密合性材料包括: 金属制的基材； 陶瓷层，该陶瓷层包含氧化钇、氮及4A族元素的阳离子，用于与所述树脂接触；以及 中间层，该中间层介于所述基材和所述陶瓷层之间。20.根据权利要求19所述的低密合性材料，其中， 该低密合性材料还包括介于所述基材和所述中间层之间的粘合层。21.根据权利要求19所述的低密合性材料，其中， 该低密合性材料还包括介于所述中间层和所述陶瓷层之间的粘合层。22.根据权利要求19所述的低密合性材料，其中， 所述中间层以单层形成。23.根据权利要求19所述的低密合性材料，其中， 所述中间层以多层形成。24.根据权利要求19所述的低密合性材料，其中， 所述中间层以多层形成，使粘合层介于多个所述中间层中的至少两个中间层之间。25.根据权利要求18、20、21、24中任一项所述的低密合性材料，其中， 所述粘合层以单层形成。26.根据权利要求18、20、21、24中任一项所述的低密合性材料，其中， 所述粘合层以多层形成。27.根据权利要求19所述的低密合性材料，其中， 所述中间层具有硬度高于所述基材的硬度并且韧性大于所述陶瓷层的韧性的部分。28.根据权利要求19所述的低密合性材料，其中， 所述中间层至少在靠所述陶瓷层侧的表面部分的硬度高于所述基材的硬度。29.根据权利要求19所述的低密合性材料，其中，所述中间层包括缓冲层，该缓冲层的硬度随着从所述基材侧朝向所述陶瓷层侧去而变尚O30.根据权利要求19所述的低密合性材料，其中， 所述中间层包括通过变更所述中间层的组成而使硬度连续变化的缓冲层。31.根据权利要求19所述的低密合性材料，其中， 所述中间层包括由M-A系的氮化物、碳化物、氧化物形成的部分，所述M为钛、铬、镍、锆、铝或硅，所述A为氮、碳或氧。32.根据权利要求18、20、21、24中任一项所述的低密合性材料，其中， 所述粘合层包括由钛、铬、镍、锆、钇、铝、硅的单体或它们的混合物形成的部分，或者，包括由所述单体的氧化物或含有多个所述单体的氧化物形成的部分。
【文档编号】B29C33/38GK106003487SQ201610192105
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年3月30日
【发明人】藤原邦彦, 东大助, 岸本智子
【申请人】东和株式会社