专利名称：气体加热方法和气体加热设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及加热气体的方法以及用于各种化学反应器的气体加热设备——例如，用于以下装置的气体加热设备对通过半导体器件和液晶制造过程而被排出的含NOX或NH3的废气进行处理的装置、对医院中的杀菌和消毒过程产生的有害或有毒废气进行处理的装置以及其它这类装置。
背景技术：
半导体器件制造过程包括晶片处理阶段，在所述晶片处理阶段中半导体晶片被处理以生成集成电路。在晶片处理阶段中实施各种处理，诸如薄膜沉积操作、氧化操作、掺杂操作以及蚀刻操作，以便在晶片正面上形成例如介电薄膜、电极布线和半导体薄膜。
在实施各种过程中，包括物理气相沉积、化学气相沉积以及外延生长的技术被使用，并且因为诸如氧气、氢气以及一氧化氮气体等气体被用在所述过程中，所以不同的废气和副产气体被产生成为后处理废气。特别地，通过利用一氧化氮气体使热氧化膜成长在晶片上的操作，产生了包括氧化氮(NOX)的废气。同样地，在氮化镓外延操作中，产生了包括氨(NH3)的废气。
由于将这些废气不经处理地排放到外部会导致环境污染，因此它们的浓度必须被降到许可水平之内。例如，一种处理包括氧化氮或NH3的废气的已知方法是湿吸收或涤气器方法，该方法使废气经过喷水器，以除去氧化氮或NH3。然而，使用涤气器除去氧化氮或NH3使它们降至允许水平的方法，已经出现了问题。
作为对半导体器件制造过程中排出的含NOx的废气进行处理的技术，在日本未审查专利申请出版物No.H09-213596中提出了一种处理方法及其设备，所述方法包括步骤将稀释气体与通过晶片处理操作而产生的包括NOx的废气相混合的步骤；预加热被稀释废气的步骤；以及对废气实施选择性的催化还原反应以去除氧化氮的排除步骤。这里，通过将诸如氨等还原气体加到废气中并且使混合物与诸如铁和锰的金属合成物制成的催化剂接触，所述选择性催化还原反应将包含NOx的废气中的NOx的还原成氮。
接着，如
图1所示，用于处理含NOx的废气的设备装备有混合部分1，该混合部分具有废气引导口1a和稀释气体引导口1b，用于将包括空气或氧气和惰性气体的稀释气体混合到废气中；以及连接至混合部分1的废气预加热部分2。预加热部分2具有填充有陶瓷颗粒3的管状壳体2a以及设置在壳体2a外侧的管状加热器4，在所述管状加热器4中对被稀释废气进行预加热。
预加热废气从预加热部分2流入反应器5中，同时诸如NH3等还原气体从还原气体引导管路7加入到反应器中。盘绕形式的加热器6设置在反应器5的壳体5a的外侧上；同时保持预定的温度。含NOx的废气与壳体5a内的催化剂(未示出)接触，其中的NOx已经在反应器5中通过还原反应被除去的废气在冷却部分8中冷却之后，通过废气出口8a被排至外部。
此外，在半导体制造过程中，对人类无毒的、防爆的全氟化碳(PFC)气体容易处理，并且被用作干蚀刻的蚀刻气体以及CVD操作中的清洁气体。通过蚀刻或清洁而被实际消耗的气体量为几个体积百分比至几十个体积百分比，被排至反应室外部的残余气体仍未被处理。
由不含氯的FreonTM-FC(碳氟化合物)和HFC(碳氢氟化合物)组成的PFC以及NF3和SF6等氟化物中的分子间键合力大；因此，PFC能够长时间稳定地存在于大气中。例如，CF4的存在时间为50,000年，C2F6的存在时间为10,000，SF6的存在时间为3200年，它们的存在时间是极长的。同时，出于同样的原因，这些气体的全球变暖潜力(GWP)是极大的，CF4是CO2的6500倍，C2F6是CO2的9200倍，SF6是CO2的23,900倍。
由于近来对毒气排放的管理，这些气体成为治理的目标。由此，作为被用来解决半导体制造工厂的排放的对策之一，通过分解来处理PFC气体的设备的安装正在进行中。另外，作为分解PFC气体的方法，化学方法和燃烧方法已经用于实践。作为后者的例子，在日本专利出版物No.3,217,034中提出了一种燃烧的方法，该方法使用氧化铝催化剂在700℃的燃烧温度下有效地分解所述气体。在该方法中，废气在进入催化剂容器之前通过加热装置中的电加热器被间接地加热至大约650-750℃，在这个温度下PFC开始分解。
同时，在诸如医院等机构中杀菌和消毒过程使用的气体所产生的废气，诸如环氧乙烷、环氧丙烷、甲醛气体以及气态甲基等，是有害或者是有毒的，因此必须在被排出到外部之前对其进行处理。同样地，对于例如从燃烧设备和基于有机溶剂的干燥设备排入废气中的诸如一氧化碳和气态碳化氢，也需要在废气释放到大气中之前被去除。
对于处理这些有害或有毒废气的设备，利用氧化物催化剂促进气体的氧化反应通过分解来处理气体的方法是可行的，如日本未审查专利申请出版物No.H09-290135和2000-325751公开的方法。与直接烧掉气体相比，这些方法允许以200-400℃的较低温度对废气进行处理。
例如在日本未审查专利申请No.2000-325751中，环氧乙烷气体的流量被保持在恒定的控制条件下，以稳定在催化反应温度下散发出的热量，同时能使催化效率较长时间地保持稳定的温度条件持续不变。接着，在日本未审查专利申请出版物No.H09-290135中所描述的设备中，使用吹风装置将有毒的环氧乙烷送至加热器，并在气体被加热之后使气体与催化剂接触从而进行净化。
然而，上述传统的废气处理设备存在这样的缺点用于加热废气的加热器或者间接加热气体而不与气体接触，或者即使加热器接触气体，但由于普通电阻加热元件被用作加热器，因此它们易被气体腐蚀；并且除此之外，由于不能有效地加热流动的气体，使得加热时间延长，由此使得功率损耗相当大。另一个问题是，为了加热规定量的气体，加热室必须做得很大，这意味着会使设备过大。
发明内容
考虑目前的这种情况，本发明的目的是提供一种气体加热方法以及实施所述加热方法的小型节能气体加热设备，所述方法和装置使用能高速加热气体而不会被气体腐蚀的加热器，因此能够直接有效地加热气体。
为了实现前述目的，本发明提供的气体加热方法的特征在于，在气体流动通路或加热室中设置板状陶瓷加热器或者其中组合了多个陶瓷加热器的加热装置，用陶瓷加热器或加热装置加热供至流动通路或加热室的气体。特别地，优选多个陶瓷加热器或加热装置以交错壁架的形式布置，以形成Z字形空气流动通路。
本发明提供的气体加热设备的特征在于，在气体流动通路中或者加热室中，板状陶瓷加热器或其中组合了多个陶瓷加热器的加热装置被设置为与气体接触。特别地，优选多个陶瓷加热器或加热装置以交错壁架的形式设置，以形成Z字形气体流动通路。
在具体应用例子中，在用于还原去除来自半导体制造过程的废气中的氧化氮或氨的废气处理设备中，本发明的上述气体加热设备被用作预加热废气或混入废气中的稀释气体的预加热装置。并且，在用于分解和去除存在于由半导体制造过程所排放的废气中的全氟化碳的废气处理设备中，本发明的气体加热设备用作加热废气或混入废气中的稀释气体的加热装置。进一步，在用于氧化分解由杀菌和消毒过程产生的有害或有毒气体的废气处理设备中，所述气体加热设备可以用作加热废气或混入废气中的稀释气体的加热装置。
在本发明的前述气体加热设备中的陶瓷加热器的特征在于其由板状陶瓷衬底制成，并且加热元件设置在陶瓷衬底的表面或者其内部。优选的替代方式是由板状陶瓷衬底构造陶瓷加热器，加热元件为盘绕形式且设置在陶瓷衬底的两个面中的每个面上，并且陶瓷层或玻璃层覆盖两个加热元件中的每个加热元件。
此外，优选在上述陶瓷加热器中的陶瓷衬底由氧化铝、二氧化硅、氮化铝、氮化硅、碳化硅、硼化锆或它们的合成物制成。相同地，在陶瓷加热器中的加热元件优选由钨、钼、银-钯合金、银或尼克罗姆镍铬耐热合金(NichromeTM)制成。
附图简述图1是描述用于处理通过半导体器件制造过程而被排出的含NOx的废气的示意性剖视图；图2示出了根据本发明的气体加热设备的具体例子的示意性剖视图；图3表示用在本发明的气体加热设备中的陶瓷加热器的具体例子的示意性剖视图；图4示出了用在本发明的气体加热设备中的陶瓷加热器的电路图案的具体例子的示意性剖视图；图5描述了用在本发明的气体加热设备中的加热装置的示意性剖视图；图6示出了用于对通过半导体器件制造过程排出的含NOx的废气进行处理的设备的具体例子的示意性剖视图，其中使用了本发明的气体加热设备；以及图7是解释了用于对通过杀菌/消毒过程而排出的有毒气体进行处理的设备的具体例子的示意性剖视图，其中使用了本发明的气体加热设备。
具体实施例方式
在本发明中，板状陶瓷加热器或者其中组合了多个陶瓷加热器的加热装置设置在气体流动通路中或者气体加热室中，沿流动通路或者加热室流动的气体被陶瓷加热器或者加热装置直接加热。气体能在最小的空间中被有效地加热，因为它接触陶瓷加热器或加热装置的表面，或者它能在近距离内被辐射热加热。
为了实施所述气体加热方法，例如如图2所示，通过其中流过气体的气体加热设备10的气体加热室中以交错壁架的形式设置多个陶瓷加热器30或加热装置，以形成Z字形气体流动通路A。采用这种结构增加了气体与陶瓷加热器30或者加热装置的接触面积，从而提高了将热量传递至流动气体的效率，并且能减小加热室的尺寸。可以理解，通过改变陶瓷加热器30或者加热装置的安装位置，可以自由地改变气体流动通路A的形式。
用作热源的陶瓷加热器由板状陶瓷衬底制成，或者在陶瓷衬底的前侧或者在陶瓷衬底的内部设置加热元件，所述加热元件通过传送流过它的电流经由具有高导热性的陶瓷物使得在加热元件中产生的焦耳热传递到气体；此外，总厚度制造得越薄，加热器越能够高速地加热和快速地冷却。由此，加热器变热所用的备用时间能缩短，这样能缩短拉动(draw)电流的时间，从而减小功率消耗。
尤其优选地是，具有如图3和4所示结构的陶瓷加热器作为涉及本发明的例子。这种加热器装备有薄的板状陶瓷衬底31，其具有良好的热导性以及对热和腐蚀的抵抗性；以及加热元件32(32a，32b)，它们以盘绕形式形成在陶瓷衬底31的两个面中的每个面上。加热元件32(32a，32b)均涂敷有陶瓷层或玻璃层33a，33b。并且，图4中的附图标号34，34是用于将电流传送到加热元件32的电极。
优选地是，覆盖加热元件32a，32b的陶瓷层或者玻璃层33a、33b与作为陶瓷衬底31的陶瓷是同一种类，或者是热膨胀系数与陶瓷衬底31的热膨胀系数的差别最小的玻璃，以便防止破裂，并且防止层剥落。这样，利用具有抗腐蚀性的陶瓷层或玻璃层33a，33b覆盖加热元件32a，32b也能防止加热元件32a，32b的腐蚀。
如图4所示，加热元件32的电路图是以单卷的形式产生的，或者作为一个以上的盘绕形式的结合体。以盘绕形式生成图案能提高加热元件32的密度，并且能使它们更均匀，由此使得加热更加有效，能够快速地加热和快速地冷却，同时能使加热器表面上的温度分布均匀，并且能减小气体温度的波动。
如前所述，代替陶瓷加热器，可以使用多个陶瓷加热器组合形成的加热装置。例子为图5中所示的加热器组件35，其中四个陶瓷加热器30平行地布置成一排，并且安装在框架36中，加热器通过支撑件37固定在所述框架36中。在这种情况下，图5中的附图标号38是引线，用于将电流传送到每个陶瓷加热器30。支撑件37可以是绝缘体物质，然而可以使它们成为导电性物质，允许它们用作引线，从而可以省略引线38。然后，对于框架36的材料，诸如SUS钢等金属或者诸如玻璃或合成树脂等绝缘体可以被使用。通过这种类型的加热装置，可以实现具有与气体接触的大的表面面积的热源，这样对于加热室的立方容积大的情况或者对于气体流速快的情况来说是有益的。并且，即使在除这些情况以外的情况下，为了增大与气体接触的面积，加热装置也可以通过重新安排陶瓷加热器30的安装方式而被制成三维的。
通过使用诸如印刷、然后将电路烤制到衬底上等技术将加热器电路形成在薄的陶瓷衬底的两个面上，上述制造陶瓷加热器的方法能够产生加热元件。接着，形成陶瓷层或者玻璃层，以便覆盖加热元件。这里，在陶瓷衬底上的加热元件将被陶瓷层覆盖的情况下，加热器电路可以形成在陶瓷印刷电路基板与陶瓷衬底之间，并且衬底与印刷电路基板能够被烤焙，以将陶瓷层粘结到衬底上，同时加热元件被烧制到衬底上。
氧化铝、二氧化硅、氮化铝、氮化硅、碳化硅、硼化锆或者它们的合成物优选作为陶瓷加热器中的陶瓷衬底。应该理解，在刚刚列举的陶瓷物中，碳化硅、硼化锆或者它们的合成物能通过将电流直接传送给它们而被加热，不用形成加热元件。
再有，加热元件优选由钨、钼、银-钯合金、银或者尼克罗姆镍铬耐热合金(NichromeTM)制成。覆盖加热元件的陶瓷层优选是与陶瓷衬底类型相同的陶瓷。对于覆盖加热元件的的玻璃层，优选与陶瓷衬底的热膨胀系数差别最小的玻璃，例如ZnO-B2O3-SiO2系列玻璃。
关于怎样使用本发明的上述气体加热设备的例子，在例如用于还原去除通过半导体制造过程排出的废气中的氧化氮(NOX)或NH3的废气处理设备中，本发明的气体加热设备可以被用作预加热装置，该预加热装置对含NOX或NH3的废气进行预加热，或者对混入废气中的稀释气体进行预加热。并且，在分解和去除存在于半导体制造过程所产生的废气中的全氟化碳的废气处理装置中，本发明的气体加热设备可以用作加热装置，用于加热废气或者混入废气中的稀释气体。再进一步，在用于氧化分解诸如医院等机构里的杀菌和消毒过程所排出的有毒或有害气体的废气处理设备中，本发明的气体加热设备可以被用作加热装置，用于加热废气或者混入废气中的稀释气体。
图6示出一个具体例子，在该例中本发明的气体加热设备例如用于对含NOX废气进行处理的设备的预加热装置，在所述设备中是通过催化还原反应分解和去除包含在半导体制造过程所排出的废气中的氧化氮。用于处理含NOX废气的设备装备有预加热装置12，该预加热装置用于预加热通过稀释气体引导口12a供给的空气或类似稀释气体；混合部分11，用于把通过废气引导口11a引入的含NOX的废气混入预加热稀释气体中；以及反应器15，在所述反应器中，通过使被稀释废气与催化剂(未示出)接触，氧化氮(NOX)经选择性催化还原通过还原被去除。
在预加热装置12的壳体13中，多个陶瓷加热器30或加热装置被设置成交错壁架的形式，以形成Z字形气体流动通路。由此，当通过稀释气体引导口12a引入的作为稀释气体的空气经过由陶瓷加热器30或加热装置形成的Z字形气体流动通路而迂回流动时，所述空气被陶瓷加热器30或加热装置预加热到大约380-400℃的温度。
在混合部分11中，被预加热的空气与通过废气引导口11a供给的含NOX废气进行混合，而在反应器15中，通过还原气体引导管17供给的诸如NH3等还原气体被加入经预加热的空气。反应器15填充有例如包括诸如铁和锰等金属的合成物的催化剂(未示出)，盘绕形式的加热器16设置在反应器壳体15a的外侧。其中，当盘绕的加热器16将反应器15内部的温度保持在大约180-250℃时，在催化剂上废气中的NOX与加入的NH3反应，由此经还原被去除。同时，被加入的过剩NH3在催化剂上与空气中的O2反应，以N2和H2O的形式被去除。其中的NOX已经在NH3反应器15中被还原去除的废气在冷却单元18中被冷却至大约80℃或更低，然后通过废气出口18被排至外部。
可以了解，上述气体加热设备也可以以几乎相同的方式被用作用于分解和去除半导体制造过程所产生的废气中的NOX，NH3或全氟化碳的废气处理设备中的废气加热装置。
在传统的用于处理含NOX的废气的设备中，如图1所示，稀释气体和废气混合部分1、混合气体预加热部分2以及用于利用催化剂还原去除氧化氮的反应器5被分开设置，其中预加热部分2较大，它的加热效率非常差。相反地，通过本发明，使用陶瓷加热器30或者加热装置作为热源使得稀释气体被高度有效地预加热，并且能缩小预加热装置12的尺寸；结果预加热装置12能与混合部分11和反应器15制成单一体。
现在来看另一具体例子，参考图7，其中本发明的气体加热设备被用于一种废气处理设备的加热装置，该废气处理设备用于氧化分解从诸如医院等机构的杀菌和消毒过程产生的有毒或有害废气。图7中的废气处理设备装备有加热装置22，用于加热在杀菌/消毒过程中使用的有害废气，所述气体是通过有害气体引导口22a供给的；反应器25，在所述反应器25中，通过与催化剂(未示出)接触使被加热的有害气体氧化分解；混合部分21，所述混合部分把通过稀释气体引导口21a引入的空气或类似稀释气体混入氧化分解的气体中；以及冷却部分28，所述冷却部分冷却被稀释的混合物，并通过废气出口28a将它排至外部。
在用于处理有害气体的所述设备中，加热装置22的结构与图6所示预加热装置12的结构几乎相同多个板状陶瓷加热器或加热器组件35以交错壁架的形式设置在壳体23中。更具体地，如图7所示，组合了多个板状陶瓷加热器的加热器组件35设置在不同水平位置以在壳体23中形成Z字形气体流动通路，其中每个陶瓷加热器组件的一端交替地从壳体23的内壁以悬臂状延伸，从而，从壳体23的内壁延伸出来的陶瓷加热器组件的另一端交叠。
在有害气体迂回地流过由陶瓷加热器或加热器组件35形成的Z字形气体流动通路时，所述有害气体被加热至大约400-600℃的温度。这里，反应器25的结构与图6中的结构相同反应器壳体25a的内部填充有氧化催化剂(未示出)，卷绕的加热器26设置在壳体25a的外侧。同样地，在图7的有害气体处理设备中，可以利用与图6的设备中的将有害气体与稀释气体混合然后供至反应器并进行氧化分解反应的结构相类似的结构。
在本发明中，使用陶瓷加热器作为加热气体用的热源，从而使得加热元件中产生的焦耳热通过具有高热传导性的陶瓷以及陶瓷层或玻璃层被有效地传送至气体；此外，陶瓷加热器制造得越薄，它们越能快速地变热和快速地冷却。由此，加热器变热所花费的备用时间能缩短，这样能够缩短拉动(draw)电流的时间，从而有助于减少功率消耗。
此外，除了废气处理设备以外，对于使用根据本发明的气体加热设备的化学反应器，使用陶瓷加热器作为气体加热热源允许气体加热设备中的气体流动通路和加热室能够成比例地缩小的事实使得能够得到这样的反应器设计，例如该反应器被制成整体结构，从而反应器的整体尺寸被减小。
实施例根据本发明的气体加热设备应用在用于处理有害废气的设备中，所述设备用在医院的杀菌和消毒过程中。特别地，如图7所示，有四个加热器组件35，在每个加热器组件中组合了四个陶瓷加热器，所述的加热器组件以交错壁架的形式设置在壳体23中，以在壳体23中形成Z字形气体流动通路，从而作为用于加热通过有害气体引导口22a供给的有害废气的加热装置22。
具体来说，加热装置22装备有SUS钢制成的壳体23，壳体内部为430mm×430mm×480mm高；四个420mm×300mm×5mm厚的板状加热器组件35设置在壳体23的内部，以便形成彼此分离开90mm的交错壁架的形式。这里，每个加热器组件35的结构是如图5所示的一种结构四个陶瓷加热器30组装成扁平平面形状并使用框架36和支撑件37固定。在这种情况下，玻璃被用于框架36。
构造每个加热器组件35的陶瓷加热器30是如图3所示的结构，其中在由厚度为0.6mm的板状AlN制成的陶瓷衬底31的两个面上，形成有Pd-Ag制成的加热元件32a，32b，在加热元件上涂敷有各个玻璃层33a，33b，整个加热器的厚度为0.605mm。这里，如图4所示，加热元件32a，32b的图案被形成为三个螺旋形电路的连续系列，电极34，34装备在用于将电流传送到所述电路的图案的任一端。
在环氧乙烷气体通过有害气体引导口22a以2000升/分钟的速度被连续地引入加热装置22中时，7kW电功率被传送到加热器组件35。结果，加热器组件35在大约500秒内达到最大温度400℃，这样使得靠近加热装置22出口的气体温度达到大约350℃。被加热的环氧乙烷气体被引入反应器25中，在大约400℃的温度下与氧化催化剂接触；通过使来自反应器25的氧化分解产物与空气在混合部分21中混合，而将氧化分解产物稀释，然后在冷却部分28中冷却并通冷却部分28排出。几乎没有环氧乙烷包含在从气体排出口28a排出的气体中。
工业应用本发明提供了一种气体加热方法和使用该方法的气体加热设备，其通过使用能高速加热气体而不会经受气体腐蚀的加热器，使气体能够被直接和有效地加热。并且，因为所述气体加热设备尺寸小又节能地工作，所以在各种废气处理设备中使用所述气体加热设备作为废气或与废气混合的稀释气体的预加热或加热装置能够使整个设备的尺寸减小，并且能节约能量。
权利要求
1.一种气体加热方法，其特征在于，在气体流动通路或加热室中设置板状陶瓷加热器或其中组合了多个陶瓷加热器的加热装置，用陶瓷加热器或加热装置加热供至流动通路或加热室的气体。
2.根据权利要求1所述的气体加热方法，其特征在于，多个陶瓷加热器或加热装置以交错壁架的形式设置，以形成Z字形空气流动通路。
3.一种气体加热设备，其特征在于，在气体流动通路中或者加热室中，板状陶瓷加热器或其中组合了多个陶瓷加热器的加热装置被设置为与气体接触。
4.根据权利要求3所述的气体加热设备，其特征在于，多个所述陶瓷加热器或加热装置以交错壁架的形式设置，以形成Z字形气体流动通路。
5.根据权利要求3或4所述的气体加热设备，其特征在于，所述气体加热设备被用在用于还原去除来自半导体制造过程的废气中的氧化氮或氨的废气处理设备中，作为预加热废气或混入废气中的稀释气体的预加热装置。
6.根据权利要求3或4所述的气体加热设备，其特征在于，所述气体加热设备被用在用于分解和去除存在于来自半导体制造过程的废气中的全氟化碳的废气处理设备中，作为加热废气或混入废气中的稀释气体的加热装置。
7.根据权利要求3或4所述的气体加热设备，其特征在于，所述气体加热设备被用在用于氧化分解来自杀菌和消毒过程的有害或有毒气体的废气处理设备中，作为加热废气或混入废气中的稀释气体的加热装置。
8.根据权利要求3至7中任一项所述的气体加热设备，其特征在于，所述陶瓷加热器由板状陶瓷衬底和设置在陶瓷衬底的表面或者其内部的加热元件构成。
9.根据权利要求3至8中任一项所述的气体加热设备，其特征在于，所述陶瓷加热器由板状陶瓷衬底、设置在陶瓷衬底的两个面中的每个面上的盘绕形式的加热元件以及覆盖两个加热元件中的每个加热元件的陶瓷层或玻璃层构成。
10.根据权利要求3至9中任一项所述的气体加热设备，其特征在于，所述陶瓷加热器中的陶瓷衬底由氧化铝、二氧化硅、氮化铝、氮化硅、碳化硅、硼化锆或它们的合成物制成。
11.根据权利要求3至10中任一项所述的气体加热设备，其特征在于，所述陶瓷加热器中的加热元件由钨、钼、银-钯合金、银或尼克罗姆镍铬耐热合金制成。
全文摘要
提供一种气体加热方法和小尺寸节能气体加热设备，其使用能高速加热气体而不被气体腐蚀的加热器，从而能直接、有效地加热气体。多个板状陶瓷加热器(30)或其中结合了多个陶瓷加热器的加热装置以交错壁架的形式设置在气体的流动通路中或加热室中，以形成Z字形气体流动通路A；供至气体流动通路A的气体由陶瓷加热器(30)或加热装置直接加热。所述气体加热设备(10)可用于处理含NO
文档编号F23G7/06GK1685180SQ20038010011
公开日2005年10月19日 申请日期2003年10月30日 优先权日2002年11月12日
发明者桥仓学, 仲田博彦 申请人:住友电气工业株式会社