一种多面拱蓄热反射炉的制作方法

文档序号:15337420发布日期:2018-09-04 21:45阅读:302来源:国知局

本实用新型涉及一种多面拱蓄热反射炉。



背景技术:

目前的炉体内均为平面结构,其吸收和反射热量的接触面积小,蓄热能低。



技术实现要素:

为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种多面拱蓄热反射炉,提高蓄热能及反射热能。

为解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术方案:

一种多面拱蓄热反射炉,包括炉体,所述炉体包括燃烧室,所述燃烧室一端设置有进口,另一端设置有出口,所述燃烧室沿进出口方向的两侧壁上分别连接燃烧管道,两个连接燃烧管道的侧壁由内至外至少包括内层和外层,所述内层为多面拱蓄热结构,所述多面拱蓄热结构包括交错设置的第一层和第二层,所述第一层包括若干个呈同一方向倾斜45°设置的第一砌块,相邻的第一砌块之间间隙配合形成预留风道,所述第二层包括若干个呈与第一层相反方向倾斜45°设置的第二砌块;各所述第一砌块背离所述燃烧室一端的角端设置有与断面,各所述第一砌块的断面与外层之间构成连通的通风通道。

进一步的,两个燃烧管道交错设置,其中一个燃烧管道设置于一侧壁一端时,另一个燃烧管道设置于另一侧壁另一端。

进一步的,所述燃烧室底部最上层呈由若干个第三砌块构成的多条倒V型轨道结构。

进一步的,各所述第三砌块上设置有通风孔,或者各相邻的所述第三砌块间预留有通风孔。

进一步的,所述砌块为耐火砖。

进一步的,所述外层由内至外依次包括砌块层、保温层和装饰层。

进一步的,所述砌块层为正常建筑建构的交错式码砖层。

进一步的,所述炉体一侧内设置有第一盘管。

进一步的,所述炉体另一侧内设置有第二盘管。

其中第二砌块的下端设置于第一砌块的下端的上方,而第二砌块的上端设置于下一块的第一砌块的上端的上方,相邻的第二砌块之间填充耐火水泥固定,第一砌块与第二砌块之间通过耐火水泥固定。

与现有技术相比,本实用新型的有益技术效果:通过多面拱蓄热结构达到提高燃烧室的蓄热和反射热的能力,提高燃气利用率;底部的倒V型结构,不仅提高了其底部的蓄能能力,而且倒V型结构构成的轨道,方便抽拉加工件。

附图说明

下面结合附图说明对本实用新型作进一步说明。

图1为多面拱蓄热反射炉的剖视结构示意图;

图2为多面拱蓄热反射炉的俯视示意图;

图3为多面拱蓄热结构的示意图(俯视);

图4为燃烧室底部示意图(剖视);

附图标记说明:1-炉体;2-燃烧室;3-进口;4-预热室;5-出口;6-燃烧管道;7-内层;701-第一层;702-第二层;8-第一砌块;9-预留风道;10-第二砌块;11-断面;12-通风通道;13-外层;14-第三砌块;15-第一盘管;16-第二盘管。

具体实施方式

如图1至4所示,一种多面拱蓄热反射炉,包括炉体1,所述炉体1包括燃烧室2,所述燃烧室2一端设置有进口,与预热室4连接,另一端设置有出口5,所述燃烧室4沿进出口方向的两侧壁上分别连接燃烧管道6,两个连接燃烧管道6的侧壁由内至外至少包括内层7和外层13,所述内层7为多面拱蓄热结构,所述多面拱蓄热结构包括交错设置的第一层701和第二层702,所述第一层701包括若干个呈同一方向倾斜45°设置的第一砌块8,相邻的第一砌块8之间间隙配合形成预留风道9,所述第二层702包括若干个呈与第一层701相反方向倾斜45°设置的第二砌块10,其中第二砌块10的下端设置于第一砌块8的下端的上方,而第二砌块8的上端设置于下一块的第一砌块8的上端的上方;各所述第一砌块8背离所述燃烧室一端的角端设置有与断面11,各所述第一砌块8的断面11与外层13之间构成连通的通风通道12。

本实施例中第一层701可通风,第二层702不可通风,依次交错设置,或者根据需要第二层702也可以为如第一层一样的通风层。

其中:两个燃烧管道6交错设置,其中一个燃烧管道6设置于一侧壁一端时,另一个燃烧管道6设置于另一侧壁另一端。

所述燃烧室2底部最上层呈由若干个第三砌块14构成的多条倒V型轨道结构,各所述第三砌,14上设置有通风孔,或者各相邻的所述第三砌块14间预留有通风孔。

上述各砌块为耐火砖。

所述外层13由内至外依次包括耐火层构成的砌块层1301、保温材料构成的保温层1302,以及装饰层1303。所述砌块层1301为正常建筑建构的交错式码砖层。

所述炉体1一侧内设置有第一盘管15,所述炉体1另一侧内设置有第二盘管16,分别用于循环加热重油和水。

本实用新型的通过多面拱蓄热结构达到提高燃烧室的蓄热和反射热的能力,提高燃气利用率;底部的倒V型结构,不仅提高了其底部的蓄能能力,而且倒V型结构构成的轨道,方便抽拉加工件。

以上所述的实施例仅是对本实用新型的优选方式进行描述,并非对本实用新型的范围进行限定,在不脱离本实用新型设计精神的前提下,本领域普通技术人员对本实用新型的技术方案做出的各种变形和改进,均应落入本实用新型权利要求书确定的保护范围内。

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