专利名称：集成电路产业含氟废水处理方法
技术领域：
本发明属于氟化工技术领域，具体涉及一种集成电路产业含氟废水处理方法。
背景技术：
氟是一种微量元素，长期服用氟含量大于1. 5mg/L的含氟水会给人带来许多不利影响，严重的会引起氟斑牙和氟骨病，然而氟化物又是重要的化工原料，广泛地应用于钢铁、有色金属冶金、化工、电子等诸多行业中，因而产生了大量含氟废水，对环境和人们的身体健康产生了威胁，我国1996年颁布的《污水综合排放标准》(GB8789-1996)中规定企业对外排放含氟废水，氟化物浓度不得超过10mg/L。芯片刻蚀过程 中排放二股含氟废水高浓度含氟废水和低浓度含氟废水，其中高浓度含氟废水为刻蚀初期排放的废水，氟离子浓度可高达10000mg/L ;低浓度含氟废水为后续冲洗废水，氟离子浓度约为500mg/L。国内外含氟废水的处理方法主要有沉淀法和吸附法两大类。对于高浓度含氟废水一般可采用钙盐沉淀法，而在实际工程运行中，要确保氟离子浓度(F_< 10mg/L)稳定达标，往往比较困难。
发明内容
为了克服上述所说的不足，本发明提供一种集成电路产业含氟废水处理方法，用以解决现有集成电路产业含氟废水处理方法确保氟离子浓度(F_< 10mg/L)稳定达标往往比较困难的问题。为达到上述目的，本发明集成电路产业含氟废水处理方法，采用三级反应一级沉淀的工艺，包括含氟废水收集池、一级反应槽、二级反应槽、三级反应槽、沉淀槽、排放水槽、污泥槽和污泥脱水机。含氟废水通过含氟废水收集池的进水口进入含氟废水收集池，含氟废水收集池管道连接至一级反应槽，在一级反应槽中加入氢氧化钙和氯化钙，一级反应槽管道连接至二级反应槽，在二级反应槽中加入PAC，二级反应槽管道连接至三级反应槽，在三级反应槽中加入PAM，三级反应槽管道连接至沉淀槽，沉淀槽一根管道连接至排放水槽，一根管道连接至污泥槽，污泥槽管道连接至污泥脱水机。所述的含氟废水收集池采用钢混凝土结构，内净尺寸为4300mmX2200mmX3700mm，有效水深2. 20米，有效容积20. 8m3，水力停留时间4. 2h，池内设穿孔管进行空气搅拌，池壁内衬玻璃钢防腐，I座。废水池内设置2台CFY65-50-160型液下泵，I用I备。所述的化学反应系统共设三级反应槽,每级反应槽结构相同，反应槽槽体为钢结构，且内衬玻璃钢防腐。净尺寸为1200mmX1200mmX2500mm，有效水深2. 35m，泥斗高0. 95m，有效容积3. 4m，水力停留时间0. 68h，附搅拌装置。所述的斜管沉淀槽槽体为钢结构，且内衬玻璃钢防腐。净尺寸为4000mmX 2500mmX 4400mm, I只。表面负荷0. 5m/ (m h),沉淀时间3h,重力排泥,分设2个泥斗。所述的排放水槽槽体为钢结构，且为内衬玻璃钢防腐。净尺寸为2000mmX IOOOmmX 2500mm, I只。有效水深2. 00m，有效容积4. 0m3，槽内设穿孔管进行空气搅拌。所述的污泥处理系统中污泥以含水率99. 5%计，总产量约为4m3/d，经厢式压滤机(型号XM15/800-UB，l台)脱水后，每天产生含水率80%的泥饼0. 15t左右，最终将其外运送有资质的固废处理单位委托处置。采用上述结构后，使用时，车间排放的含氟废水通过管路系统自流进入含氟废水收集池，含氟废水通过废水泵提升后进入一级反应槽，在该槽内投加Ca(OH)2溶液和CaCl2溶液，使氟离子生成CaF2沉淀，并粗调pH值至8 9 ;然后废水自流入二级反应槽，在该槽内投加混凝剂PAC、NaOH溶液或H2SO4溶液，使CaF2沉淀生成较大颗粒，并将pH值调至6 7 ;然后废水自流入三级反应槽，在该槽内投加絮凝剂PAM，增加CaF2沉淀效果。经絮凝反应后的废水自流入斜管沉淀池，通过沉淀作用达到固液分离，同时使污泥得到沉淀和浓缩。斜管沉淀池出水自流入排放水槽，当氟离子浓度达标时排入厂区废水排水管网，当氟离子浓度超过排放标准时回流至含氟废水收集池继续处理。本发明的优点是结构简单，方便实用，有效地解决了现有集成电路产业含氟废水处理方法确保氟离子浓度(F_< 10mg/L)稳定达标往往比较困难的问题。
图1为本发明集成电路产业含氟废水处理方法结构示意图。图中1、含氟废水收集池，2、一级反应槽，3、二级反应槽，4、三级反应槽， 5、沉淀槽，6、排放水槽，7、污泥槽，8、污泥脱水机。
具体实施例方式如图1所示，一种集成电路产业含氟废水处理方法，采用三级反应一级沉淀的工艺，包括含氟废水收集池1、一级反应槽2、二级反应槽3、三级反应槽4、沉淀槽5、排放水槽6、污泥槽7和污泥脱水机8。含氟废水通过含氟废水收集池I的进水口进入含氟废水收集池1，含氟废水收集池I管道连接至一级反应槽2，在一级反应槽2中加入氢氧化钙和氯化钙，一级反应槽2管道连接至二级反应槽3，在二级反应槽3中加入PAC，二级反应槽3管道连接至三级反应槽4，在三级反应槽4中加入PAM，三级反应槽4管道连接至沉淀槽5，沉淀槽5 —根管道连接至排放水槽6，一根管道连接至污泥槽7，污泥槽7管道连接至污泥脱水机8。
权利要求
1.一种集成电路产业含氟废水处理方法，采用三级反应一级沉淀的工艺，包括含氟废水收集池、一级反应槽、二级反应槽、三级反应槽、沉淀槽、排放水槽、污泥槽和污泥脱水机，其特征是含氟废水通过含氟废水收集池的进水口进入含氟废水收集池，含氟废水收集池管道连接至一级反应槽，在一级反应槽中加入氢氧化钙和氯化钙，一级反应槽管道连接至二级反应槽，在二级反应槽中加入PAC，二级反应槽管道连接至三级反应槽，在三级反应槽中加入PAM，三级反应槽管道连接至沉淀槽，沉淀槽一根管道连接至排放水槽，一根管道连接至污泥槽，污泥槽管道连接至污泥脱水机。
2.根据权利要求1所述的集成电路产业含氟废水处理方法，其特征是含氟废水收集池采用钢混凝土结构，内净尺寸为4300mmX 2200mmX 3700mm，有效水深2. 20米，有效容积20. 8m3，水力停留时间4. 2h，池内设穿孔管进行空气搅拌，池壁内衬玻璃钢防腐，I座。废水池内设置2台CFY65-50-160型液下泵，I用I备。
3.根据权利要求1所述的集成电路产业含氟废水处理方法，其特征是:化学反应系统共设三级反应槽，每级反应槽结构相同，反应槽槽体为钢结构，且内衬玻璃钢防腐。净尺寸为1200mmX1200mmX2500mm，有效水深2. 35m，泥斗高O. 95m，有效容积3. 4m，水力停留时间O.68h，附搅拌装置。
4.根据权利要求1所述的集成电路产业含氟废水处理方法，其特征是斜管沉淀槽槽体为钢结构，且内衬玻璃钢防腐。净尺寸为4000mmX 2500mmX 4400mm，I只。表面负荷O. 5m/(m · h)，沉淀时间3h，重力排泥，分设2个泥斗。
5.根据权利要求1所述的集成电路产业含氟废水处理方法，其特征是排放水槽槽体为钢结构，且为内衬玻璃钢防腐。净尺寸为2000mmX IOOOmmX 2500mm，I只。有效水深2.00m，有效容积4. 0m3，槽内设穿孔管进行空气搅拌。
6.根据权利要求1所述的集成电路产业含氟废水处理方法，其特征是污泥处理系统中污泥以含水率99. 5%计，总产量约为4m3/d，经厢式压滤机(型号XM15/800-UB，I台)脱水后，每天产生含水率80%的泥饼O. 15t左右，最终将其外运送有资质的固废处理单位委托处置。
全文摘要
本发明涉及一种集成电路产业含氟废水处理方法，采用三级反应一级沉淀的工艺，包括含氟废水收集池、一级反应槽、二级反应槽、三级反应槽、沉淀槽、排放水槽、污泥槽和污泥脱水机。含氟废水通过含氟废水收集池的进水口进入含氟废水收集池，含氟废水收集池管道连接至一级反应槽，在一级反应槽中加入氢氧化钙和氯化钙，一级反应槽管道连接至二级反应槽，在二级反应槽中加入PAC，二级反应槽管道连接至三级反应槽，在三级反应槽中加入PAM，三级反应槽管道连接至沉淀槽，沉淀槽一根管道连接至排放水槽，一根管道连接至污泥槽，污泥槽管道连接至污泥脱水机。本发明具有结构简单、方便实用的优点。
文档编号C02F1/56GK103030234SQ20111030509
公开日2013年4月10日 申请日期2011年10月10日 优先权日2011年10月10日
发明者李建雄, 方程冉, 陶松垒, 乔静兵, 郑彬理, 石伟峰 申请人:浙江科技学院