本发明涉及多晶破碎设备处理技术领域，具体涉及一种多晶破碎机鄂板的处理方法。
背景技术：
随着单晶硅应用的快速稳定发展，其需求量也逐渐加大，采用多晶硅进行拉晶是生产单晶硅的重要工艺。拉晶车间一埚多棒工艺的推广，对多晶硅小块料的需求越来越多，生产企业都在想办法提高爆料量和效率，来满足不断提升的投料量要求。随着破碎机的推广与使用，以往的人工破碎多晶料模式正在逐步被淘汰，越来越多的单位都在使用破碎机进行破碎多晶原料。为了提高破碎效率，现在市场上多数是用金属材质鄂板进行破碎多晶料。而金属鄂板在破碎中容易产生金属杂质混入多晶料中，多晶料的品质会影响影响单晶产品的寿命，因此如何控制破碎过程中多晶料的品质成为单晶硅生产过程中的重要环节。
技术实现要素：
针对以上技术现状，本发明提供一种多晶破碎机鄂板的处理方法，其能保证破碎过程中没有杂质混入多晶料中，进而保证其品质。
为达到上述发明目的，本发明采用了如下的技术方案：
一种多晶破碎机鄂板的处理方法，其中所述鄂板为氧化锆陶瓷材质，对该材质鄂板进行如下处理：依次用氢氟酸、硅片清洗剂、双氧水-氢氧化钠混合液、盐酸进行浸泡处理，然后用酒精全面擦洗，最后用高纯水煮沸处理即可。
优选地，所述氢氟酸的浓度为45～50wt％，用其浸泡时间为10～15min。
优选地，所述硅片清洗剂的型号为mt-480，用硅片清洗剂浸泡的时间为8～10min。
优选地，所述双氧水-氢氧化钠混合液中h2o2、naoh和水的质量比为0.3～0.5:0.5:1，用该混合液浸泡的时间为5～8min。
优选地，所述盐酸的浓度为5～10wt％，用其浸泡时间为5～8min。
优选地，所述酒精的浓度为75wt％。
优选地，所述用高纯水煮沸处理的时间为5～8min。
优选地，每一步浸泡处理后均用去离子水进行冲洗。
优选地，用去离子水进行冲洗的时间为2～5min。
进一步优选地，所述的多晶破碎机鄂板的处理方法，具体步骤如下：
(1)将所述鄂板用45～50wt％的氢氟酸浸泡10～15min，取出后用流动去离子水冲洗2～5min；
(2)再浸入mt-480硅片清洗剂中浸泡8～10min，取出后用流动去离子水冲洗2～5min；
(3)再浸入双氧水和氢氧化钠的混合液中浸泡5～8min，其中h2o2、naoh和水的质量比为0.3～0.5:0.5:1，取出后用流动去离子水冲洗2～5min；
(4)然后浸入5～10wt％的盐酸中浸泡5～8min，取出后用流动去离子水冲洗2～5min；
(5)用75wt％的酒精对鄂板表面进行全面擦洗；
(6)最后用高纯水煮沸5～8min即可。
本发明方法将鄂板的材质由金属替换成氧化锆陶瓷，其洛氏硬度为88～89，破碎过程中不易产生碎屑杂质。本发明表面处理工艺的步骤及顺序对破碎多晶用氧化锆陶瓷鄂板具有特定选择性，发明人在研究过程中发现添加硅片清洗剂浸泡的步骤对氧化锆陶瓷鄂板具有显著的清洗效果，发明人也曾尝试改变清洗顺序，发现处理效果大大降低。对该氧化锆材质的鄂板，每日使用前用特定的表面处理工艺进行处理，可确保在破碎多晶料过程中鄂板表面整日的洁净度，避免表面杂质混入多晶料，保证了多晶原料的品质，提高了拉晶后单晶产品的寿命。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
一种多晶破碎机鄂板的处理方法，包括如下步骤：
(1)将所述鄂板用48wt％的氢氟酸浸泡10min，取出后用流动去离子水冲洗2min；
(2)再浸入mt-480硅片清洗剂中浸泡10min，取出后用流动去离子水冲洗5min；
(3)再浸入双氧水和氢氧化钠的混合液中浸泡8min，其中h2o2、naoh和水的质量比为0.3:0.5:1，取出后用流动去离子水冲洗35min；
(4)然后浸入5wt％的盐酸中浸泡5min，取出后用流动去离子水冲洗2min；
(5)用75wt％的酒精对鄂板表面进行全面擦洗；
(6)最后用高纯水煮沸5min即可。
实施例2
一种多晶破碎机鄂板的处理方法，包括如下步骤：
(1)将所述鄂板用45wt％的氢氟酸浸泡15min，取出后用流动去离子水冲洗3min；
(2)再浸入mt-480硅片清洗剂中浸泡8min，取出后用流动去离子水冲洗5min；
(3)再浸入双氧水和氢氧化钠的混合液中浸泡5min，其中h2o2、naoh和水的质量比为0.5:0.5:1，取出后用流动去离子水冲洗23min；
(4)然后浸入8wt％的盐酸中浸泡5min，取出后用流动去离子水冲洗5min；
(5)用75wt％的酒精对鄂板表面进行全面擦洗；
(6)最后用高纯水煮沸5min即可。
实施例3……
一种多晶破碎机鄂板的处理方法，包括如下步骤：
(1)将所述鄂板用50wt％的氢氟酸浸泡10min，取出后用流动去离子水冲洗5min；
(2)再浸入mt-480硅片清洗剂中浸泡10min，取出后用流动去离子水冲洗2min；
(3)再浸入双氧水和氢氧化钠的混合液中浸泡5min，其中h2o2、naoh和水的质量比为0.3:0.5:1，取出后用流动去离子水冲洗3min；
(4)然后浸入10wt％的盐酸中浸泡5min，取出后用流动去离子水冲洗2min；
(5)用75wt％的酒精对鄂板表面进行全面擦洗；
(6)最后用高纯水煮沸8min即可。
用实施例1～3的方法破碎后的多晶硅的纯度完全没有变化，而改变处理步骤的顺序后则纯度约降低0.1～0.2％，多晶硅纯度的降低则影响拉晶后单晶的使用寿命。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。