等离子体清洗设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体和显示行业中的对玻璃基板等进行清洗的技术领域，具体地，涉及一种等离子体清洗设备。
【背景技术】
[0002]冷等离子体具有宏观温度低，电子温度高的特点，其富含高活性激发态离子和高能带电粒子，因而适用于对材料表面的改性和玻璃基板的清洗等工艺中；此外，其还适用于对热敏材料的处理，在该过程中，其可以减少被处理对象因高温而变形。而大气压冷等离子体不需要真空设备，可以极大的减少成本和简化工艺，因此，在对玻璃基板等进行清洗时，广泛使用大气压冷等离子体。
[0003]现有显示面板厂商在对玻璃基板进行清洗时，通常所采用的产生等离子体的方式是通过介质阻挡(DBD)放电，产生等离子体。这种产生等离子体的方式的缺点是设备复杂，能耗高，而且电极材料会对玻璃基板产生污染。
[0004]射流是另一种产生等离子体的方式。用于产生等离子体射流的射流设备主要包括具有开孔的等离子体发生筒；所述等离子体发生筒在其一端将通入到其内部的气体激发为等离子体，所述等离子体在筒内流动，并从所述开孔内射出，从而形成等离子体射流。在利用上述射流设备对玻璃基板进行清洗时，放电区域和工作区域分离，可以避免电极结构和材料的影响，同时，射流设备的结构简单，工作成本低，且稳定性高。
[0005]但利用上述射流设备对玻璃基板进行清洗也存在以下问题:
[0006]首先，上述射流设备射出的等离子体难以对玻璃基板形成全覆盖，玻璃基板上的部分区域会没有等离子体或等离子体的密度较低，从而无法达到较好的清洗效果。
[0007]其次，等离子体发生筒的长度和其上开孔的数量会与等离子体的密度之间相互制约。具体地，等离子体发生筒的长度越长，开孔的数量越多，等离子体密度的衰减就越严重，等离子体发生筒内的等离子体的密度均匀性就越低，从而会导致各开孔处等离子体的密度具有较大的差别，从而影响等离子体清洗工艺的均匀性；反之，若使等离子体发生筒内的等离子体分布均匀，就需要等离子体发生筒的长度短，且开孔的数量少，这样一方面会使得等离子体发生筒的长度小于玻璃基板的边长，不利于对高世代线的大尺寸玻璃基板进行清洗，同时，各开孔之间的间隙变大，使玻璃基板表面的等离子体的密度降低，且均匀性下降，从而会降低对玻璃基板清洗的速度和均匀性。
【发明内容】
[0008]本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种等离子体清洗设备，其输出的等离子体可以将玻璃基板均匀地覆盖，从而可以实现更好的清洗效果。
[0009]为实现本发明的目的而提供一种等离子体清洗设备，其包括多个等离子体发生筒；所述等离子体发生筒的一端为进气口，另一端为出气口，每个所述等离子体发生筒将位于其内部的气体激发为等离子体；所述多个等离子体发生筒阵列设置；且所述多个等离子体发生筒下端的开孔交错设置。
[0010]其中，所述等离子体发生筒包括筒体，所述筒体的两端设置有环形电极，所述环形电极环绕在所述筒体的外侧，且与激励电源连接。
[0011 ] 其中，所述激励电源为射频电源或高压交流电源。
[0012]其中，所述筒体的材料为石英玻璃。
[0013]其中，每个等离子体发生筒还包括设置在其下端每个开孔处的喷管。
[0014]其中，所述等离子体发生筒上的相邻开孔之间的间距相同。
[0015]其中，所述等离子体发生筒上的开孔的直径小于所述等离子体发生筒的内壁的直径。
[0016]其中，所述等离子体发生筒的长度至少大于待清洗的玻璃基板最短的一条边的边长。
[0017]其中，所述等离子体发生筒的进气口设置有质量流量计。
[0018]其中，所述等离子体发生筒的出气口设置有废气回收处理装置。
[0019]其中，所述等离子体发生筒内产生的等离子体为大气压冷等离子体。
[0020]其中，所述等离子体发生筒的各开孔的直径相同，且相邻等离子体发生筒上的开孔错开的距离等于所述开孔的直径。
[0021]其中，每个等离子体发生筒上开孔的数量不少于10个。
[0022]其中，所述开孔的直径为6?10毫米。
[0023]其中，所述等离子体发生筒的数量不少于10个。
[0024]本发明具有以下有益效果:
[0025]本发明提供的等离子体清洗设备，其多个等离子体发生筒阵列设置，且多个等离子体发生筒下端的开孔交错设置，使各等离子体发生筒上的开孔在一水平面内均匀分布，从而使自开孔射出的等尚子体均勾地覆盖需要清洗的玻璃基板，与现有技术相比，对玻璃基板清洗时，减少未被等离子体覆盖的死角，从而可以保证对玻璃基板的清洗效果。
【附图说明】
[0026]附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的【具体实施方式】一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中:
[0027]图1为本发明提供的等离子体清洗设备在其实施方式中的示意图；
[0028]图2为多个等离子体发生筒及其开孔的设置方式的示意图。
[0029]其中，附图标记:
[0030]1:等离子体发生筒；2:激励电源；10:进气口 ；11:出气口 ；12:开孔；13:筒体；14:环形电极；15:喷管；K1?K5:开孔；S:玻璃基板；A:等尚子体覆盖区域。
【具体实施方式】
[0031]以下结合附图对本发明的【具体实施方式】进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的【具体实施方式】仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
[0032]本发明提供一种等离子体清洗设备的实施方式。图1为本发明提供的等离子体清洗设备在其实施方式中的示意图；图2为多个等离子体发生筒及其开孔的设置方式的示意图。如图1及图2所示，在本实施方式中，所述等离子体清洗设备包括多个等离子体发生筒I;所述等离子体发生筒I的一端为进气口 10，另一端为出气口 11，每个所述等离子体发生筒I将位于其内部的气体激发为等离子体；所述多个等离子体发生筒I阵列设置；且所述多个等离子体发生筒I下端的开孔12交错设置。
[0033]如图2所示，多个等离子体发生筒I阵列设置，且多个等离子体发生筒I下端的开孔12交错设置，使各等离子体发生筒I上的开孔12在一水平面内均匀分布，从而使自开孔12射出的等离子体均匀地覆盖需要清洗的玻璃基板S (图2中区域A为从开孔12射出的等尚子体所覆盖的区域)，与现有技术相比，对玻璃基板S清洗时，减少了未被等尚子体覆盖的死角，从而可以保证对玻璃基板S的清洗效果。
[0034]如图1所示，所述等离子体发生筒I包括筒体13，所述筒体13的两端设置有环形电极14，所述环形电极14环绕在所述筒体13的外侧，且与激励电源2连接。所述激励电源2具体可以为射频电源或高