一种碳化硅回收废水预处理工艺的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种碳化硅回收废水预处理工艺，包括混凝沉淀和厌氧微生物絮凝两步骤。碳化硅回收废水COD和浊度高、活性硅含量高，通过加入硫酸铝和絮凝剂，能有效降低回收废水中的活性硅含量，从而降低废水浊度和化学需氧量，厌氧颗粒污泥中微生物的絮凝作用，能进一步降低碳化硅回收废水的化学需氧量。
【专利说明】
一种碳化硅回收废水预处理工艺
技术领域
[0001]本发明涉及碳化硅回收废水处理领域，具体涉及一种碳化硅回收废水预处理工
-H-
O
【背景技术】
[0002]目前，半导体芯片制造业已成为许多国家快速增长的重要产业，预计在未来这一产业还将得到快速增长。随着半导体芯片制造业的蓬勃发展，碳化硅回收行业也迅速形成。碳化硅回收主要针对半导体芯片生产行业的切削液，切削液中含有聚乙二醇、碳化硅、多晶硅、单晶硅、废金属等。在半导体芯片生产行业中，切削液具有水量大、高C0D、高悬浮物等特点，直接排放将对水环境造成严重危害。因此，碳化硅微粉回收是一个去除多晶硅、聚乙二醇、废金属等杂质，进而回收碳化硅的过程，具有明显的经济和环境效益。
[0003]碳化硅回收行业排放的污水通常含有碳化硅微颗粒、多晶硅、聚乙二醇、硅酸钠、金属离子等污染物，与典型的碳化硅生产废水存在明显的区别。目前国内外研究主要集中于对碳化硅生产废水的处理，而对碳化硅回收废水处理的研究报道较少。在没有成熟可靠的处理技术之前，碳化硅回收废水的排放将受到环保标准的制约。碳化硅回收过程会产生清洗废水，该废水具有PH值波动大，COD含量高(主要为聚乙二醇)，悬浮物浓度高，盐分高等特点，废水处理难度较大，已成为困扰碳化硅回收行业发展的瓶颈。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于克服现有技术中存在的缺陷，提供一种除杂效果好的碳化硅回收废水预处理工艺。
[0005]为实现上述技术效果，本发明的技术方案为:一种碳化硅回收废水预处理工艺，其特征在于，去除工艺包括以下步骤:
[0006]S1:向碳化硅回收废水中加入硫酸铝和絮凝剂，充分搅拌，硫酸铝的加入量为80?86mg/L，絮凝剂的加入量为3.8?4.2mg/L ；
[0007]S2:向SI所得废水静置沉降，去上层清液；
[0008]S3:向S2所得上层清液中加入厌氧颗粒污泥，废水与厌氧颗粒污泥的混合比例为I: (0.8?1.2)，导入厌氧反应器反应至少72h，即完成碳化硅废水预处理操作。
[0009]其中，所述SI的搅拌时间为8?12min。
[0010]其中，所述SI中絮凝剂为有机高分子絮凝剂。
[0011 ] 其中，所述有机高分子絮凝剂为聚丙烯酰胺。
[0012]本发明的优点和有益效果在于:
[0013]碳化硅回收废水COD和浊度高、活性硅含量高，通过加入硫酸铝和絮凝剂，能有效降低回收废水中的活性硅含量，从而降低废水浊度和化学需氧量，厌氧颗粒污泥中微生物的絮凝作用，能进一步降低碳化硅回收废水的化学需氧量。
【具体实施方式】
[0014]下面结合实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
[0015]实施例1
[0016]实施例1的碳化硅回收废水预处理工艺，包括以下步骤:
[0017]S1:向碳化硅回收废水中加入硫酸铝和絮凝剂，充分搅拌，硫酸铝的加入量为80mg/L，絮凝剂的加入量为3.8mg/L ;
[0018]S2:向SI所得废水静置沉降，去上层清液；
[0019]S3:向S2所得上层清液中加入厌氧颗粒污泥，废水与厌氧颗粒污泥的混合比例为5: 4，导入厌氧反应器反应至少72h，即完成碳化硅废水预处理操作。
[0020]其中，SI的搅拌时间为8min。
[0021]其中，SI中絮凝剂为有机高分子絮凝剂。
[0022]其中，有机高分子絮凝剂为聚丙烯酰胺。
[0023]实施例2
[0024]实施例2的碳化硅回收废水预处理工艺，包括以下步骤:
[0025]S1:向碳化硅回收废水中加入硫酸铝和絮凝剂，充分搅拌，硫酸铝的加入量为83mg/L，絮凝剂的加入量为4mg/L ；
[0026]S2:向SI所得废水静置沉降，去上层清液；
[0027]S3:向S2所得上层清液中加入厌氧颗粒污泥，废水与厌氧颗粒污泥的混合比例为I: I，导入厌氧反应器反应至少72h，即完成碳化硅废水预处理操作。
[0028]其中，SI的搅拌时间为8?12min。
[0029]其中，SI中絮凝剂为有机高分子絮凝剂。
[0030]其中，有机高分子絮凝剂为聚丙烯酰胺。
[0031]实施例3
[0032]实施例3的碳化硅回收废水预处理工艺，包括以下步骤:
[0033]S1:向碳化硅回收废水中加入硫酸铝和絮凝剂，充分搅拌，硫酸铝的加入量为86mg/L，絮凝剂的加入量为4.2mg/L ；
[0034]S2:向SI所得废水静置沉降，去上层清液；
[0035]S3:向S2所得上层清液中加入厌氧颗粒污泥，废水与厌氧颗粒污泥的混合比例为5: 6，导入厌氧反应器反应72h，即完成碳化硅废水预处理操作。
[0036]其中，SI的搅拌时间为12min。
[0037]其中，SI中絮凝剂为有机高分子絮凝剂。
[0038]其中，有机高分子絮凝剂为聚丙烯酰胺。
[0039]也可以选用氧化钙、氧化镁或者季铵盐阳离子树脂等沉淀剂，对废水中活性硅同样起絮凝沉降作用。
[0040]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种碳化硅回收废水预处理工艺，其特征在于，去除工艺包括以下步骤: 51:向碳化硅回收废水中加入硫酸铝和絮凝剂，充分搅拌，硫酸铝的加入量为80?86mg/L，絮凝剂的加入量为3.8?4.2mg/L ; 52:向SI所得废水静置沉降，去上层清液； 53:向S2所得上层清液中加入厌氧颗粒污泥，废水与厌氧颗粒污泥的混合比例为I: (0.8?1.2)，导入厌氧反应器反应至少72h，即完成碳化硅废水预处理操作。2.根据权利要求1所述的碳化硅回收废水预处理工艺，其特征在于，所述SI的搅拌时间为8?12min。3.根据权利要求2所述的碳化硅回收废水预处理工艺，其特征在于，所述SI中絮凝剂为有机高分子絮凝剂。4.根据权利要求3所述的碳化硅回收废水预处理工艺，其特征在于，所述有机高分子絮凝剂为聚丙烯酰胺。
【文档编号】C02F9/14GK105884119SQ201410747113
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2014年12月9日
【发明人】任海涛
【申请人】任海涛