一种硅片清洗系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于半导体领域，涉及半导体扩散片制作工艺中的一种工具，具体涉及一种硅片清洗系统。
【背景技术】
[0002]硅片，是一种半导体器件基础材料，是由硅锭通过切割加工成具有一定厚度的片状基底材料。通过在基底材料上进行若干工序形成具有各种功能的半导体器件，是组成各种电子设备的基础。在半导体器件生产中，大约有20%的工序与硅片清洗有关。硅片经过切片、倒角、研磨、表面处理、抛光、外延等不同工序加工后，表面已经受到严重的污染，清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染。
[0003]目前硅片清洗主要是以化学清洗为主，化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用，或伴以超声、加热、抽真空等物理措施，使杂质从被清除物体的表面脱附，然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗，从而获得洁净表面的过程。化学清洗又可以分为湿法化学清洗和干法化学清洗，其中湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位。
[0004]在湿法化学清洗中，通常采用硅片清洗机进行清洗，采用清洗花篮来盛放硅片，再将清洗花篮放入清洗机中的清洗液中。现有的条件下，一般是将硅片需经过多级清洗，以去除附着在硅片表面的颗粒和氧化物。目前所用清洗设备为多级槽式清洗机，通常含有三级以上清洗槽，待清洗硅片从第一级清洗槽开始逐级清洗后移出，在第一清洗槽中硅片表面附着的杂质最多，以后将逐级减少。在现有的多级清洗槽结构中，每一级清洗槽有独立的进水和出水系统，每级都有废水排出，各级清洗槽中所排出的污水直接排放，清洗硅片所需消耗的水量很大，这样不仅耗水量大，而且还会污染环境。
【实用新型内容】
[0005]根据以上现有技术的不足，本实用新型提供一种硅片清洗系统，通过对现有的硅片清洗系统进行结构调整，以达到清洗效果更好，且废水能够再次利用的目的，以节约生产用水。
[0006]本实用新型所述的一种硅片清洗系统，其特征在于：包括依次连接的喷淋组件、储水池和硅片清洗机，其中，喷淋组件的出水口通过出水管路与储水池的进水口相连，硅片清洗机的进水口通过进水管路与储水池的出水口相连；
[0007]所述的喷淋组件包括清洗槽、设于槽体上方的硅片滚筒传输装置和设置在硅片滚筒传输装置上方用于喷射清洗硅片的多个喷淋管，所述的喷淋组件的出水口位于清洗槽上。
[0008]其中，优选方案如下：
[0009]喷淋组件与储水池之间的出水管路上设置有袋式过滤器。袋式过滤器可以选用200 μ m规格的袋式过滤器，可以将喷淋组件清洗过后废水中的微粒物进行过滤。
[0010]喷淋组件的出水口水平位置高于储水池的进水口，储水池的出水口水平位置高于硅片清洗机的进水口。通过此种方案设计，可以减少了水栗的采购开支，水流可以直接自流至下一道工序，节约了成本。
[0011]本实用新型所具有的有益效果是：（I)喷淋组件利用自身喷淋优势可以替代2?3级清洗，节约了设备成本和用水电成本；（2)经过喷淋组件清洗后的废水可以经过简单处理后再次使用，用作硅片清洗机的清洗用水，节水效果十分显著，既降低了清洗成本，又减少对水资源的浪费。
【附图说明】
[0012]图I为本实用新型的结构示意图；
[0013]图中：1、清洗槽2、硅片滚筒传输装置3、喷淋管4、储水池5、硅片清洗机
6、袋式过滤器。
【具体实施方式】
[0014]以下结合附图和实施例对本实用新型做进一步描述。
[0015]如图I所示，一种硅片清洗系统，包括依次连接的喷淋组件、储水池4和硅片清洗机5，其中，喷淋组件的出水口通过出水管路与储水池4的进水口相连，硅片清洗机5的进水口通过进水管路与储水池4的出水口相连；
[0016]所述的喷淋组件包括清洗槽1、设于槽体上方的硅片滚筒传输装置2和设置在硅片滚筒传输装置2上方用于喷射清洗硅片的多个喷淋管3，所述的喷淋组件的出水口位于清洗槽I上。
[0017]喷淋组件与储水池4之间的出水管路上设置有袋式过滤器6。袋式过滤器6可以选用200 μπι规格的袋式过滤器，可以将喷淋组件清洗过后废水中的微粒物进行过滤。
[0018]喷淋组件的出水口水平位置高于储水池4的进水口，储水池4的出水口水平位置高于硅片清洗机5的进水口。通过此种方案设计，可以减少了水栗的采购开支，水流可以直接自流至下一道工序，节约了成本。
【主权项】
1.一种硅片清洗系统，其特征在于：包括依次连接的喷淋组件、储水池和硅片清洗机，其中，喷淋组件的出水口通过出水管路与储水池的进水口相连，硅片清洗机的进水口通过进水管路与储水池的出水口相连； 所述的喷淋组件包括清洗槽、设于槽体上方的硅片滚筒传输装置和设置在硅片滚筒传输装置上方用于喷射清洗硅片的多个喷淋管，所述的喷淋组件的出水口位于清洗槽上。2.根据权利要求I所述的一种硅片清洗系统，其特征在于：喷淋组件与储水池之间的出水管路上设置有袋式过滤器。3.根据权利要求I所述的一种硅片清洗系统，其特征在于：喷淋组件的出水口水平位置高于储水池的进水口，储水池的出水口水平位置高于娃片清洗机的进水口。
【专利摘要】本实用新型属于半导体领域，涉及一种硅片清洗系统，包括依次连接的喷淋组件、储水池和硅片清洗机，其中，喷淋组件的出水口通过出水管路与储水池的进水口相连，硅片清洗机的进水口通过进水管路与储水池的出水口相连；所述的喷淋组件包括清洗槽、设于槽体上方的硅片滚筒传输装置和设置在硅片滚筒传输装置上方用于喷射清洗硅片的多个喷淋管，所述的喷淋组件的出水口位于清洗槽上。本实用新型所具有的有益效果是：喷淋组件利用自身喷淋优势可以替代2～3级清洗，节约了设备成本和用水电成本；经过喷淋组件清洗后的废水可以经过简单处理后再次使用，用作硅片清洗机的清洗用水，节水效果十分显著，既降低了清洗成本，又减少对水资源的浪费。
【IPC分类】H01L21/67, B08B3/02
【公开号】CN205146761
【申请号】CN201520820350
【发明人】徐海涛
【申请人】青岛金汇源电子有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年10月21日