专利名称：氢氟酸生成装置及氢氟酸生成方法
技术领域：
本发明涉及一种以吸附剂，从排水、废液、废气中、废弃物中等所 含的氟化合物或氟混合物中，将含氟化物的有害物质进行吸附处理，并 由该吸附剂生成氢氟酸(氟化氢酸)的装置及方法。
背景技术：
关于除去排水、废液中所含的氟，并回收该氟的方法，称为晶析法 的方法是广为人知的，该方法根据重结晶析出原理，将废液中的氟离子制成氟化钙(CaF2)后取出。然而，此晶析法在生成高纯度的氟化钙 (CaF2)时存在以下的问题无法从含有氟以外的杂质的排水、废液进 行再生，仅限于半导体制造中所使用的高纯度氢氟酸废液，而且为了获 得氢氟酸需要从氟化钙生成氢氟酸的工序。作为解决此问题的方法，在下述专利文献l中揭示有使用吸附剂来 再生氢氟酸的方法。此方法利用以活性氧化铝及二氧化硅作为主成分的 无机陶瓷系吸附剂，从含有氟的排水、废液中将氟进行吸附处理，使用 吸附处理后的吸附剂来使氢氟酸再生，并利用蒸馏机构来使吸附剂与浓 硫酸溶液反应而从吸附剂分离出氟，将通过蒸馏操作所生成的氟化氲气 体予以液化来获得氢氟酸。若根据此方法，即使从含有各种杂质的氢氟 酸排水等亦可直接再生氢氟酸。专利文献l:特开2004-345949号爿>净艮 发明内容然而，若根据上述专利文献l所记载的方法，在吸附剂中作为杂质 而含有其它金属成分时，氟化物的氟离子容易与其它金属成分结合，从 而产生氢氟酸生成效率降低的问题。而且，由于吸附剂中的二氧化硅因 与浓硫酸反应而分解消失，因此亦发生吸附剂劣化而无法使用的问题。有鉴于此问题，本发明的课题是利用以活性氧化铝及二氧化硅作为主成分的无机陶瓷系吸附剂，从含有氟的排水、废液中将氟进行吸附处 理，并使用吸附处理后的吸附剂来生成氢氟酸的情况下，提高氢氟酸的 生成效率，并且抑制吸附剂劣化。为了解决上述i果题，本发明具有如下构成。第1项所述的发明是一种氢氟酸生成装置，其利用以活性氧化铝及 二氧化硅作为主成分的陶瓷系吸附剂，从含有氟离子的氟化合物或氟混 合物中将氟离子进行吸附处理，并使用吸附处理后的吸附剂来生成氢氟酸；其中，具备蒸馏机构及冷却机构，所述蒸馏机构使上述吸附剂与强 碱或强酸反应，并且添加结晶性二氧化硅来生成六氟硅酸气体，所述冷 却机构冷却由上述蒸馏机构所生成的六氟硅酸气体，并进行水解来生成 氢氟酸。第2项所述的发明是在所述氢氟酸生成装置中，其中，所述蒸馏机构进一步添加磷酸。第3项所述的发明是在所述氢氟酸生成装置中，其中，所述蒸馏机 构蒸馏操作的加热温度设定为IIO'C ~ 160'C。第4项所述的发明是在所述氢氟酸生成装置中，其中，进一步包含 清洗机构，其在所述蒸馏机构中所述蒸馏操作的加热温度达到130。C以 上以后，利用水蒸气，将六氟硅酸气体从所迷蒸馏机构清洗至所述冷却 机构。第5项所述的发明是在第4项所述的氢氟酸生成装置中，所述清洗 机构将水蒸气的清洗的初期速度设定为l分钟送出相对于反应物总量约1/10以下的量的水蒸气的速度，并阶段性地加快清洗速度，在由冷却机 构所生成的氢氟酸量相对于所述反应物总量达到约1~5倍的阶段，停 止水蒸气的清洗。此外，此处的量意味着质量，反应物总量意味着包括 吸附剂量及添加的强碱或强酸及结晶性二氧化硅、进而添加磷酸时还包 括磷酸的总反应物量。第6项所述的发明是在第4或5项所述的氢氟酸生成装置中，所述 冷却机构在1'C 20。C的范围将六氟硅酸气体及水蒸气液化来形成氢氟第7项所述的发明是一种氢氟酸生成方法，其利用以活性氧化铝及 二氧化硅作为主成分的陶瓷系吸附剂，从含有氟离子的氟化合物或氟混 合物等中将氟离子进行吸附处理至吸附饱和，并使用吸附处理后的吸附 剂来使氢氟酸再生；其中，具有蒸馏工序及冷却工序，所述蒸馏工序阶 段性一定量地添加上述吸附剂及强碱或强酸进行反应，并进一步添加微 量的结晶性二氧化硅及磷酸进行反应来暂时生成六氟硅酸，所述冷却工 序一面冷却来液化已生成的六氟硅酸， 一面使其水解来生成氢氟酸。第1项所述的发明在蒸馏机构中添加结晶性二氧化硅来生成六氟硅 酸气体(6HF + Si02—H2SiF6 + 2H20 )。由此，可抑制氟离子与吸附剂 中所含的金属离子反应，提高氢氟酸生成效率。而且，由于通过添加结 晶性二氧化硅来抑制吸附剂的二氧化硅因强酸或强碱而减少，因此可抑 制吸附剂劣化。第2项所述的发明的效果是，在蒸馏机构中，即使吸附剂所含的铝 成分被强酸或强碱溶出，通过添加磷酸，仍可防止溶出的铝与氟结合， 并促进氟化物(HF)的溶出。第3项所述的发明通过将上述蒸馏机构中蒸馏操作的加热温度设定 为110。C ~ 160'C ，可仅馏出六氟硅酸，并抑制馏出其它重金属有害物质。 亦即，由于重金属的沸点甚高，例如铅为1740'C，镉为766'C，铬为 2200。C,三氧化二砷为278°C,汞为356。C，相较于此，六氟硅酸的沸 点约为110。C，因此在110。C 160。C的范围，仅六氟硅酸气化而馏出， 从而可以抑制重金属馏出。第4项所述的发明具备利用水蒸气将六氟硅酸清洗至冷却机构的清 洗机构，在上述蒸馏操作的加热温度达到130'C以后再利用水蒸气进行 清洗，由此来防止由于水蒸气凝聚而造成液量增加，可防止再生氢氟酸 的浓度降低。进一步而言，由于可防止六氟硅酸在中途路径被水解而停 滞，因此可防止六氟硅酸的馏出恶化。第5项所述的发明将水蒸气的清洗的初期速度^L定为l分钟送出相 对于反应物总量约1/10以下的量的水蒸气的速度，并阶段性地加快清 洗速度，在由冷却机构所生成的氢氟酸量相对于上述反应物总量达到约 1~5倍的阶段，停止水蒸气的清洗，从而能以最小限度的水蒸气量，有效地进行六氟硅酸气体的清洗，可防止所获得的氢氟酸的浓度降低。亦 即，在蒸馏机构中反应初期阶段，由于六氟硅酸气体的馏出积极进展，因此将水蒸气速度较小地设定为1分钟相对于反应物量的总量为1/10的量，并随着六氟硅酸气体的馏出速度降低来阶段性地提高水蒸气速 度，以便稳定地清洗氟化物，在所生成的氢氟酸量相对于清洗所用的反应物总量达到约1~5倍的时刻停止清洗，从而可抑制清洗所用的总水 蒸气量，并且可以将所生成的大致全部的六氟硅酸气体向冷却机构赶 出。第6项所述的发明的效果是，在上述冷却机构1'C 20。C的范围将六氟硅酸气体及水蒸气液化来获得氢氟酸，由此在用于清洗的水蒸气液化的过程中，六氟硅酸会被水解而成为氟化物(HF )及四氟化硅(SiF4 )， 由于具有沸点为-86。C的低沸点的四氟化硅(SiF4)在分解后会气化， 并经由除去装置而排出至外部，因此仅具有约20。C以上的沸点的氟化物 (HF)未气化，可溶于水而成为氢氟酸来回收。第7项所述的发明仍旧在蒸馏工序中添加结晶性二氧化硅来生成六 氟硅酸气体，由此可抑制氟离子与吸附剂中所含的金属离子反应，可提 高氢氟酸生成效率。而且，通过添加结晶性二氧化硅来抑制吸附剂的二 氧化硅因强酸或强碱而减少，因此可抑制吸附剂劣化。
图l是模式性地表示实施方式的氢氟酸生成装置的结构图。 图2是表示比较氢氧化钠与硫酸从吸附剂溶出氟化物的量的实验结 果图。符号说明1蒸馏塔 2加热炉 4, 5通路 8原料投入口 10水蒸气发生层 11溶液槽16冷却层41结晶二氧化硅槽43磷酸槽具体实施方式
根据以下图式来详述本发明的实施方式。图l表示本实施方式的氢氟酸生成装置的模式图。本氢氟酸生成装 置设置作为蒸馏机构的蒸馏塔1,在此蒸馏塔1的内部设置加热炉2及 连通于此加热炉2的原料投入通路3，并且设置连通加热炉2与蒸馏塔 1的上部一侧的水蒸气供给用的螺旋状通路4、及连通加热炉2与蒸馏 塔1的上部另 一侧的六氟硅酸气体送出用的螺旋状通路5。在原料投入通路3，经由开闭岡6及送料斗7而连接有原料投入口 8，并进一步在原料投入通路3，经由开闭阀42而连接有结晶性二氧化 硅槽41，并且经由开闭阀44而连接有磷酸槽43。而且，在加热炉2， 经由开闭阀12而连接溶液槽11,该溶液槽11储存有强碱溶液例如氢氧 化钠(NaOH)或强酸溶液例如硫酸(H2S04)。然后，在通路4,经由 开闭阀9而连接有水蒸气发生槽10。水蒸气发生槽IO加热纯水来生成 纯水的水蒸气，将此水蒸气从通路4向加热炉2内供给，来清洗流通于 通路5的六氟硅酸气体。并且，在加热炉2的底部，经由管线35及开 闭阀36而设置有密封型的废液槽37。此管线35设置于不允许后述吸附 剂通过、并仅允许废液流下至废液槽37的固液分离通路。此固液分离 通路亦可形成网状通路或在管线35的上部设置过滤器来构成。在通路5的送出端，经由设有防逆流阀14的连通路15而连接有作 为冷却机构的冷却塔16。此冷却塔16将通过蒸馏操作所生成的六氟硅 酸气体液化并使其水解来形成氢氟酸(HF + H20 );此冷却塔16具备内 管17以及冷却线圈18，所述内管17使六氟硅酸气体从其上端流下并连 接于上述防逆流阀14下端，所述冷却线圏18螺旋状地巻绕于该内管17 的外周并在内部流通有冷却水(工业用水或纯水)。而且，在上述防逆 流阀14的上端连接有除去器46，其除去由六氟硅酸气体的水解所产生 的四氟化硅气体。此外，使用防逆流阀14来防止由蒸馏停止时的温度 减少所伴随的压力差所引起的从冷却塔16馏出的氟化氢酸逆流，也可使用附防逆流阀的开闭阀来代替防逆流阀14。进一步而言，在上述内管 17的下端，经由开闭阀19及管线20而设置有储藏已液化的氟化氢酸的 储藏槽21。在储藏槽21的下一段，经由开闭阀22、管线23及开闭阀24而连 接有多个作为浓缩机构的浓缩塔25， 26， 27。浓缩塔25, 26， 27是对应于 用途目的来将由冷却塔16所液化的氢氟酸浓缩为特定的氢氟酸浓度的 浓缩机构，其通过蒸发特定量的作为氢氟酸中溶剂的水分来调整氢氟酸 浓度。各浓缩塔25， 26， 27的氢氟酸浓度分别相同或不同均可。此外， 由于H20在100。C蒸发，氢氟酸的沸点为108°C，因此在100。C以下进 行加热浓缩。然后，在浓缩塔25,26,27的上部设置管线29，其具备浓 缩时使水蒸气散逸至大气中的防逆流岡构造的散逸阀28。而且，在浓缩 塔25, 26, 27的下部，经由管线30及开闭阀31而i殳置有储存被浓缩为 特定浓度的氢氟酸的储藏槽32， 33, 34。接着，对使用上述构成的氢氟酸生成装置的氢氟酸生成方法进行说明。首先，在原料投入口 8投入固体的使用完毕的吸附剂A。吸附剂A 是以活性氧化铝(此活性氧化铝是多孔质且具有大的比表面积的非结晶 质氧化铝，具有吸附力强的特性)及二氧化硅(Si02)作为主成分的陶 瓷系吸附剂；通过此吸附剂可从混合多种重金属等有害物质的氢氟酸排 水、废液中，利用吸附过滤法来同时或阶段性除去包含该排水、废液中 的氟在内的多种有害物质。这里，使用因使用而成为吸附饱和状态的吸 附剂A。在此吸附饱和状态的吸附剂A中，HF (氟化物)成为作为吸 附剂A成分的二氧化硅(Si02)与HF (氟化物)结合的化合物，即六 氟硅酸(H2SiF6)的状态。即，HF (氟化物)单体中氟离子容易与其 它金属结合，但在吸附饱和状态的吸附剂A中，由于呈现为六氟硅酸的 状态，因此氟离子不易与其它金属结合。此吸附剂A经由送料斗7、开 闭阀6、通路3而落至加热炉2。在此加热炉2内预先从溶液槽11注入与吸附剂A的重量相应的强 碱(例如氢氧化钠)或强酸(例如硫酸)的溶液B。由此，落至加热炉 2的使用完毕的吸附剂A与强碱或强酸的溶液B反应而溶出氟化物。此 外，在吸附剂A上同时吸附有氟化物及铅或溶解性铁等金属成分时，在蒸馏塔1中若与强碱溶液或强酸溶液反应，则从吸附剂A除了溶出氟化 物，还会溶出金属成分。投入加热炉2的溶液B可根据状况来适当选择。例如溶液B若使用 硫酸，则伴随蒸馏操作可能也会微量蒸馏出硫酸根离子(Si04—)，虽产 生混合于馏出液的影响，但硫酸根离子不属于排水限制及地下渗透限制 法等的限制物质，在金属洗涤工序中，有时也将氢氟酸及硝酸、硫酸等 混合来作为混合酸使用，因此其影响程度小。而且，硫酸根离子亦已确 立了以市售的专用离子交换树脂来吸附除去、或使其与溶解性铁化合而 制成硫化铁来进行沉淀处理的一般处理方法，根据情况从馏出液进行除 去处理的方法也是容易的。进一步而言，若使用氢氧化钠来进行溶出处理，可避免硫酸根离子 混合于馏出液。图2表示比较氢氧化钠与硫酸从吸附剂A溶出氟化物量 的实验结果。如图2所示，作为从吸附剂A的含金属成分的氟化物的溶 出处理，氢氧化钠(NaOH)或硫酸(H2S04)的任一方均显示出溶出， 但氢氧化钠的溶出效果稍大。如此，根据使用者所要求的氢氟酸规格，混合硫酸根离子不会构成 问题时以硫酸来进行溶出处理，要求氢氟酸纯度(无其它杂质)时则宜 以氢氧化钠来进行处理。并且,从结晶性二氧化硅槽41将微量的结晶性二氧化硅与吸附剂A 一同投入加热炉2，并进一步从磷酸槽43投入微量的磷酸。未添加结晶 性二氧化硅时，在加热炉2内溶出的氟化物与金属成分会反应而生成金 属氟化物。金属氟化物的沸点非常高，难以进行蒸馏操作。然而，通过 添加微量的结晶性二氧化硅，即可防止氟化物(HF)与金属反应，并 再度生成六氟硅酸(H2SiF6)。而且，若使用吸附剂A与作为强酸溶液的疏酸来反应，作为吸附剂 A成分的二氧化硅与氟化物反应所生成的六氟硅酸维持原样而溶出，吸 附剂A的成分消失，产生无法再次使用的问题，但通过添加结晶性二氧 化硅具有可以防止该问题的优点。此外，由于氟化物难以与非结晶的二氧化硅反应，因此若使用非结晶的二氧化硅，伴随于蒸馏操作的六氟硅酸的再生成及馏出会大幅降 低，因此须选择结晶性的二氧化硅。进一步而言，未投入微量磷酸时，作为吸附剂A主成分的活性氧化 铝，亦即铝成分会与强碱或强酸的溶液B反应，被捕捉进入吸附剂A 中的氟化物无法溶出，并与铝成分引起金属结合而发生生成金属氟化物 的反应。作为此反应的阻碍剂，可通过添加微量磷酸来阻止铝成分与氟 化物反应。如以上，在加热炉2中，从吸附剂A溶出的氟化物(HF)与结晶 性二氧化硅反应，如以下化学式所示生成六氟硅酸(H2SiF6)及水 (2H20 )。6HF+Si02—H2SiF6 + 2H20这里，将通过加热炉2所进行的蒸馏操作的加热温度设定为120'C ~ 160。C，更宜设定为130°C~150。C,尤宜设定为145。C，则由于六氟珪 酸的沸点约为110'C，水沸点约为100'C,因此双方均可成为气化状态。 由此范围的温度，仅沸点低的六氟硅酸气化，六氟硅酸的馏出成为最大， 从而可以阻止沸点高的其它重金属有害物质蒸发。如此所生成的六氟硅酸(H2SiF6)利用从水蒸气发生槽10送来的水 蒸气被清洗至冷却塔16。利用水蒸气开始清洗的时机设定为蒸馏塔1 中的加热温度达到130。C以上的阶段。此外，若在蒸馏塔l的温度小于 130。C的较低温度下生成水蒸气，则水蒸气会在中途的配管路径上凝聚， 六氟硅酸气体在中途停滞，结果由于配管面上生成的水分，会在被导引 至冷却槽16的中途阶段引起水解，进入冷却槽16的六氟硅酸浓度降低。 而且，由于水蒸气在中途阶段凝聚为水分，因此水蒸气量增加、进而六 氟硅酸浓度降低这一恶性循环重复，六氟硅酸的馏出效率降低，导致再 生的氢氟酸浓度降低。另一方面，若使用蒸馏槽1的加热温度在13(TC 以上所生成的水蒸气，即使与100。C的水蒸气混合，温度仍不会成为 100。C以下，在路径中途几乎没有水蒸气凝聚，可大致最大限度地向冷 却槽16送入六氟硅酸气体。另外，若上述清洗的水蒸气量多，则馏出液的浓度降低，亦即在冷却槽16冷却、发生水解而生成的氢氟酸的浓度降低。因此，如下控制 从水蒸气发生槽10送入的水蒸气速度。亦即，水蒸气发生速度在初期 阶段由于六氟硅酸气体的馏出积极地进展，因此以减少水蒸气量为目 的，1分钟的速度设定为相对于反应物量的总量产生1/10的量的速度， 并阶段性地加快速度，在馏出的液量总量相对于反应物量达到约1倍~ 5倍左右的阶段，停止水蒸气的清洗。由此，能以最小限度的水蒸气量 有效地进行六氟硅酸气体总量的馏出，可防止氢氟酸浓度降低。送至冷却塔16的六氟硅酸气体及清洗用的纯水水蒸气在流下内管 17的期间，被冷却线圏18冷却至1'C 20'C的温度范围，更宜冷却至 10。C左右而液化。此外，还可使用冷媒来代替流通于冷却线圈18的冷 却水，并将冷却温度设定于10。C以下左右。在此冷却过程中，六氟硅酸 如下述反应式所示被水解，并分解为氟化物、水及四氟化硅(气体)。H2SiF6-2HF+SiF4t所生成的四氟化硅的沸点低至-86。C,因此在此温度下为气化状态， 从连接于上述内管17的上端部的防逆流岡14经由除去器46被分解排 出。另一方面，所生成的氟化物(HF)的沸点约20'C，在冷却塔16的 冷却温度下不会气化，而且由于具有迅速溶于水的性质，因此溶入纯水 中而成为氢氟酸，并暂时储藏于储藏槽21。储藏于储藏槽21的氢氟酸经由开闭阀22、管线23、开闭阀24而 供给至浓缩塔25、 26、 27，并调整为所需的氢氟酸浓度。若例示有关此 氢氟酸浓度的调整，相对于l卯0升的纯水，由六氟硅酸气体液化而水 解所生成的氢氟酸(馏出液)为IOO升时，生成浓度为5%的氢氟酸， 若在浓缩塔使其蒸发1000升的水分，则成为100/ ( 900 + 100 ) xlOO = 10%的氢氟酸，可将氢氟酸浓度浓缩为2倍。即，仅通过蒸发水分量， 可任意浓缩氢氟酸浓度。此外，若例如使用者所期待的氢氟酸浓度为1 种，则浓缩塔仅为l个即可。如以上所详述，上述实施方式的氲氟酸生成装置是利用以活性氧化 铝(A1203 )及二氧化硅(Si02)作为主成分的陶瓷系吸附剂A,将含有氟化物HF的氟化合物或混合物，例如排水、废液、废弃物及废气中 所含有的氟化物进行吸附处理，并使用吸附处理后的吸附剂A来使氢氟 酸再生的装置；其中，具备蒸馏槽1及冷却槽16，蒸馏槽l添加吸附剂 A、强碱或强酸的溶液B、微量磷酸及结晶性二氧化硅，使氟化物从吸 附剂A分离后，再度生成六氟硅酸，并使其气化，冷却槽16将由水蒸 气的蒸馏操作所生成的六氟硅酸气体液化并水解来形成氢氟酸。根据此结构，蒸馏槽1使吸附剂A与例如氢氧化钠或硫酸的溶液B 反应，使吸附于吸附剂A的氟化物及其它杂质溶出，利用氟化物会迅速 与结晶性二氧化硅反应的性质，来再度生成六氟硅酸(H2SiF6)，六氟 硅酸在约110。C以上的温度下会容易气化而馏出。由于六氟硅酸的沸点 较水稍高而约为IIO'C左右，因此容易与水分离，并且由于沸点低，因 此热能也小，故蒸馏成本也低廉。而且，根据六氟硅酸容易水解的性质，经水蒸气清洗过的六氟硅酸 气体与水蒸气混合后，利用冷却时水蒸气成为水的性质，经液化的六氟 硅酸与水反应而水解，从而可以从六氟硅酸容易地获得氢氟酸。
权利要求
1.一种氢氟酸生成装置，其利用以活性氧化铝及二氧化硅作为主成分的陶瓷系吸附剂，从含有氟离子的氟化合物或氟混合物中将氟离子进行吸附处理，并使用吸附处理后的吸附剂来生成氢氟酸；其中，具备蒸馏机构及冷却机构所述蒸馏机构添加所述吸附剂及强碱或强酸进行反应，并且添加结晶性二氧化硅来生成六氟硅酸气体，所述冷却机构冷却由所述蒸馏机构所生成的六氟硅酸气体，并进行水解来生成氢氟酸。
2. 权利要求l所述的氢氟酸生成装置，其中，所述蒸馏机构进一 步添加磷酸。
3. 权利要求1或2所述的氢氟酸生成装置，其中，所述蒸馏机构蒸馏操作的加热温度设定为not: ~ 160x:。
4. 权利要求1~3中任一项所述的氢氟酸生成装置，其中，所述氢氟酸生成装置进一步包含清洗机构，该机构在所述蒸馏机构中蒸馏操 作的加热温度达到13or;以上之后，利用水蒸气将六氟硅酸气体从所述 蒸馏机构清洗至所述冷却机构。
5. 权利要求4所述的氢氟酸生成装置，其中，所述清洗机构将水 蒸气清洗的初期速度设定为1分钟送出相对于反应物总量约1/10以下的量的水蒸气的速度，并阶段性地加快清洗速度，在由冷却机构所生成的氢氟酸量相对于所述反应物总量达到约1~5倍的阶段，停止水蒸气的清洗。
6. 权利要求4或5所述的氢氟酸生成装置，其中，所述冷却机构在it; 2or;的范围将六氟硅酸气体及水蒸气液化来获得氢氟酸。
7. —种氢氟酸生成方法，其利用以活性氧化铝及二氧化硅作为主成分的陶瓷系吸附剂，从含有氟离子的氟化合物或氟混合物中，将氟离 子进行吸附处理至吸附饱和，并使用吸附处理后的吸附剂来使氬氟酸再生；其中，具有蒸馏工序及冷却工序，所述蒸馏工序阶段性一定量地添加所述吸附剂及强碱或强酸进行反应，并进一 步添加微量的结晶性二氧 化硅及磷酸进行反应来暂时生成六氟硅酸，所述冷却工序一面将已生成 的六氟硅酸冷却并液化， 一面使其水解来生成氢氟酸。
全文摘要
本发明的课题是利用以活性氧化铝及二氧化硅作为主成分的无机陶瓷系吸附剂，从含有氟的排水、废液中将氟进行吸附处理，并使用吸附处理后的吸附剂来生成氢氟酸的情况下，提高氢氟酸的生成效率，并且抑制吸附剂劣化。因此，本发明提供一种氢氟酸生成装置，其利用以活性氧化铝及二氧化硅作为主成分的陶瓷系吸附剂，从含有氟离子的氟化合物或氟混合物中将氟离子进行吸附处理，并使用吸附处理后的吸附剂来生成氢氟酸；且其具备蒸馏机构及冷却机构，所述蒸馏机构使上述吸附剂与强碱或强酸反应，并且添加结晶性二氧化硅来生成六氟硅酸气体，所述冷却机构冷却由上述蒸馏机构所生成的六氟硅酸气体，并进行水解来生成氢氟酸。
文档编号B01D3/00GK101277899SQ20068002030
公开日2008年10月1日 申请日期2006年6月29日 优先权日2005年6月30日
发明者仲喜治一 申请人:日本顶点服务有限会社;堺钢板株式会社