一种半导体封装用背撑膜的涂布设备的制作方法

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种半导体封装用背撑膜的涂布设备。

背景技术：

传统方型扁平式封装(quadflatpackage，qfp)的四侧都带有引脚，具体是使用导电银浆将芯片粘结在引线框架的小岛上，通过焊接金线将芯片与引线框架接通，通过塑封模具将芯片整体塑封，而将引脚露出，属于单一塑封件，而外露的引脚经常容易被弯曲，会影响与其他电气设备的接触性能。

目前随着芯片的集成化程度越来越高，朝着轻型化、薄型化、小尺寸化发展，各行各业使用芯片越来越多，要求芯片制造效率不断提高，为此升级为方形扁平无引脚封装(quadflatno-leadpackage，qfn)，qfn封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比qfp小，高度比qfp低。

然而，qfn封装仍存在固有缺陷：1)引线框架背面(铜材质)易被氧化；2)塑封料容易在背面溢胶，导致影响电气性能。对此，提出一种在芯片背面贴膜以实现背面保护的思想，避免氧化和溢胶现象，提高电气性能。

由于此类保护膜开始贴合于引线框架背面，经过塑封后剥离，对于贴合性、塑形性、不留胶能力、抗张延伸、热稳定性等等都有较高要求，背撑膜的质量直接影响封装质量。背撑膜的生产过程中，涂胶部分为核心工艺，但此处工艺通常存在以下缺陷：

①由于胶水为溶剂型，在传递转移过程中，多个胶辊上的胶水与空气的接触面积加大，溶剂挥发速率过快，胶水粘度迅速增大至少3至5倍，不利于胶水涂布的流平性；

②各个胶辊与溶剂型胶水接触，长期使用会腐蚀膨胀加速老化，严重影响同心度，导致涂胶厚度不均匀，影响传输平稳性；

③长输送线中，张力控制不稳定，产品存在抖动，可能造成摩擦损伤。

因此，希望进一步优化现有涂布设备，以避免上述问题，提高背撑膜的成型质量。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种半导体封装用背撑膜的涂布设备，避免常见的胶水不流平、不均匀现象发生，提高胶水涂布效果，保证背撑膜的成型质量。

为达上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种半导体封装用背撑膜的涂布设备，其中背撑膜包括依次层叠的基膜层、胶水层和离型层，涂布设备包括第一放卷辊、第二放卷辊、微凹辊、真空吸附辊、烘箱、复合压辊和收卷辊，基膜层的基材绕卷于第一放卷辊上，离型层的离型膜绕卷于第二放卷辊上，基材依次经过微凹辊、真空吸附辊、烘箱后，与离型膜于复合压辊处贴合，最终绕于收卷辊上，微凹辊半浸于盛放胶水的储胶槽中，微凹辊的上方两侧对称设置有涂胶压辊，工作时，基材的走向与微凹辊的方向相反，两个涂胶压辊向下运动，使基材与微凹辊贴合而涂胶。

特别地，微凹辊的旋转出胶侧设置有刮刀盖板，通过刮刀盖板将微凹辊表面的胶水刮平而形成均匀的胶层。

特别地，微凹辊的表面设置有斜向45°的网穴。

特别地，烘箱由多节箱体并排组成，通过风频和加热温度控制干燥和固化的程度，各节箱体的风频依次排序呈下凸曲线，各节箱体的温度依次排序呈上凸曲线。

特别地，真空吸附辊位于第一节烘箱的入口前方，真空吸附辊的表面密布有吸附孔，且真空吸附辊的吸力大于烘箱的风力。

特别地，真空吸附辊的真空度为0.1～0.5mpa。

特别地，涂胶压辊下行至使基材与微凹辊形成的切线与水平方向的夹角为30～50°。

特别地，涂布设备还包括除尘机构、电晕机构、纠偏机构和冷却机构，第一放卷辊上的基材依次经过除尘机构表面除尘、经过电晕机构提高表面附着力后到达微凹辊，烘箱出来的基材经过纠偏机构定位而与离型膜于复合压辊处准确贴合，复合完成的成品膜经过冷却机构冷却最后绕于收卷辊上。

特别地，基膜层选用pi膜，胶水层选用有机硅压敏胶，离型层选用pet膜。

特别地，基膜层的厚度为12.5～75μm，胶水层的厚度为2～10μm，离型层的厚度为40～60μm。

综上，本实用新型的有益效果为，与现有技术相比，所述半导体封装用背撑膜的涂布设备实现了对基材表面均匀涂胶、固化胶体、再与离型膜准确复合，确保涂胶效果，以提高背撑膜成型质量，由此制得的背撑膜可耐-40℃至280℃的高低温，尺寸稳定，抗张延伸、绝缘性、热稳定性优异，用于集成电路中半导体的封装，可对半导体起到有效的保护作用。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的半导体封装用背撑膜的涂布设备的结构示意图；

图2是本实用新型实施例提供的半导体封装用背撑膜的涂布设备中微凹辊处结构示意图；

图3是本实用新型实施例提供的半导体封装用背撑膜的涂布设备中微凹辊的表面示意图；

图4是本实用新型实施例提供的半导体封装用背撑膜的涂布设备中真空吸附辊的表面示意图；

图5是本实用新型实施例提供的半导体封装用背撑膜的的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。

请参阅图1至5所示，本实施例提供一种半导体封装用背撑膜的涂布设备，其中背撑膜包括依次层叠的基膜层17、胶水层18和离型层19。此处的基膜层17优选用pi膜，厚度为12.5～75μm为宜；胶水层18优选用有机硅压敏胶，厚度为2～10μm为宜；离型层19优选用pet膜，厚度为40～60μm为宜。

涂布设备包括第一放卷辊1、第二放卷辊2、微凹辊3、真空吸附辊4、烘箱5、复合压辊6和收卷辊7，基膜层17的基材绕卷于第一放卷辊1上，离型层19的离型膜绕卷于第二放卷辊2上，基材依次经过微凹辊3、真空吸附辊4、烘箱5后，与离型膜于复合压辊6处贴合，最终绕于收卷辊7上。

微凹辊3半浸于盛放胶水的储胶槽8中，微凹辊3的上方两侧对称设置有涂胶压辊9，涂胶压辊9下行至使基材与微凹辊3形成的切线与水平方向的夹角为30～50°为宜。工作时，基材的走向与微凹辊3的方向相反，两个涂胶压辊9向下运动，使基材与微凹辊3贴合而涂胶。

特别地，微凹辊3的表面设置有斜向45°的网穴10，微凹辊3的旋转出胶侧设置有刮刀盖板11，通过刮刀盖板11将微凹辊3表面的胶水刮平而形成均匀的胶层。

采用微凹辊3逆向涂布方式，胶水通过齿轮泵抽料至储料槽8中，经过微凹辊3带胶转移至基材表面，主要有以下优势：

①微凹辊3直径φ50-70mm，料槽宽度80-120mm，加上刮刀盖板11覆盖在料槽上方，极大的降低胶水与空气的接触面积，在连续量产过程中，胶水粘度变化控制在10％内，有利于胶水的稳定性；

②由于微凹辊3与基材行进方向相反，微凹辊3具有将胶水抹平的功能，保障胶水在基材表面左中右的均匀性；

③微凹辊3辊小且半浸于储胶槽8中，保障料槽中胶水体系的均匀性，减少气泡的产生。

此处的烘箱5由多节箱体并排组成，通过风频和加热温度控制干燥和固化的程度，各节箱体的风频依次排序呈下凸曲线，各节箱体的温度依次排序呈上凸曲线。

以7节烘箱5示例，其风频依次为：50hz、40hz、30hz、30hz、30hz、40hz、40hz；其温度依次为：80℃、120℃、160℃、200℃、200℃、180℃、120℃；遵循低温干燥，高温固化的原则，优化烘箱5参数设置可提高固化效果，解决后面的留胶问题。

值得一提的是，由于第一节烘箱5进风量最大，涂胶后的基材进入进入烘箱5前，张力控制非常不稳定，运行中很容易导致基材漂浮不定，抖动比较厉害，基材极有可能与设备摩擦刮伤。

对此，在第一节烘箱5的入口前方设置真空吸附辊4，真空度优选为0.1～0.5mpa，真空吸附辊4的表面密布有吸附孔12，且真空吸附辊4的吸力大于烘箱5的风力，由此将基材牢牢固定在真空吸附辊4表面，并且由真空吸附辊4提供主动力，同步运转，大大提高涂胶膜左中右张力的稳定性。

此外，涂布设备中还包括除尘机构13、电晕机构14、纠偏机构15和冷却机构16，第一放卷辊1上的基材依次经过除尘机构13表面除尘、经过电晕机构14提高表面附着力后到达微凹辊3，烘箱5出来的基材经过纠偏机构15定位而与离型膜于复合压辊6处准确贴合，复合完成的成品膜经过冷却机构16冷却最后绕于收卷辊7上。由此，形成一条自动化程度高、涂胶效果好、成品质量高的生产线。

综上，上述半导体封装用背撑膜的涂布设备实现了对基材表面均匀涂胶、固化胶体、再与离型膜准确复合，确保涂胶效果，以提高背撑膜成型质量，由此制得的背撑膜可耐-40℃至280℃的高低温，尺寸稳定，抗张延伸、绝缘性、热稳定性优异，用于集成电路中半导体的封装，可对半导体起到有效的保护作用。

以上实施例只是阐述了本实用新型的基本原理和特性，本实用新型不受上述事例限制，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还有各种变化和改变，这些变化和改变都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。