一种筒式介质阻挡放电低温等离子反应装置及反应系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于工业废气低温等离子催化处理领域，具体涉及一种筒式介质阻挡放电低温等离子反应装置及反应系统。
【背景技术】
[0002]等离子体技术是高新技术研究的前沿之一，等离子体是由电荷数目相近的正粒子、负粒子(其中包括正离子、负离子、电子、自由基和各种活性基团等)组成的集合体，并表现出集体行为的一种准中性非凝聚系统，是固体、液体和气体三态以外的新的聚集态，又称物质的第四态。气体本身是电的绝缘体，当外加电压达到气体的着火电压时，气体分子被击穿，产生包括电子、各种离子、原子和自由基在内的混合体低温等离子体。放电过程中虽然电子温度很高，但是重粒子温度很低，整个体系呈低温状态，所以称为低温等离子体。它们在宏观上呈电中性，其粒子的平均能量为:l〈W〈2xl069V。现在利用等离子体的高能量可以进行常规条件下难于进行的化学反应或材料的加工制备等。
[0003]等离子技术已广泛地应用于化学合成、环境科学、材料科学、表面科学、生物及生命科学等领域。应用于环保化学化工上的等离子体是含有各种激发态的电子、原子、自由基和离子等活性基团的离子化气体。这种低温等离子体用于降解污染物，其利用的是这些高能电子、自由基等活性粒子和废气中的污染物作用，使污染物分子在极短的时间内发生分解，并发生后续的各种反应，以达到降解污染物的目的。
[0004]典型的常温常压条件下用于产生低温等离子体的方法主要有电晕放电(coronadischarge)、辉光放电(glow discharge)和介质阻挡放电(Dielectric BarrierDischarge，DBD)等。
[0005]辉光放电通常通过在放置板状电极的玻璃管内充入低压气体，并在两极间施加较高电压来获得，其功率密度适中而且放电均匀，可以用来产生具有较高电子能量的非平衡态低温等离子体。辉光放电非常适合应用于材料表面改性及薄膜沉积等领域，但其产生需要昂贵的真空设备，在应用时不能连续运行，需采用分批处理的方式，故难以满足大规模工业应用的要求。
[0006]电晕放电一般通过不对称电极来获得，可以产生稳定的非平衡态低温等离子体。目前，这种形式的放电已被广泛应用于工业污染治理。但电晕通常发生在极不均匀电场中的强场强区域的小范围空间内，不适于工业上的大规模表面处理。且这种放电较弱，产生等离子体及活性粒子的效率太低，大大限制了其应用前景。
[0007]介质阻挡放电的机理和过程是给电极施加一定频率和电压的交流电，并在放电间隙插入阻挡介质，当达到气体的击穿场强时，工作气体会放电。通过放电间隙的电流是由大量叫做微放电的纳秒级快脉冲电流细丝组成，这些微放电在时间和空间上无规则地分布在整个放电空间，在微放电中平均电子能量较高(I一1eV)，而离子能量不高，S卩非平衡态的低温等离子体。介质可以覆盖在电极上也可以悬挂在放电空间里。其运行气压范围较宽，能够在接近常温和大气压下产生大面积、高能量密度的低温非平衡等离子体，且其产生无需真空设备。在这样的等离子体氛围下，再配加其他一些工艺条件，如选择合适的工作气体、气压以及电气参数等，即可达到化学合成、分解等不同的工作目的。反应装置放电功率的大小，对于工作状态、运行效果有着重要影响。介质阻挡放电是更适合大规模连续化工业应用的一种气体放电形式，被广泛地应用于许多生产和研究领域。利用气体放电产生的低温等离子体处理工业废气等污染物，具有处理流程简便、净化效率高、能耗低、无二次污染以及能够同时处理微粒等优点，应用前景广阔。
[0008]目前介质阻挡放电反应装置主要有平板电极结构和同轴圆柱结构(轴向进气)两种，均存在反应装置单元结构的气体通流截面积增大困难的问题。
[0009]平板电极结构放电区域气体通流截面积为垂直于气流进入方向的放电气隙高度与平板长度的乘积。增大气体通流截面积可增加放电气隙高度或增加平板长度。平板反应装置的击穿放电电压与放电气隙高度成正比，增加气隙高度将导致装置工作电压的线性增加，使电源设计制造及系统绝缘困难。受限于生产工艺，较长面积的平面阻挡介质(陶瓷、石英等)加工制造困难、成本尚、强度低、易损坏。
[0010]轴向进气的同轴圆柱结构放电区域气体通流截面积仅取决于芯电极与管电极间的环形面积，与电极轴向长度无关。增大气体通流截面积只能通过增加芯电极与管电极间的气隙间距，增加气隙高度将导致装置工作电压的增加，使电源设计制造及系统绝缘困难，难以用于处理大流量气体。传统介质阻挡放电同轴柱筒式反应装置，如专利(2013100935014)中所示单元结构，均未采用导流模块，气体由柱筒轴向进入反应装置中，认为气体均匀分布于芯电极与电极壳之间形成的环形区域内，且环形区域空间有限，导流模块难于设计和布置，因此该种反应装置中不设置导流模块。上述结构缺点在于:在上述反应装置中，气体沿着柱筒轴向流动，在环形区域内主要以层流方式流动，扰动非常微弱。沿柱筒径线方向，在芯电极附近，电场强度高，被激发为等离子态的高能粒子较多，而在电极壳附近，电场强度较弱，被激发的高能粒子较少，低能态粒子较多。层流流动不利于强、弱电场间高能态粒子与低能态粒子间的能量交换(主要以粒子碰撞方式进行)，因此，不设置导流模块的该种反应装置对强化DBD没有效果。
【发明内容】
[0011]本发明的目的是为了解决以上技术问题，提供一种筒式介质阻挡放电低温等离子反应装置及反应系统，本装置能够多维度调节DBD放电区域通流截面积；能够处理大流量气体；能够增强气体扰动，强化等离子体催化；并且能够提高多种气体混合均匀程度；DBD击穿电压和放电功率均较低，可降低处理废气成本；可单独工作也可矩阵布置工作的介质阻挡放电低温等离子催化装置。
[0012]为了解决以上技术问题，本发明的技术方案为:
[0013]—种筒式介质阻挡放电低温等离子反应装置，包括芯电极、电极罩壳、绝缘介质以及驱动电源，其中，所述芯电极与电极罩壳同轴设置，绝缘介质安装在芯电极与电极罩壳之间，驱动电源分别与所述芯电极和电极罩壳连接，所述电极罩壳上设置有两个沿电极罩壳轴向的气体通道，这两个气体通道相对于芯电极棒的中心线对称设置。由于芯电极、电极罩壳以及绝缘介质可以设定不同的长度，可以实现反应装置的气体流通面积的轴向调节，改变气体通流截面积的大小，进而调节气体的流量。
[0014]优选的，所述反应装置还包括导流模块，所述导流模块沿一个所述气体通道的外侧设置。
[0015]优选的，所述芯电极为芯电极棒。反应装置内部电场强度不均匀，当采用小曲率半径的内电极时，相对较低的输入电压在内电极表面处即可获得较大的电场强度，从而有利于气体的击穿和低温等离子体的产生。
[0016]优选的，所述电极罩壳为一个整体。
[0017]优选的，所述电极罩壳包括对称设置的两部分，这两部分配合，构成气体通道；电极罩壳与所述芯电极棒之间的距离能够调节。通过调节电极罩壳与芯电极棒之间的距离，实现气体流通面积的径向调节，改变气体通流截面积的大小，进而调节气体的流量。
[0018]优选的，所述绝缘介质的形状为中空圆柱体。绝缘介质采用管式结构(石英管、陶瓷管)，与平面结构相比，该结构的阻挡介质，具有制造加工工艺简便、成本低、强度相对较高的优点，并且能够通过增加介质管轴向及径向尺寸来获得较大的DBD区域容积。
[0019]进一步优选的，所述绝缘介质紧密套合在芯电极棒上。
[0020]进一步优选的，所述绝缘介质套合在芯电极棒上，且与芯电极棒之间留有间隙。
[0021]—种筒式介质阻挡放电低温等离子反应系统，所述反应系统由若干个所述的反应装置并联和/或串联而成，所述反应系统的气体入口端设置导流装置。并联的反应装置可以同时处理大量的气体，提高气体的净化效率，串联的反应装置通过延长气体的催化时间进而可以提高气体的催化净化效果，串联加并联的反应系统，不光可以提高气体的催化效率，还能提高气体的催化净化效果，增强反应装置对气体流量与流速的适应性。
[0022]—种筒式介质阻挡放电低温等离子反应系统，所述反应系统由若干个所述的反应装置轴向叠加而成，所述反应系统的气体入口端设置导流装置。轴向叠加可以是通过改变反应装置轴向长度，即可以增加气体通道的长度。在阻挡介质不变的情况下，反应装置DBD电压主要取决于两电极间放电间隙的距离。因此，轴向调节增大气缝长度(L)，只增加气体通流截面积S，而不会引起DBD电压的增大。
[0023]本发明的有益效果为:
[0024]1、本发明反应装置结构单元可以同时采用径向调节和轴向调节的方式改变气体通流截面积大小，进而增大处理气体的流量。径向调节是通过改变固体绝缘介质套筒与金属电极罩壳单位轴向长度的半径差值实现的，即调节气缝高度。轴向调节是通过改变反应装置轴向长度实现的，即气缝长度。本发明的反应装置结构可是实现DBD区域径向与轴向的双维度变化，可在不增大驱动电源工作电压的情况下增加气体通流截面积(轴向调节)，也可在驱动电源工作电压略有增加的情况下增加气体通流截面积(径向调节)。因此，本发明有效解决了平板式反应装置和轴向进气线管式反应装置单元结构的气体通流截面积难以增大的缺陷。
[0025]2、本发明反应装置带有前置导流模块，导流模块具有以下优点:
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