一种硅金属的粉碎装置的制造方法

文档序号:10164030阅读:481来源:国知局
一种硅金属的粉碎装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及工业加工技术领域,特别是指一种硅金属的粉碎装置。
【背景技术】
[0002]目前,在直拉单晶和多晶铸锭前,为了提高单炉装料量及产量,通常情况下,通过手工敲砸的方法将大块硅料粉碎成一定直径大小的颗粒状碎料,产生的粉尘既影响生态环境,工作时又不安全,且增加了损耗。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型要解决的技术问题是提供一种硅金属的粉碎装置,避免产生粉尘影响生态环境,提高了研磨效果和效率。
[0004]为解决上述技术问题,本实用新型的实施例提供一种硅金属的粉碎装置,包括盛料杯、上研磨盘和下研磨盘,所述下研磨盘固定在盛料杯内中心处,所述下研磨盘上方固定有电机,所述电机的驱动轴上固定有连杆,所述连杆两端可拆卸式与上研磨盘上侧面相连接,所述上研磨盘相配合的套接在下研磨盘上。
[0005]作为优选,所述下研磨盘包括底盘,所述底盘上设有直径逐渐减小的圆台,所述电机固定在圆台上表面,所述圆台的斜面上设有第一研磨筋。
[0006]作为优选,所述上研磨盘下方中心处设有凹槽,所述凹槽的槽壁为与圆台相适配的锥面,所述锥面上设有与第一研磨筋相配合的第二研磨筋,所述凹槽顶部设有连通至上研磨盘顶侧的通孔,所述通孔内径大于圆台顶面直径。
[0007]本实用新型的上述技术方案的有益效果如下:结构简单,技术合理,使用方便,通过可分离的上研磨盘和下研磨盘,完成研磨后,通过分离上研磨盘和下研磨盘使得粉末盛装在盛料杯内;另外通过下研磨盘的第一研磨筋和上研磨盘的第二研磨筋相配合,便于硅金属料进入上研磨盘、下研磨盘的研磨区,从而提高了研磨效果和效率。
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型一种硅金属的粉碎装置实施例的截面示意图。
[0009]图2为图1中下研磨盘结构示意图。
[0010]图3为图1中上研磨盘的俯视图。
【具体实施方式】
[0011]为使本实用新型要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
[0012]本实用新型针对现有的不足提供一种硅金属的粉碎装置,如图1所示,包括盛料杯4、上研磨盘5和下研磨盘3,所述下研磨盘3固定在盛料杯4内中心处,所述下研磨盘3上方固定有电机2,所述电机2的驱动轴上固定有连杆1,所述连杆1两端可拆卸式与上研磨盘5上侧面相连接,所述上研磨盘5相配合的套接在下研磨盘3上。
[0013]如图2所示,所述下研磨盘3包括底盘33,所述底盘33上设有直径逐渐减小的圆台31,所述电机2固定在圆台31上表面,所述圆台31的斜面上设有第一研磨筋32。
[0014]如图3所示,所述上研磨盘5下方中心处设有凹槽,所述凹槽的槽壁为与圆台31相适配的锥面52,所述锥面52上设有与第一研磨筋32相配合的第二研磨筋53,所述凹槽顶部设有连通至上研磨盘3顶侧的通孔51,所述通孔51内径大于圆台31顶面直径。
[0015]以上所述是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型所述原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种硅金属的粉碎装置,其特征在于,包括盛料杯、上研磨盘和下研磨盘,所述下研磨盘固定在盛料杯内中心处,所述下研磨盘上方固定有电机,所述电机的驱动轴上固定有连杆,所述连杆两端可拆卸式与上研磨盘上侧面相连接,所述上研磨盘相配合的套接在下研磨盘上。2.根据权利要求1所述的一种硅金属的粉碎装置,其特征在于,所述下研磨盘包括底盘,所述底盘上设有直径逐渐减小的圆台,所述电机固定在圆台上表面,所述圆台的斜面上设有第一研磨筋。3.根据权利要求2所述的一种硅金属的粉碎装置,其特征在于,所述上研磨盘下方中心处设有凹槽,所述凹槽的槽壁为与圆台相适配的锥面,所述锥面上设有与第一研磨筋相配合的第二研磨筋,所述凹槽顶部设有连通至上研磨盘顶侧的通孔,所述通孔内径大于圆台顶面直径。
【专利摘要】本实用新型涉及工业加工技术领域,特别是指一种硅金属的粉碎装置,包括盛料杯、上研磨盘和下研磨盘,所述下研磨盘固定在盛料杯内中心处,所述下研磨盘上方固定有电机,所述电机的驱动轴上固定有连杆,所述连杆两端可拆卸式与上研磨盘上侧面相连接,所述上研磨盘相配合的套接在下研磨盘上。本实用新型的上述技术方案的有益效果如下:结构简单,技术合理,使用方便,通过可分离的上研磨盘和下研磨盘,完成研磨后,通过分离上研磨盘和下研磨盘使得粉末盛装在盛料杯内;另外通过下研磨盘的第一研磨筋和上研磨盘的第二研磨筋相配合,便于硅金属料进入上研磨盘、下研磨盘的研磨区,从而提高了研磨效果和效率。
【IPC分类】B02C7/04, B02C7/12
【公开号】CN205074044
【申请号】CN201520859082
【发明人】陆树河, 樊子民
【申请人】西安科技大学
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年10月23日
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