高铁棒形绝缘子釉浆的实时搅拌除铁工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于高铁棒形绝缘子釉浆的除铁新工艺，属于材料领域，该工艺主要用于电瓷生产制造行业。
[0002]
【背景技术】
[0003]电瓷釉是附着于电瓷坯体表面的连续玻璃质层。它可增强电瓷强度，提高电瓷介电性能，同时使电瓷具有平滑光泽的表面，增加电瓷的美观。但若釉中含有铁杂质，将影响瓷件外观，产生斑点，显著降低电瓷机械性能和电气性能，从而造成瓷件质量下降，严重时广生废品。
[0004]目前我国陶瓷工业釉浆除铁主要有干法除铁和湿法除铁两大工艺。干法除铁设备常用的有轮式磁选机，滚筒式磁选机和传动带式磁选机等。由于物料与磁极间均有间隙，因此这些除铁设备实际有效磁场强度很低，且这种方法只对物料中的强磁性铁矿物有效。而电瓷釉料中常常含有一些弱磁性铁矿物，如赤铁矿、菱铁矿等，这些矿物用上述方法就不能除去。湿式强磁场除铁设备可以除去釉浆中的部分弱磁性铁矿物，但目前湿式强磁场除铁采用制釉后一次除铁工艺，未在上釉工序采用高强磁除铁器进行循环除铁，因而存在上釉时弱磁性物质排除不足现象。
[0005]目前除铁环节通常是球磨形成釉浆后在过筛过程中采用电磁除铁器直接对釉浆进行，釉浆盛装在上釉釉浆槽中，通过浸釉或者淋釉的方式对坯体施釉。为了提高上釉质量，该环节中有采用搅拌措施。目前上釉工序的搅拌采用人工进行，人工搅拌本身存在不均现象。同时，釉浆是高浓度胶体，釉浆中各原料比重不一，密度大的成分容易沉淀，即易产生分层和沉淀现象，由此造成釉料成分不均匀，使得烧成后的瓷件釉面颜色、亮度不一致。另夕卜，上釉工序通常不再进行除铁，在上釉的同时未除铁，烧成后釉面铁点明显，影响产品外观及机电性能。
[0006]
【发明内容】
[0007]针对现有技术存在的上述不足，本发明的目的是提供一种釉浆实时搅拌除铁工艺，本工艺在上釉的同时进行搅拌除铁，既提高除铁效果，又保证釉料成分均匀，使得烧成后的瓷件釉面颜色、亮度一致。
[0008]本发明的技术方案是这样实现的:
高铁棒形绝缘子釉浆的实时搅拌除铁工艺，将制备的釉浆放入釉浆池，上釉槽位于釉浆池上方，在上釉槽底部设有一排高强磁除铁器，用于对上釉槽内的釉浆进行上釉工序的除铁；上釉槽一端通过返料管接釉浆池一端，釉浆池另一端通过循环栗将釉浆池内的釉浆栗送至上釉槽内远离返料管的另一端，从而使釉浆在上釉的同时在釉浆池和上釉槽间循环流动，利用流动以及返料管回流釉浆因为重力带来的冲击力实现搅拌功能。
[0009]进一步地，通过球磨工艺制备釉浆后，釉浆经电磁振动筛过筛并先进行一次除铁，而后陈腐待用；然后再置于釉浆池中用于上釉，实现在釉浆池和上釉槽间的循环流动。
[0010]每隔一定时间对高强磁除铁器进行清洗处理，以保证除铁效果。
[0011]本发明电瓷釉浆在球磨制备过程中进行一次除铁，然后在上釉工序中再除铁，上釉工序中的除铁循环进行，且伴随有搅拌。相比现有技术，本发明具有如下有益效果:
1、从产品外观比较，本发明生产的棒形绝缘子表面光洁度提高，釉面光亮性增强，制品不再有铁质斑点产生。
[0012]2、从质量指标比较，本发明生产的棒形绝缘子因铁质斑点影响制品废品率由10%降至0%。明显改善了产品外观，使得釉面光亮一致，无铁点，瓷件合格率由之前的75%大幅提尚至92%。
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【附图说明】
[0014]图1-本发明上釉工序釉浆搅拌、循环自动除铁装置示意图。
[0015]图2-本发明釉浆制备、搅拌和自动循环除铁工艺流程图。
[0016]
【具体实施方式】
[0017]下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。
[0018]参见图1和图2，本发明高铁棒形绝缘子釉浆的实时搅拌除铁工艺，将制备好的釉浆放入釉浆池3，上釉槽I位于釉浆池3上方，在上釉槽I底部设有一排高强磁除铁器2，用于对上釉槽内的釉浆进行上釉工序的除铁。上釉槽I一端通过返料管接釉浆池3 —端，釉浆池3另一端通过循环栗4将釉浆池内的釉浆栗送至上釉槽I内远离返料管的另一端，从而使釉浆在上釉的同时在釉浆池和上釉槽间循环流动，利用流动以及返料管回流釉浆因为重力带来的冲击力实现搅拌功能。为保证优良的除铁效果，每隔一定时间(如2小时)对高强磁除铁器进行清洗处理。本发明工艺流程见图2。
[0019]本发明在上釉的同时实现了釉浆除铁，同时实现了上釉工序的实时搅拌。本发明搅拌通过流动和浆料自身的冲击完成，这种搅拌更均匀，避免了釉浆分层和沉淀现象，故釉料成分均匀，烧成后的瓷件釉面颜色、亮度一致。另外，上釉的同时除铁，且除铁因为釉浆是循环流动的而反复进行，因此除铁效果显著提高，烧成后釉面无铁点，大大提高了产品外观及机电性能。
[0020]本发明实际使用电瓷釉粒度小于250目，釉浆的主要成分为:石英，高岭土，石灰石，白云石，长石，锆英石等，配方中Fe2O3杂质占0.39%。从釉浆中所含氧化物成分分析，Fe2O3是弱磁性物质，其余氧化物成分均是非磁性物质，具备采用高强磁除铁器进行除铁条件。同时，釉楽粒度在0.06mm以下，其流动性很好，釉楽中所含Fe2O3杂质为粒度小于0.05mm以下的细粒，因而适合用高强磁除铁器处理。
[0021]下面结合图1就上釉工序多次循环除铁工艺进行详细说明:由制釉工序送至上釉工序的釉浆先放入上釉用的釉浆池3中，开启循环栗4，抽送浆料至上釉槽I内，在上釉槽底部设有一排高强磁除铁器2，由高强磁除铁器2对釉浆进行一次除铁，上釉，而后釉浆利用重力通过返料管回流至釉浆池3中，回流时利用回流冲击力实现对釉浆池3中的釉浆搅拌，完成一次自动循环搅拌、除铁。釉浆池3中釉浆再次由循环栗4抽送至上釉槽I内由高强磁除铁器进行二次除铁，上釉。釉浆就在上述循环过程中实现多次自动搅拌、除铁目的，从而保证浆料中弱磁性Fe2O3物质含量由0.39%降至0.08%，实现瓷件表面光洁、无斑点，电瓷产品合格率由75%提高至92%，提高幅度达到17%，机电性能提高10%。
[0022]为了提高除铁效率并便于清洗，所述高强磁除铁器倾斜设置，以增大除铁器与釉浆的接触面积。同时，图1中釉浆池底按左低右高倾斜设置，池底倾斜度1°~2°，以增加冲击力，同时便于池底清洗。即与返料管对应的釉浆池底端高，与循环栗对应的釉浆池底端低。
[0023]图2是本发明釉浆制备、搅拌和自动循环除铁工艺全流程图。结合图2介绍如下，采购回来的釉用原料经检测符合技术指标要求后分别放入不同原料库，然后按生产配方比例进行配料称量，称量后加入釉用球磨机中并加水、添加剂进行细碎加工，球磨25h后检测釉浆细度、粘度、水分、密度，四指标符合工艺要求后放浆，得到球磨后釉浆。釉浆经电磁振动筛过筛并除铁，该除铁为初次除铁，而后放入陈腐用釉浆池中陈腐48h待用。经陈腐后釉浆送入图1的上釉装置，在该装置内开启循环栗将釉浆从釉浆池内抽送至上釉槽中，经高强磁除铁器处理后釉浆进行上釉，上釉槽中上釉剩余釉浆在自身重力作用下通过返料管重新回到釉浆池内，利用冲击力对釉浆池内釉浆进行搅拌，完成一次自动循环搅拌、除铁操作。而后循环栗再次将釉浆池内浆料抽送至上釉槽，进行二次除铁、上釉。如此反复，自动完成搅拌、送楽、除铁、上釉、回流循环操作，因而可使釉浆中弱磁性Fe2O3物质达到最少，实现理想的除铁目的。
[0024]本发明上釉工序中采用带搅拌的除铁装置，克服传统电瓷生产在上釉工序中不除铁、不搅拌或仅为人工搅拌的弊端，解决了釉浆处理后仍含有微细铁杂质问题，避免了电瓷制品烧成后表面存在细小黑斑，影响电瓷制品机电性能和外观质量。
[0025]本发明上釉的同时实时搅拌并使釉浆在高强磁条件下除铁工序反复进行，保证上釉、烧成后的产品釉面颜色、亮度一致，无铁点，产品机电性能显著提升。
[0026]本发明的上述实施例仅仅是为说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其他不同形式的变化和变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举。凡是属于本发明的技术方案所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。
【主权项】
1.高铁棒形绝缘子釉浆的实时搅拌除铁工艺，其特征在于:将制备的釉浆放入釉浆池，上釉槽位于釉浆池上方，在上釉槽底部设有一排高强磁除铁器，用于对上釉槽内的釉浆进行上釉工序的除铁；上釉槽一端通过返料管接釉浆池一端，釉浆池另一端通过循环栗将釉浆池内的釉浆栗送至上釉槽内远离返料管的另一端，从而使釉浆在上釉的同时在釉浆池和上釉槽间循环流动，利用流动以及返料管回流釉浆因为重力带来的冲击力实现搅拌功會K。2.根据权利要求1所述的高铁棒形绝缘子釉浆的实时搅拌除铁工艺，其特征在于:通过球磨工艺制备釉浆后，釉浆经电磁振动筛过筛并先进行一次除铁，而后陈腐待用；然后再置于釉浆池中用于上釉，实现在釉浆池和上釉槽间的循环流动。3.根据权利要求1所述的高铁棒形绝缘子釉浆的实时搅拌除铁工艺，其特征在于??每隔一定时间对高强磁除铁器进行清洗处理，以保证除铁效果。
【专利摘要】本发明公开了一种高铁棒形绝缘子釉浆的实时搅拌除铁工艺，将制备的釉浆放入釉浆池，上釉槽位于釉浆池上方，在上釉槽底部设有一排高强磁除铁器，用于对上釉槽内的釉浆进行上釉工序的除铁；上釉槽一端通过返料管接釉浆池一端，釉浆池另一端通过循环泵将釉浆池内的釉浆泵送至上釉槽内远离返料管的另一端，从而使釉浆在上釉的同时在釉浆池和上釉槽间循环流动，利用流动以及返料管回流釉浆因为重力带来的冲击力实现搅拌功能。本工艺在上釉的同时进行搅拌除铁，既提高除铁效果，又保证釉料成分均匀，使得烧成后的瓷件釉面颜色、亮度一致。
【IPC分类】B03C1/30, C04B41/86, B01F5/10
【公开号】CN105107626
【申请号】CN201510485300
【发明人】毕少川, 邓建国, 辜川华
【申请人】自贡红星高压电瓷有限公司
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2015年8月10日