专利名称：一种芯片铜互连封装用高效划片液的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种划片液，具体地，涉及一种芯片铜互连封装用高效划片液。
背景技术：
半导体集成电路在晶圆上完成加工，每片晶圆上集成了上万(甚至几十万)个集成电路芯片。制作好集成电路的晶圆传递到封装厂制作成半导体器件，封装厂首先将晶圆上的集成电路切割成独立芯片单元，然后将芯片封装到封装体中形成半导体元件。切割过程中划刀与晶圆的摩擦，会产生碎屑及静电，碎屑粘附在焊盘上难以清洗干净，同时由于焊盘直接暴露在空气中，容易产生腐蚀，这些都会导致后续的金线与焊盘焊接不良，引起失效。随着半导体技术的发展和市场需要，芯片线宽特征尺寸越来越小，特别当特征尺寸达到45nm以下时，微小的碎屑粘附就会带来产品的失效，此时对划片工艺要求会更高。需要一种高效的芯片划片液，能够有效减少切割过程中产生的碎屑并减缓切割过程芯片焊盘的腐蚀，从而提闻划片的良率。传统的做法是使用超纯水或者溶解有二氧化碳的超纯水来清洗刀片和晶片划槽，目前也有一些市售的划片液在使用。市售的划片液一般通过增加超纯水的电导率减少电荷的沉积，通过使用一些表面活性剂降低纯水的表面张力，使碎屑容易清洗。专利CN 101701156A (US20100009517)提供一种在晶圆划片期间，能有效抑制污染残渣在暴露的金属化区域的粘附和暴露金属化区域的腐蚀，包括:至少一种二羧酸或其盐类；至少一种羟基羧酸或其盐类，或含有氨基的酸；表面活性剂，选自磷酸酯支链醇乙氧基化物型表面活性剂，使用时稀释倍数为1000。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于集成电路芯片封装前划片工艺(包括铝工艺芯片和铜互连工艺)中的划片液，以减少切割过程中的产生的碎屑及其污染，同时能够减缓切割过程中焊盘的腐蚀，能够保证在切割过程中划片刀和晶圆充分润湿。为了达到上述目的，本发明提供了一种芯片铜互连封装用高效划片液，其中，该高效划片液按质量百分比计包含:
2%-7%的分子量在2000-20000之间的聚乙二醇和聚乙烯醇的其中之一或该两种聚合物的不同分子量的混合物；0.0OP/o-0.5%的聚硅醚类表面活性剂或磷酸酯类表面活性剂；
0.01-0.5%的喹啉或噻唑类缓蚀剂。所述的聚硅醚类表面活性剂或磷酸酯类表面活性剂的亲油基团至少含有2个支链。上述的芯片铜互连封装用高效划片液，其中，所述的聚硅醚类表面活性剂的通式为:
权利要求
1.一种芯片铜互连封装用高效划片液，其特征在于，该高效划片液按质量百分比计包含: 2%-7%的分子量在2000-20000之间的聚乙二醇和聚乙烯醇的其中之一或该两种聚合物的不同分子量的混合物； 0.0OP/o-0.5%的聚硅醚类表面活性剂或磷酸酯类表面活性剂； 0.01-0.5%的喹啉或噻唑类缓蚀剂； 所述的聚硅醚类表面活性剂或磷酸酯类表面活性剂的亲油基团至少含有2个支链。
2.如权利要求1所述的芯片铜互连封装用高效划片液，其特征在于，所述的聚硅醚类表面活性剂的通式为:
3.如权利要求2所述的芯片铜互连封装用高效划片液，其特征在于，所述的 具有亲水性的基团包含聚硅氧烷聚醚、聚硅氧烷季铵盐、或含有糖基的亲水基团的其中之一。
4.如权利要求1所述的芯片铜互连封装用高效划片液，其特征在于，所述的磷酸酯类表面活性剂包含聚氧乙烯双烷基磷酸酯，二醇醚磷酸酯钠盐，二烷基磷酸酯钠盐，以及聚氧乙烯单烷基磷酸酯中的一种或几种的组合。
5.如权利要求1所述的芯片铜互连封装用高效划片液，其特征在于，所述的高效划片液的溶剂采用超纯水。
6.如权利要求5所述的芯片铜互连封装用高效划片液，其特征在于，所述的高效划片液稀释至5000-6000倍后使用。
全文摘要
本发明公开了一种芯片铜互连封装用高效划片液，该划片液按质量百分比计包含2%-7%的分子量在2000-20000之间的聚乙二醇和聚乙烯醇的其中之一或该两种聚合物的不同分子量的混合物；0.001%-0.5%的聚硅醚类表面活性剂或磷酸酯类表面活性剂；0.01-0.5%的喹啉或噻唑类缓蚀剂。聚硅醚类表面活性剂或磷酸酯类表面活性剂的亲油基团至少含有2个支链。该高效划片液的溶剂采用超纯水，稀释至5000-6000倍后使用。本发明提供的芯片铜互连封装用高效划片液，稀释倍数在5000-6000左右，能够减少切割过程中的产生的碎屑及其污染，同时减缓切割过程中焊盘的腐蚀。
文档编号C10M173/02GK103113972SQ201210588568
公开日2013年5月22日 申请日期2012年12月29日 优先权日2012年12月29日
发明者王溯, 孙红旗, 栾善东, 唐耀宗 申请人:上海新阳半导体材料股份有限公司