用于制造具有电覆镀通孔的构件的方法
【专利摘要】本发明涉及一种用于制造具有电覆镀通孔（110）的构件（300）的方法。所述方法在此包括以下步骤：提供具有前侧（101）和与前侧（101）相对置的背侧（102）的半导体衬底（100），在半导体衬底（100）的前侧（101）上产生环形地包围接触区域（103）的绝缘沟槽（121），以绝缘材料（122）填充绝缘沟槽（121），通过在接触区域（103）中沉积导电材料在半导体衬底（100）的前侧（101）上产生电接触结构（130），去除半导体衬底（100）的背侧（102）上的留在接触区域（103）中的半导体材料（104）以便产生暴露接触结构（130）的下侧（134）的接触孔（111），在接触孔（111）中沉积金属材料（114）以便将电接触结构（130）与半导体衬底（100）的背侧（102）电连接。
【专利说明】用于制造具有电覆镀通孔的构件的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于制造具有电覆镀通孔的构件、尤其是微机械构件的方法。
【背景技术】
[0002]延伸穿过半导体衬底的电接触结构用于微机电构件(MEMS，micro-electro-mechanical system:微机电系统)。因此，例如使用这种又称作穿通接触部(Durchkontakt )、覆锻通孑 L (Durchkontakt ierung)、VIA (vertical interconnect access:垂直互连接入)或在娃衬底的情况下例如称作TSV (Through Silicon Via:娃过孔)的接触结构，以便将构件的不同层面电连接。在此，所述垂直的覆镀通孔允许特别节省空间的结构类型。除简单的再布线以外，这种覆镀通孔能够实现各个组件相互堆叠成一个所谓的三维封装。因此，可以以三维封装的形式节省空间地构建例如传感器芯片、传感器罩和分析处理电路(ASIC)，其中借助电覆镀通孔实现各个组件之间的垂直的电连接。对于各个组件的堆叠和覆镀接通也可以术语“MEMS三维集成”。
[0003]在垂直接通的实现中，力求具有尽可能小的基面的接触结构。电覆镀通孔同时具有尽可能小的体电阻(Durchgangswiderstand)。为了实现这点,通常在半导体衬底中产生很窄的、具有几乎垂直的壁的孔。这例如可以借助通常的开槽方法或激光实现。在随后在接触孔的侧壁和底部上沉积薄的绝缘层并且打开接触孔底部处的绝缘层之后，完全地或部分地以金属填充所述孔。所述填充在此或者借助CVD方法(chemical vapour deposition:化学气相沉积)或通过借助电镀方法结合先前沉积的初始层(seed-layer:籽晶层)沉积金属层来实现。
[0004]因为在所述方案中覆镀通孔的制造完全在晶片工艺结束时进行，所以这些方法也称作后过孔(Via-Last)。在所述后过孔方法中关键的是绝缘层的差的质量，因为在具有高纵横比的深孔中由技术决定地仅仅能够以小的厚度实现绝缘材料的沉积。此外，典型地用作绝缘材料的氧化物具有相对较差的氧化物质量，因为在晶片工艺结束时仅仅可以使用具有较低最大工艺温度的沉积过程。此外，由于孔的高纵横比，打开孔的底部处的绝缘层特别困难。这尤其适用厚的绝缘层的情况。最后，典型地在金属沉积之前实施的扩散势垒沉积也由于高纵横比和孔的深度在技术上很困难。
[0005]原则上也可以在更早的工艺阶段中制造覆镀通孔。因此，例如在晶片工艺的中间在晶片中产生盲孔，并且盲孔设有绝缘层以及势垒层(Barriere-schicht)。在随后以金属填充接触孔之后，可以通过简单的前侧工艺在金属填充和晶片的前侧上的结构之间产生连接。随后，可以进行其他的前侧工艺。在此典型地在晶片前侧、所谓的金属后端上建立金属印制导线之前制造所填充的盲孔。
[0006]在正常的晶片工序结束时，在背侧上磨削晶片，其中如此深地执行磨削，使得暴露盲孔的金属填充。最后，在晶片背侧上沉积绝缘层并且在绝缘层中打开至金属接触面的接触区域。然后，还可以通过另一在晶片背侧上沉积的金属层面进行金属接触部的再布线。在这种典型的中过孔(Via-Middle)工艺中，所使用的金属和硅衬底的热膨胀系数的不同可能导致先前施加的TSV结构在后端工艺期间的损坏。此外，磨削工艺证实是很困难的，因为同时必须磨削不同的材料一例如硅、氧化物、势垒材料和金属并且此外在此必须通过氧化物绝缘面尽可能地避免金属模糊(Metall-verschmierung)。
【发明内容】
[0007]因此，本发明的任务是，提供一种用于制造电覆镀通孔的中过孔方法，所述中过孔方法在更高的后端工艺温度上是稳健的并且在所述中过孔方法中同时避免磨削期间的金属散布(Metallverschleppung)。所述任务通过根据权利要求1的方法解决。此外，所述任务通过根据权利要求11的构件解决。其他有利的实施方式在从属权利要求中说明。
[0008]根据本发明，提供一种用于制造具有覆镀通孔的构件的方法，其中提供一种具有前侧和与前侧相对置的背侧的半导体衬底并且在半导体衬底的前侧上产生环形地包围接触区域的绝缘沟槽。随后，在绝缘沟槽中施加绝缘材料，以便产生环形的绝缘结构。然后实施后端工艺的方法步骤，在所述后端工艺范畴内通过在接触区域中沉积导电材料在半导体衬底的前侧上产生电接触结构。随后，在半导体衬底的背侧上去除留在接触区域中的半导体材料，以便产生暴露接触结构的下侧的接触孔。最后，在接触孔中沉积金属材料，以便将电接触结构与半导体材料的背侧电连接。在所述方法中，在构件的制造工艺结束之后才以金属填充接触孔，从而完成的覆镀通孔不遭受更高的后端工艺温度。由此通常可以在后端工艺期间避免由于覆镀通孔的金属填充和半导体衬底的不同热膨胀系数而出现的对TSV结构的损坏。同时现在可以在晶片工艺结束时使用更高的最大工艺温度，这例如能够实现所沉积的氧化层的更好质量。通过使用环形绝缘沟槽，可以实现覆镀通孔的金属填充和环绕的半导体材料之间的特别厚的绝缘层，这又降低漏电流和电容式干扰的危险。与完全在晶片工艺结束时施加覆镀通孔的后过孔工艺相比，在根据本发明的方法中既不需要沉积扩散势垒也不需要通过接触孔打开接触孔底部处的绝缘层。由此消除所伴随的问题。
[0009]根据一种实施方式，将绝缘沟槽构造为盲孔，并且在半导体衬底的前侧上产生电接触结构之后从背侧减薄半导体衬底，以便在此暴露绝缘材料。所述方法允许处理期间晶片的更大层厚度，由此一方面简化晶片的处理并且另一方面降低晶片破裂的危险。因为在磨削半导体晶片之后才以金属填充接触孔，所以与中过孔方法不同地降低氧化物绝缘面上的金属模糊的危险。
[0010]在另一种实施方式中规定，在减薄半导体衬底之后，在半导体衬底的背侧上产生绝缘层。随后借助各向同性的蚀刻方法相对于绝缘层和绝缘沟槽中的绝缘材料选择性地去除留在接触区域中的半导体材料。由此可以实现接触孔的自调准的打开。在此，也可以可靠地蚀刻具有高纵横比的深的接触孔。
[0011]另一种实施方式规定，在半导体衬底的背侧上产生绝缘层，并且从衬底前侧起去除半导体材料直至绝缘层以产生绝缘沟槽。然后，在接触区域中打开半导体衬底的背侧上的绝缘层，并且通过相对于绝缘层和绝缘沟槽中的绝缘材料选择性地蚀刻留在接触区域中的半导体材料以产生接触孔。借助所述方法可以以特别简单的方式产生具有定义深度的接触孔。在此在背侧上产生的绝缘层不仅用于以前侧工艺制造绝缘沟槽而且用于以背侧工艺打开接触孔。
[0012]在另一种实施方式中规定，为了在绝缘沟槽中施加绝缘材料，使用氧化物沉积和多晶硅沉积的组合。组合的材料沉积特别有利于填充具有中等沟槽宽度的沟槽。
[0013]在另一种实施方式中规定，借助冲压方法在绝缘沟槽中施加的玻璃、尤其是硼硅玻璃用作绝缘材料。通过使用玻璃、尤其是硼硅玻璃作为绝缘材料，可以产生相对较宽的绝缘沟槽，通过所述绝缘沟槽可以降低可能的寄生电容和漏电流的危险。在此，可以借助冲压方法特别有利地填充恰恰更宽的沟槽。因为玻璃具有与硅相当的热膨胀系数，所以可以因此降低衬底中热感应的机械应力。
[0014]在另一种实施方式中规定，与在半导体衬底的背侧上制造再布线一起进行金属材料在接触孔中的沉积。由此可以节省方法步骤，这又导致制造方法的简化并且与此相关地又导致构件的制造成本的降低。
[0015]另一种实施方式规定，借助磨削工艺、湿蚀刻工艺或干蚀刻工艺或借助磨削工艺和湿蚀刻工艺或干蚀刻工艺的组合来进行半导体衬底的减薄。借助磨削工艺可以有效地减薄特别厚的半导体层。与此相反，湿蚀刻工艺和干蚀刻工艺能够实现半导体材料的选择性去除。
[0016]在另一种实施方式中规定，为了以金属材料填充接触孔，使用低温沉积方法结合势垒层和/或籽晶层。借助低温沉积方法可以将完成的构件的热负荷保持得相对较低。势垒层在此有效防止金属扩散到半导体材料中。与此相反，初始层或籽晶层能够实现金属材料在接触孔中的最佳生长。
[0017]另一种实施方式规定，在键合工艺范畴内在接触孔中沉积金属材料之前将电接触结构与功能衬底的互补接触结构电连接，在所述键合工艺中将半导体衬底与功能衬底连接。因为在键合工艺之后才进行接触孔中的金属沉积，所以保证了完成的覆镀通孔不遭受在键合工艺期间出现的热负荷。
[0018]在另一种实施方式中规定，在将半导体衬底与功能衬底连接之前在半导体衬底的前侧上产生用于容纳设置在功能衬底的表面上的功能结构的空穴。借助这种空穴产生用于功能结构的容纳空间，其能够实现功能结构相对于外界的气密包封。
[0019]此外，根据本发明提出一种构件，其包括具有从前侧至与前侧相对置的背侧穿透半导体衬底的覆镀通孔。覆镀通孔在此包括由以绝缘材料填充且环形地包围接触区域的绝缘沟槽组成的绝缘结构、设置在接触区域中的半导体衬底的前侧上的电接触结构以及设置在接触区域中由绝缘结构限界且将电接触结构与半导体衬底的背侧电连接的金属填充。由于制造具有任意厚度的绝缘沟槽的可能性，可以使覆镀通孔匹配不同的技术应用。尤其借助相对较宽的绝缘沟槽可以实现金属填充与环绕的半导体衬底的良好电绝缘。同时还可以减小干扰电容。还可以任意构造金属填充的直径，由此覆镀通孔的体电阻可以相对简单地匹配不同的应用。
[0020]在一种实施方式中规定，半导体衬底具有空穴并且如此与功能衬底连接，使得设置在功能衬底的表面上的功能结构位于空穴内。电接触结构在此与功能结构的互补的接触结构电连接。在所述装置中，半导体衬底用作用于功能衬底的功能结构的罩。覆镀通孔在此允许包围在两个衬底之间的功能结构的电连接。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]以下根据附图详细描述本发明。附图示出:[0022]图1:具有在前侧上环形构造的、环形的绝缘沟槽的半导体衬底；
[0023]图2:图1中的半导体衬底，具有以绝缘材料填充的绝缘沟槽；
[0024]图3:图2中的半导体衬底，在与包括功能结构的功能衬底键合之前具有在前侧上产生的接触结构和空穴；
[0025]图4:在键合工艺之后的半导体衬底和功能衬底；
[0026]图5:从背侧减薄半导体衬底之后的半导体衬底；
[0027]图6:半导体衬底，具有半导体衬底的背侧上的绝缘层，所述绝缘层已在接触区域中打开；
[0028]图7:在去除半导体衬底的留在接触区域中的半导体材料之后的完成的构件；
[0029]图8:图7中在以金属材料填充接触孔之后的构件。
【具体实施方式】
[0030]以下示例性地根据具有至少一个微机电功能结构——例如微机电的运动或转速传感器——的构件的制造来详细解释根据本发明的方法。在此在半导体衬底中产生覆镀通孔，所述半导体衬底用作用于设置在功能衬底上的微机电功能结构的罩晶片。初发点在此是例如硅晶片形式的半导体衬底，在所述半导体衬底中首先产生以绝缘材料填充的绝缘沟槽形式的环形的绝缘结构。绝缘沟槽121的制造在此例如可以借助通常的开槽方法或借助激光实现。图1示出具有前侧101和与前侧101相对置的背侧102的半导体衬底100。在半导体衬底100的前侧101上首先产生环形的沟槽结构121。沟槽结构121在此环形地包围内部的接触区域103，其中“环形”在此情况下除圆形和矩形之外还意味着其他任意延伸的封闭形状。在此通过借助光刻方法(开槽)或借助激光去除半导体材料来产生沟槽结构121。在此优选去除半导体材料直至定义的深度，从而沟槽结构121仅仅延伸穿过半导体衬底100的一部分。图1示出具有产生完成的沟槽结构121的半导体衬底100。
[0031]随后，以绝缘材料填充沟槽结构121。在所述方法阶段中，允许高温。根据应用，为了产生绝缘层可以使用不同的方法。在此，尤其对于具有相对较小的、低于ΙΟμπι的沟槽宽度的沟槽结构而言有利的是，使用热氧化层来封闭沟槽结构。对于中等的沟槽宽度(在5 μ m和25 μ m之间)，例如以氧化物沉积和多晶硅沉积的组合来填充沟槽。在此，首先在沟槽结构121的侧壁和底部上沉积氧化层并且借助多晶硅填充如此形成的、减小的沟槽结构。对于相对较宽的沟槽(大于10 μ m),以玻璃一例如硼硅玻璃填充沟槽证明是特别有利的。为此，以冲压方法在沟槽结构121中施加玻璃。图2示出具有通过在沟槽结构121内沉积绝缘材料122而产生的绝缘结构120的半导体衬底100。
[0032]在填充绝缘沟槽121之后进行后端工艺，其中在由绝缘沟槽环绕的衬底面上产生电接触面。后端工艺也可以包括晶片堆的制造，其中可以彼此堆叠地设置多个晶片。因此，例如可以将传感器晶片键合到准备好的衬底晶片上。在当前实施例中，将功能衬底200键合到半导体衬底100上，其中半导体衬底100用作用于设置在功能衬底200上的微机电功能结构221的罩晶片。借助覆镀通孔，在此建立至功能衬底200的接触元件的电连接。为此，优选以CMOS工艺制造与由绝缘沟槽包围的硅柱塞的电接触。但对于MEMS应用，还可以使用衬底作为罩并且制造与第二晶片、例如传感器晶片的接触区域。接触区域103中的电接触结构130的制造和两个晶片的连接优选在一个步骤中借助金属键合方法进行。借助两个金属层面的键合方法是特别有利的，所述两个金属层面构造为具有液相的合金的组合，其熔融温度低于各个金属层的熔融温度。对此，可以考虑例如铝和锗、铜和锌和类似系统作为金属组合。
[0033]图3示出具有在接触区域103中产生的电接触结构130以及衬底前侧101的表面上的其他用作连接结构的金属层面131、132的半导体衬底100。此外，图3示出准备好用于与半导体衬底100键合的芯片200。例如被构造为传感器芯片的芯片200在此包括具有在其上设置的功能层220的功能结构210。在借助绝缘层240与功能结构210分离的功能层220内构造微机电功能结构221，例如微机电运动传感器。微机电功能结构221通过电连接和接触结构222、223与设置用于连接半导体晶片的电接触结构130的电接触结构230连接。此外，在功能层220上设置多个连接结构231、232，所述多个连接结构用作用于与半导体晶片的连接结构131、132连接的互补的连接结构。
[0034]如图3中所示的那样，已在半导体衬底100中产生用于容纳微机电功能结构221的空穴105。半导体材料的去除在此可以借助合适的蚀刻方法实现。为了键合，芯片200和半导体衬底100如此定向，使得互补的连接盘231、232贴靠连接盘131、132以及互补的接触盘230贴靠接触盘130。在加热步骤之后，连接结构131、132、231、232现在构成连接半导体衬底100和芯片200的连接结构331、332。与此相反，接触盘130、230现在构成连接半导体衬底100和芯片的接触结构130。相应的方法阶段在图4中示出。
[0035]在后端工艺以后，从背侧102减薄半导体衬底100。所述减薄在此可以借助磨削工艺、借助湿蚀刻工艺或干蚀刻工艺或借助这些工艺的组合实现。在减薄时，借助磨削工艺、湿蚀刻工艺或干蚀刻工艺或借助这些工艺的组合如此程度地去除半导体衬底100的背侧102上的半导体材料，直至借助绝缘材料122填充的绝缘沟槽121完全暴露。相应的方法状态在图5中示出。
[0036]随后，借助合适的方法从半导体晶片100的背侧102去除留在绝缘结构120之间的接触区域103中的半导体材料104。事先在半导体衬底的背侧102上施加绝缘层140，所述绝缘层也可以用作用于蚀刻接触区域103中的半导体材料104的保护掩膜。在这种情况下，打开接触区域103中的绝缘层140。相应的方法状态在图6中示出。
[0037]随后，优选借助各向同性的蚀刻方法相对于绝缘层140和绝缘材料121选择性地如此程度地去除绝缘材料104，直至接触结构330的下侧333暴露。为了蚀刻半导体柱塞104，优选使用各向同性的蚀刻方法，所述各向同性的蚀刻方法还允许高的纵横比，例如借助C1、F3或XeF2或借助SF6等离子蚀刻。相应的方法状态在图7中示出。
[0038]最后，以导电材料、尤其是金属材料填充所形成的接触孔111。还可以与半导体衬底100的背侧102上的再布线150的制造同时地进行填充工艺。可以以已知的方法进行接触孔111的填充。在此，低温方法——例如铜的电镀施加(Cu-E⑶)是特别有利的。电镀铜沉积在此可以借助用于抑制金属扩散的合适的势垒层和用于改善层生长的籽晶层进行组合。相应的方法状态在图8中示出。
[0039]对于已键合的晶片特别有利的是，在晶片键合工艺之后才借助金属进行接触孔111的填充，从而使金属填充104在键合工艺期间不遭受热负荷。因此，对于填充工艺，还可以使用与硅相比具有高热膨胀系数的金属一一例如铜。图8示出具有键合在半导体衬底100上的传感器芯片200的完成的构件300。半导体衬底100在此用作用于微机电功能结构211的罩晶片。例如可以被构造为运动传感器的微机电功能结构211通过电连接与接触结构223、222、333和114与电导体结构150电连接。
[0040]在图9至14中示出一种替代的工艺变型方案，其在不减薄半导体晶片的情况下也行。因此，与图1相似，图9示出半导体衬底100，其与图9中的半导体衬底不同地在背侧102上具有绝缘层141。绝缘沟槽121现在被构造直至绝缘层141。这优选借助合适的蚀刻方法实现，其中绝缘层141用作蚀刻终止层。
[0041]随后以绝缘材料122、尤其是玻璃——例如硼硅玻璃来填充绝缘沟槽121。在附图10中示出所述方法状态。
[0042]然后在半导体衬底100的前侧101上产生空穴105。此外，例如通过沉积合适的材料在半导体衬底100的前侧101上产生相应的接触与连接盘130、131、132。相应的方法状态在附图10中示出。
[0043]在键合工艺中，将如此准备好的半导体晶片100以其前侧101键合到功能衬底210上或相应的芯片200上。相应的方法状态在附图11中示出。
[0044]在另一个方法步骤中，打开接触区域103中设置在半导体衬底100的背侧102上的绝缘层141。所述方法状态在附图12中示出。
[0045]随后，借助合适的方法相对于绝缘层141和相对于绝缘结构120的绝缘材料122选择性地去除留在接触区域103中的半导体材料104，并且在此暴露接触结构130的下侧。相应的方法状态在附图13中示出。
[0046]最后，以导电材料、优选以金属填充如此构成的空腔。在金属化时还可以同时在半导体衬底100的背侧102上产生再布线结构151、152、153、154。相应的方法状态在附图14
中示出。
[0047]替代完全填充的过孔，金属化也可以实现为仅仅浸润环形绝缘结构的侧壁的、薄
的金属层。
[0048]尽管已通过优选的实施例详细地说明本发明的细节，但本发明不限于所公开的示例。而是可以由本领域人员从中导出其他变型方案，而不脱离本发明的保护范围。除在此提到的材料——例如衬底材料、金属化材料和绝缘材料，基本上还可以使用其他合适的材料。为此不同材料的任何有意义的组合基本上是适合的。
[0049]因此，例如还可以借助喷射印刷法进行接触孔的金属化和/或再布线的制造，其中为了金属化例如使用具有易排出的有机物的纳米银墨作为溶剂。对此，基本上还可考虑金属膏印刷方法。
[0050]此外，在此制造的在微机电构件旁的覆镀通孔基本上也可以用于微机电构件。
[0051]基本上可能的是，借助以下方法来制造微机电构件:借助所谓的晶片上晶片(Wafer-on-Wafer)方法——其中晶片彼此键合并且随后分离已键合的晶片、借助所谓的晶片上晶粒(Die-on-Wafer)方法——其中将各个晶粒键合在晶片上并且随后分离晶片，或者借助所谓的晶粒上晶粒(Die-on-Die)方法——其中彼此键合已经分离的晶粒。
【权利要求】
1.一种用于制造具有电覆镀通孔(110)的构件(300)的方法，所述方法包括以下步骤:提供具有前侧(101)和与所述前侧相对置的背侧(102)的半导体衬底(100)，在所述半导体衬底(100)的所述前侧(101)上产生环形地包围接触区域(103)的绝缘沟槽(121)，在所述绝缘沟槽(121)中施加绝缘材料(122),通过在所述接触区域(103)中沉积导电材料在所述半导体衬底(100)的所述前侧(101)上产生电接触结构(130)，去除所述半导体衬底(100)的所述背侧(102)上的留在所述接触区域(103)中的半导体材料(104)，以便产生暴露所述接触结构(130)的下侧(134)的接触孔(111)，在所述接触孔(111)中沉积金属材料(114 )，以便将所述电接触结构(130 )与所述半导体衬底(100)的所述背侧(102)电连接。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述绝缘沟槽(121)构造为盲孔，其中，在所述半导体衬底(102)的所述前侧(101)上产生所述电接触结构(130)之后从所述背侧(102)减薄所述半导体衬底(100)并且`在此暴露所述绝缘材料(122)。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在减薄所述半导体衬底(100)之后，在所述半导体衬底(100)的所述背侧(102)上产生绝缘层(140)，其中，借助各向同性的蚀刻方法相对于所述绝缘层(140)和所述绝缘沟槽(121)中的所述绝缘材料(122)选择性地去除留在所述接触区域(103)中的绝缘材料(104)。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述半导体衬底(100)的所述背侧(102)上产生绝缘层(141 )，以及从所述半导体衬底(100)的所述前侧(101)去除所述半导体材料直至所述绝缘层(141)以产生所述绝缘沟槽(121 )，其中，在所述接触区域中打开所述半导体衬底(100)的所述背侧(102)上的所述绝缘层(141 )，其中，通过蚀刻留在所述接触区域(103)中的半导体材料(104)相对于所述绝缘层(141)和所述绝缘沟槽(121)中的所述绝缘材料(122)选择性地产生所述接触孔(111)。
5.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其中，借助冲压方法在所述绝缘沟槽(121)中施加玻璃、尤其是硼硅玻璃用作绝缘材料(122)。
6.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其中，为了在所述绝缘沟槽(121)中施加所述绝缘材料(122)，使用氧化物沉积和多晶硅沉积的组合。
7.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其中，与在所述半导体衬底(100)的所述背侧(102)上制造再布线(150) —起进行所述金属材料(114)在所述接触孔(111)中的沉积。
8.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其中，为了以所述金属材料(114)填充所述接触孔(111)，使用低温沉积方法结合势垒层和/或籽晶层(115，116)。
9.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其中，在键合工艺范畴内在所述接触孔(111)中沉积所述金属材料(122)之前将所述电接触结构(130)与所述功能衬底(210)的互补接触结构(230)连接，在所述键合工艺中将所述半导体衬底(100)与功能衬底(210)连接。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，在将所述半导体衬底(100)与所述半导体衬底(100)的所述前侧(101)上的所述功能衬底(210)连接之前，产生用于容纳设置在所述功能衬底(210)上的功能结构(221)的空穴(105)。
11.一种构件(300)，其包括具有从前侧(101)至与所述前侧(101)相对置的背侧(102)穿透所述半导体衬底(100)的电覆镀通孔(110)，其中，所述覆镀通孔(110)包括由环形地包围接触区域(103)并且以绝缘材料(122)填充的绝缘沟槽(121)组成的绝缘结构(120)、设置在所述接触区域(103)中所述半导体衬底(100)的所述前侧(101)上的电接触结构(330)以及设置在所述接触区域(103)中由所述绝缘结构(120)限界且将所述电接触结构(330)与所述半导体衬底(100)的所述背侧(102)电连接的金属填充(114)。
12.根据权利要求11所述的构件(300)，其中，所述半导体衬底(100)具有空穴(105)并且如此与功能衬底(210)连接，使得设置在所述功能衬底(210)的表面上的功能结构(221)位于所述空穴(105)内 ， 其中，所述电接触结构(130)与所述功能结构(221)的互补的接触结构(230)电连接。
13.根据权利要求11或12所述的构件(300)，其中，所述绝缘沟槽(121)具有玻璃、尤其是硼硅玻璃作为绝缘材料(122)。
【文档编号】B81C1/00GK103508410SQ201310251111
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2013年6月21日 优先权日:2012年6月21日
【发明者】J·莱茵穆特, J·弗莱, Y·贝格曼 申请人:罗伯特·博世有限公司