1.一种提供CMOS-MEMS结构的方法,其包含:
图型化MEMS制动器层上的第一顶端金属及CMOS衬底上的第二顶端金属;其中该MEMS制动器层及该CMOS衬底各于其上包括氧化层;
蚀刻该MEMS制动器层及该CMOS衬底上的各该氧化层;
利用第一接合步骤将该MEMS制动器衬底的该经图型化的第一顶端金属接合至该CMOS衬底的该经图型化的第二顶端金属;
蚀刻该MEMS制动器层以释离可动结构;以及
利用第二接合步骤将该MEMS制动器衬底接合至MEMS握把衬底。
2.如权利要求1所述的方法,其中,蚀刻该氧化层的步骤包括在该CMOS衬底及该MEMS衬底上提供至少一个隔绝体。
3.如权利要求2所述的方法,其中,该至少一个隔绝体包括该经图型化的顶端金属。
4.如权利要求1所述的方法,其包括在该第一接合步骤之后将该MEMS致动器层研磨至所欲厚度。
5.如权利要求4所述的方法,其中,该厚度介于10微米与100微米之间。
6.如权利要求1所述的方法,其包括在该握把层中提供凹穴,并且在该第二接合步骤前先氧化该握把层。
7.如权利要求1所述的方法,其中,该第一与第二接合步骤包含第一与第二低温接合。
8.如权利要求7所述的方法,其中,该第一低温接合包含压缩接合,且该第二低温接合包含熔融接合。
9.如权利要求1所述的方法,其中,该第一与第二接合步骤的温度介于摄氏150度与摄氏400度之间。
10.如权利要求1所述的方法,其中,该第一与第二顶端金属包含铜(Cu)与镍(Ni)中任一者。
11.如权利要求1所述的方法,其中,该图型化步骤包含镶嵌图型化步骤。
12.如权利要求1所述的方法,其中,该经图型化的第一与第二顶端金属用于电连接该MEMS衬底与该CMOS衬底。
13.如权利要求1所述的方法,其中,该第一与第二接合步骤对该装置提供气密封。
14.如权利要求1所述的方法,其中,该隔绝体在该可动结构与该CMOS衬底之间界定间隙。
15.如权利要求1所述的方法,其中,蚀刻该氧化层的步骤形成凸块止挡部。
16.如权利要求1所述的方法,其中,该CMOS衬底的该第一顶端金属上设置有接触层。