技术总结
揭示一种提供CMOS‑MEMS结构的方法。本方法包含图型化MEMS致动器衬底上的第一顶端金属及CMOS衬底上的第二顶端金属。MEMS致动器衬底与CMOS衬底各于其上包括氧化层。本方法包括蚀刻MEMS致动器衬底及底座衬底上的各氧化层，利用第一接合步骤将MEMS致动器衬底的经图型化的第一顶端金属接合至底座衬底的经图型化的第二顶端金属。最后，本方法包括将致动器层蚀刻成MEMS致动器衬底，并且利用第二接合步骤将MEMS致动器衬底接合至MEMS握把衬底。
技术研发人员：P·斯迈斯
受保护的技术使用者：因文森斯公司
文档号码：201580047745
技术研发日：2015.07.06
技术公布日：2017.05.10