IV族衬底上的III‑NMEMS结构的制作方法

文档序号:13628543阅读:来源:国知局
技术总结
公开了用于在IV族衬底(例如,硅、硅锗或锗衬底)上形成III族材料‑氮化物(III‑N)微机电系统(MEMS)结构的技术。在一些情况下,该技术包括在衬底上、以及任选地在浅沟槽隔离(STI)材料上形成III‑N层,然后通过蚀刻来释放III‑N层以形成悬置于衬底上方的III‑N层的自由部分。该技术可以包括例如使用湿法蚀刻工艺,其选择性地蚀刻衬底和/或STI材料,但不蚀刻III‑N材料(或者以显著地较慢的速率蚀刻III‑N材料)。可以在III‑N层上形成压阻元件,例如,以检测III‑N层的自由/悬置部分中的振动或挠曲。因此,可以使用该技术来形成MEMS传感器,例如,加速度计、陀螺仪和压力传感器。

技术研发人员:H·W·田;S·达斯古普塔;S·K·加德纳;R·皮拉里塞泰;M·拉多萨夫列维奇;S·H·宋;R·S·周
受保护的技术使用者:英特尔公司
文档号码:201580080280
技术研发日:2015.06.26
技术公布日:2018.02.06

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