微机电装置及其制造方法与防止信号衰减的方法与流程

本发明关于一种微机电装置，特别是一种具有防止信号衰减功能的微机电装置及其制造方法与防止信号衰减的方法，藉以防止一电信号发生信号损失的情形。

背景技术：

在半导体制程中，大多数的元件制作皆自金属层与氧化层的连续制程而来。其中，微机电(Micro-Electro-Mechanical-System，以下简称MEMS)元件为一种常见且使用金属层与氧化层相互堆迭形成的半导体元件。以半导体制程制作的MEMS元件其最大的优点为整合特殊用途集成电路(Application-Specific Integrated Circuit,ASIC)与MEMS于同一平面，省去了复杂的封装方式，但最主要的难题即为存在于MEMS元件与周边结构材料之间的寄生效应。

在MEMS元件的制程中，要考量的不只有机械结构，必须也将机械结构转换成为电子电路模型，而后再与ASIC结合的结构作为整体的衡量，以达到单晶片系统的目的。但是MEMS元件大多选择硅材料作为基板，以将MEMS元件建构于硅基板的上方，故当电子信号传递于MEMS元件时，MEMS元件与硅基板之间就会产生寄生电容的效应，导致有机会使部分比例的电子信号流失至硅基板，也就是常见的信号损失(Loss)。

一般而言，目前各种已用于现有技术中的MEMS元件大多具有硅基板的寄生电容的效应，其造成传递于MEMS元件中的电子信号的强度衰减，使得电子信号的输出功率降低，同时也增加了后续的信号处理电路的复杂度。

技术实现要素：

本发明在于提供一种具有防止信号衰减功能的微机电装置及其制造方法与防止信号衰减的方法，藉由使基板的极性与在感测单元中传输的一电信号的极性相同，在基板和感测单元之间产生互斥效应，进而防止电信号发生信号损失。

根据本发明所提供的一实施例的具有防止信号衰减功能的一微机电装置，微机电装置包含一基板、一绝缘层和一感测单元。基板具有一掺杂区，在此掺杂区中掺杂有多个杂质。绝缘层位于基板上，感测单元则位于绝缘层上方。感测单元包含一质量块、多个可动电极、多个固定电极和多个弹性元件。所述多个可动电极分别地与所述多个固定电极面对面相隔。所述多个弹性元件支撑质量块，质量块耦接所述多个可动电极，以及质量块和所述多个可动电极因应一外力而振动。当质量块和所述多个可动电极振动时，一电信号会对应地产生并在感测单元中传输。此时，电信号的极性与掺杂区中主体的导电载子的极性相同。

在另一实施例中，前述的微机电装置的质量块的材料含有多晶硅，以及弹性元件的材料为金属。

在再一实施例中，前述的微机电装置中被掺杂的该些杂质的材料为III族或V族材料。

在再一实施例中，前述的微机电装置更包含一控制器。控制器电性连接基板和感测单元，用以判断质量块在没有该外力的情况下是否偏离质量块的一预设位置。当质量块在没有该外力的情况下已偏离预设位置时，控制器提供一控制电压，以使质量块恢复至预设位置。

在再一实施例中，前述的微机电装置的控制器进一步判断所述多个固定电极和所述多个可动电极之间的每一电容值是否不同于其对应的一预设电容值。当所述多个固定电极和所述多个可动电极之间的每一个电容值不同于其对应的预设电容值时，控制器判定此质量块在没有外力的情况下已偏离预设位置。

根据本发明所提供的一实施例的微机电装置的制造方法，此制造方法包含以下步骤：设置一基板，基板具有一掺杂区，在掺杂区中掺杂有多个杂质；设置一绝缘层于基板上；以及设置一感测单元于绝缘层上方。感测单元包含一质量块、多个可动电极、多个固定电极和多个弹性元件。可动电极相隔于固定电极且分别面对固定电极。质量块耦接可动电极，以及弹性元件支撑质量块。当质量块和可动电极因应施加于微机电装置的一外力而振动时，一电信号会对应地产生并在感测单元中传输。此时，电信号的极性与掺杂区中主体的导电载子的极性相同。

在另一实施例中，前述的制造方法中的质量块的材料含有多晶硅，以及弹性元件的材料为金属。

在再一实施例中，前述的制造方法中被掺杂的该些杂质的材料为III族或V族材料。

在再一实施例中，前述的制造方法更包含设置一控制器，此控制器电性连接基板和感测单元并用以供应一控制电压至基板，控制电压的极性与前述的电信号的极性相同。

根据本发明所提供的一实施例的具有防止信号衰减功能的另一微机电装置，微机电装置包含一基板、一绝缘层以及一感测单元。绝缘层位于基板上，感测单元则位于绝缘层上方。基板接收一控制电压。感测单元位于绝缘层上方，感测单元包含一质量块、多个可动电极、多个固定电极和多个弹性元件。可动电极相隔于固定电极并分别与固定电极面对面。弹性元件支撑质量块，质量块耦接可动电极，以及质量块和可动电极会因应一外力而振动。当质量块和可动电极振动时，一电信号会对应地产生并在感测单元中传输，电信号的极性与掺杂区中主体的导电载子的极性相同。

在另一实施例中，前述的微机电装置更包含一控制器。控制器电性连接基板和感测单元。控制器判断质量块在无外力的情况下是否已偏离其预设位置，并且当质量块在无外力的情况下已偏离其预设位置时，控制器调整控制电压，使质量块恢复至其预设位置。

在再一实施例中，前述的微机电装置的控制器判断固定电极和可动电极之间的每一电容值是否不同于其各别的预设电容值。当固定电极和可动电极之间的每一电容值不同于其各别的预设电容值时，控制器则判定质量块在无外力的情况下已偏离其预设位置。

在再一实施例中，前述的微机电装置的质量块的材料含有多晶硅，以及弹性元件的材料为金属。

根据本发明所提供的一实施例的防止信号衰减的方法，其适用于一微机电装置，此微机电装置包含一基板、一绝缘层和一感测单元。绝缘层位于基板上，感测单元位于绝缘层上方。感测单元包含一质量块、多个可动电极、多个固定电极和多个弹性元件。可动电极与固定电极相隔且分别地与固定电极面对面。弹性元件支撑质量块，质量块耦接可动电极。质量块和可动电极会因应施加于微机电装置的一外力而振动。此防止信号衰减的方法包含当此外力作用于微机电装置时，供应一控制电压至基板，并且此控制电压的极性与在感测单元中产生并传输的一电信号的极性相同。

在另一实施例中，前述的防止信号衰减的方法更包含判断质量块在无外力的情况下是否已偏离一预设位置；以及当质量块在无外力的情况下已偏离预设位置时，调整控制电压，使质量块恢复至预设位置。

在再一实施例中，前述的防止信号衰减的方法中判断质量块在无外力的情况下是否已偏离预设位置的步骤包含：判断固定电极和可动电极之间的每一电容值是否不同于其预设电容值；以及当固定电极和可动电极之间的每一电容值不同于其预设电容值时，判定质量块在无外力的情况下已偏离预设位置。

在再一实施例中，前述的防止信号衰减的方法中基板具有一掺杂区，在此掺杂区中掺杂有杂质，使得掺杂区中主体的导电载子的极性与前述的电信号的极性相同。

在再一实施例中，前述的防止信号衰减的方法中前述被掺杂的杂质的材料为III族或V族材料。

因此，本发明所提供的可藉由在基板的掺杂区中掺杂杂质原子，使掺杂区的极性与在感测单元中传输的电信号的极性相同，或者也可藉由直接供应具有与电信号有相同极性的一控制电压至基板，进而在基板和感测单元之间产生互斥效应。藉此，电信号可避免信号损失于基板的情形发生，而能维持其原有的信号强度及输出功率。并且，后续用以处理此电信号的信号处理电路也可因此而简化。

除此以外，透过适用于微机电装置的防止信号衰减的方法，当质量块发生非预期的位移时，本发明可藉由供应一可变的控制电压至基板来提升基板和感测单元之间的互斥效应，使质量块恢复至其预设位置。如此一来，即使前述的弹性元件在其使用寿命期间逐渐失去弹性，基板和感测单元之间的互斥效应仍足以避免信号泄漏至基板的情形发生。

以上的关于本公开内容的说明及以下的实施方式的说明用以示范与解释本发明的精神与原理，并且提供本发明的专利申请范围更进一步的解释。

附图说明

图1A为根据本发明的一实施例所绘示的微机电装置的剖面示意图。

图1B为根据本发明的一实施例所绘示的感测单元的上视图。

图1C为根据本发明的一实施例所绘示的感测单元中多个固定电极和多个可动电极沿着剖面线A-A’的剖面示意图。

图1D为根据本发明的一实施例所绘示的图1A中的寄生等效电路的示意图。

图2为根据本发明的一实施例所绘示的微机电装置的制造方法的流程图。

图3为根据本发明的另一实施例所绘示的微机电装置的示意图。

图4为根据本发明的一实施例所绘示的应用于微机电装置的防止信号衰减的方法的流程图。

图5为根据本发明的再一实施例所绘示的微机电装置的示意图。

图6为根据本发明的另一实施例所绘示的应用于微机电装置的防止信号衰减的方法的流程图。

其中，附图标记：

100、200、300 微机电装置

110、310 基板

111 掺杂区

112 杂质原子

120 绝缘层

130 感测单元

132 质量块

1321 可动电极

134 弹性元件

136 外环

1361a、1361b 固定电极

240、340 控制器

C1、C2、C3 寄生电容

CP1、CP2 电容

R1、R2、R3 寄生电阻

具体实施方式

以下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征以及优点，其内容足以使任何本领域的技术人员了解本发明的技术内容并据以实施，且根据本说明书所公开的内容、权利要求保护范围及附图，任何本领域的技术人员可轻易地理解本发明相关的目的及优点。以下的实施例进一步详细说明本发明的观点，但非以任何观点限制本发明的范畴。

本发明涉及一种微机电系统(MEMS)装置，这里所述的MEMS装置可例如为但不限于声音感测器(acoustic sensor)、压力感测器(pressure sensor)、高度计(altimeter)、流量计(flowmeter)或触觉感测器(tactile sensor)。声音感测器可例如为但不限于麦克风。在一示例中，电容型的MEMS装置为一种用以将输入的外力(input force)转成感测信号的装置。这里的外力可例如为但不限于声音、压力等。并且，电容型的MEMS装置的运作是基于采用两种相互面对面的电极的电容器的原理。其中一种电极是固定在一基板上，而另一种电极则是浮动于空中。藉此，电容型的MEMS装置中的一隔膜(diaphragm)会因应输入的外力而移动。当感受到输入的外力时，隔膜会振动，使得两种电极之间的间隔改变，进而改变两电极之间的电容值。因此，当流经两电极所形成的等效电容的电荷流，亦即电信号，被取样并在后续阶段中进一步被处理时，此外力即被转化成可被读取的电容值而形成一感测信号。

请参考图1A至图1C。图1A为根据本发明的一实施例所绘示的微机电装置的剖面示意图，图1B为根据本发明的一实施例所绘示的感测单元的上视图，以及图1C为根据本发明的一实施例所绘示的感测单元中多个固定电极和多个可动电极沿着剖面线A-A’的剖面示意图。如图所示，微机电装置100是藉由MEMS技术制造，并且具有防止信号衰减功能。微机电装置100可例如为但不限于一麦克风、压力感测器、高度计、流量计或触觉感测器。微机电装置100至少包含一基板110、一绝缘层120和一感测单元130。

基板110具有一掺杂区111，且掺杂区111中掺杂有多个杂质原子(impurity atom)112(或称为杂质)，因此当一电信号因应一输入的外力而生并传输于感测单元130中时，掺杂区111中主体的导电载子的极性与此电信号的极性相同。换句话说，基板110具有与此电信号相同的极性。举例来说，当掺杂区111中被掺杂的杂质原子112的材料可例如为但不限于III族或V族材料时，掺杂区111中主体的导电载子可为电洞或电子。在一实施例中，当掺杂区111中被掺杂的杂质原子112是属于III族材料时，前述的导电载子为电洞；或者，在另一实施例中，当掺杂区111中被掺杂的杂质原子112是属于V族材料时，前述的导电载子为电子。基板110可例如为但不限于P型或N型硅基板。

绝缘层120可位于基板110的上面或上方，用以为微机电系统带来屏蔽效应(shielding effect)。在一实施例中，绝缘层120可藉由薄膜沉积(thin film deposition)技术来实现。在一实施例中，绝缘层120的材料可为介电质材料，例如但不限于氧化材料或氮化材料。

感测单元130可位于绝缘层120上面或上方，可用以在被供电的情况下，感测一外力的输入。感测单元130至少包含一质量块132(也可被理解为膈膜或鼓膜(membrane))、多个弹性元件134、一外环136、多个可动电极1321和多个固定电极1361a和1361b(统称为固定电极1361)。弹性元件134耦接质量块132，外环136耦接弹性元件134，可动电极1321耦接于质量块132，以及固定电极1361耦接于外环136。在一实施例中，质量块132可有一或多个通孔(through hole)。

如图1B所示，弹性元件134被设置于质量块132和外环136之间，用以支撑质量块132。质量块132和可动电极1321分别与绝缘层120和外环136之间有间隙，并且可动电极1321分别与固定电极1361和外环136之间有间隙。因此，质量块132和可动电极1321可因应前述的外力而一起振动，而可动电极1321和固定电极1361之间会等效形成电容CP1和CP2，如图1C所示。本发明并未限制质量块132的材料和形状、外环136的材料和形状、弹性元件134的材料和形状、弹性元件134耦接于外环136和质量块132的配置关系、可动电极1321的配置、材料和形状、固定电极1361的配置、材料和形状、质量块132和外环136之间的距离长短以及质量块132和绝缘层120之间的距离长短，并且本领域具有通常知识者可根据实际的需求来设计上述特征。

在一实施例中，感测单元130电性连接一模拟数字转换器(analog to digital convertor，ADC)。当一第一电压供应至可动电极1321以及一第二电压供应至固定电极1361后，并且输入的外力施加于感测单元130时，质量块132将因应此外力而振动，可动电极1321和固定电极1361之间会等效形成电容CP1和CP2并且电容CP1和CP2会因质量块132的振动而改变。因此，一电信号会流经质量块132、弹性元件134、固定电极1361和外环136，并且模拟数字转换器会将此电信号转成一感测信号作为后续的应用。

举例来说，质量块132的材料可为但不限于包含多晶硅或其他可能的具有较小热膨胀系数(thermal expansion coefficient)的材料，弹性元件134的材料可为但不限于金属或类金属。举例来说，弹性元件134可为弹簧(spring)。

以杂质原子112的材料为五族元素的实施例来说，可藉由离子布植机(ion implanter)或杂质扩散机(impurity diffuser)将杂质原子112掺入掺杂区111中，然而本发明并不限于上述的方法。由于属于五族材料的杂质原子112会呈现电子的特性，因此在掺杂区111中主体的导电载子为电子且具有负极性，进而导致掺杂区111的极性也大致为负极性。在上述的等效电路中，当所述的带负电荷的电信号在感测单元130中流动时，由于电信号和基板110之间会产生互斥(repulsion)的情形，使得从此电信号流至基板110的漏电量会减少。因此，上述的电信号可几乎只传输于感测单元130而不会漏至基板110。

透过上述微机电装置100中的掺杂区111的设计，可避免在基板110和感测单元130之间的绝缘层120中形成会导致信号泄漏至基板110的寄生电容，进而使传输于感测单元130中的电信号能维持其原有的强度而不会衰减。

请参考图1D，其中绘示有图1A中的寄生等效电路。基板110可等效为一寄生电阻R1和一寄生电容C1。绝缘层120可等效为一寄生电容C2。感测单元130可等效为一寄生电阻R2、一寄生电阻R3和一寄生电容C3。进一步来说，寄生电阻R2的形成是基于质量块132，寄生电阻R3的形成是基于弹性元件134，而寄生电容C3的形成是基于质量块132、弹性元件134和外环136。寄生电阻R1、R2和R3与寄生电容C1、C2和C3之间的连接关系可参考图1D所示，于此不再赘述。

对于微机电装置100来说，由于上述的电信号可仅在感测单元130中传输，使得电信号不会泄露至基板110。也就是说，电信号会藉由寄生电阻R2、寄生电容C3和寄生电阻R3传输至输出端，而不会藉由寄生电容C2、寄生电阻R1和寄生电容C1来传输。藉此，电信号可避免产生信号损失，使得电信号的强度及输出功率可维持在其各别的原有值。

另一方面，在一个微机电装置制造完成后，此微机电装置的感测单元中的质量块和外环大体上为共平面(coplanar)或在相同的水平上。然而，由于在此微机电装置的使用期间，耦接于质量块和外环的多个弹性元件可能会随着时间逐渐失去其弹性，使得质量块和外环因而偏离原初的共平面或变得位于不同水平位置。详细地说，质量块的位置可能变得低于外环所在的水平位置。换句话说，质量块在无任何外力作用于此微机电装置的情况下已经偏离其预设位置。这将会使前述的互斥效应变弱，恐导致无法防止信号泄漏至基板的情形发生，进而导致后续的感测信号出现噪声或误差的情形。为此，本发明另提供具有恢复质量块位置的功能的微机电装置的实施态样，其细节如下。并且，为了简要地阐明本发明，以下关于感测单元的各个实施例以质量块、多个可动电极、多个固定电极和外环被设置在相同水平上的实施态样作为说明范例。

请参考图3，其绘示有一微机电装置200。微机电装置200至少包含一基板110、一绝缘层120、一感测单元130和一控制器240。微机电装置200中的基板110、绝缘层120和感测单元130与微机电装置100中的基板110、绝缘层120和感测单元130相同，因此微机电装置200中的基板110、绝缘层120和感测单元130的细节可参考图1A和图1B所示的微机电装置100的相关论述。

控制器240电性连接基板110和感测单元130。控制器240判断质量块132在无任何外力施加的情况下是否已偏离其预设位置。例如，控制器240判断在无任何外力施加的情况下，质量块132的位置是否低于外环136的位置。当质量块132的位置在无任何外力施加的情况下已偏离其预设位置时，控制器240将提供一控制电压至基板110，此控制电压的极性与前述的电信号的极性相同，藉此使质量块132的位置恢复至预设位置。在此实施例或其他的实施例中，控制电压的位准可根据质量块132偏离其预设位置的程度来设定。

在一实施例中，由于可动电极1321耦接于质量块132以及固定电极1361耦接于外环136，因此判断质量块132在无任何外力作用下是否已偏离其预设位置的方法可藉由判断可动电极1321和固定电极1361是否在相同水平的方式来完成。此外，在一实施例中，若控制器240的储存元件储存有可动电极1321与每一个固定电极1361之间的一预设电容值的资料时，控制器240可透过此资料来判断可动电极1321和固定电极1361是否在相同水平上。也就是说，控制器240会判断这些可动电极1321和固定电极1361之间当前的电容值是否实质上等于其各别的预设电容值。当该些可动电极1321和固定电极1361之间的当前电容值不同于其各别的预设电容值时，控制器240将判定此时的质量块132在无任何外力作用下已偏离其预设位置。

图2为根据本发明的一实施例所绘示的微机电装置的制造方法的流程图。为简要地陈明本发明，此制造方法以适用于前述微机电装置200作为示例，并且基板110也以一硅基板作为示例。首先，在步骤S210中，将前述的杂质原子112掺杂进基板110的掺杂区111中。在一实施例中，杂质原子112可藉由掺杂装置(例如但不限于离子布植机或杂质扩散机)掺杂进基板110中。

在此示例中，掺杂区111中主体的导电载子的极性与前述的电信号的极性相同。被掺杂的杂质原子112的材料可为III族材料或V族材料，因此主体的导电载子可为电洞或电子。也就是说，当被掺杂的杂质原子112为III族材料时，主体的导电载子为电洞；以及当被掺杂的杂质原子112为V族材料时，主体的导电载子为电子。

接着，在步骤S220中，在基板110上设置绝缘层120。在一实施例中，绝缘层120可藉由薄膜沉积的方式来制作。最后，在步骤S230中，在绝缘层120上或上方，设置至少包含质量块132、弹性元件134、可动电极1321、固定电极1361和外环136的感测单元130。可动电极1321与固定电极1361相隔并且分别地与固定电极1361面对面。质量块132耦接于可动电极1321，弹性元件134可支撑质量块132。当质量块132和可动电极1321因应施加于微机电装置100的外力而一起振动时，一电信号会产生并在感测单元130中传输，并且此电信号的极性与掺杂区111中主体的导电载子的极性相同。具有防止信号衰减功能的微机电装置100的其他细节可参考图1A和图1B中相关的叙述。

如此一来，微机电装置100的绝缘层120中可降低寄生电容的产生，因而电信号可避免信号泄漏至基板110的情形发生而能维持其信号强度。

然后，在步骤S240中，设置一控制器240，此控制器240电性连接基板110和感测单元130。透过控制器240的运作，即使弹性元件134随着时间逐渐失去其弹性时，前述的互斥效应仍足以避免信号泄漏至基板110的情形发生。

前述的微机电装置200用以避免电信号发生信号衰减的方法可归结于下列的防止信号衰减的方法。

图4为根据本发明的一实施例所绘示的应用于微机电装置200的防止信号衰减的方法的流程图。如图所示的防止信号衰减的方法包含下列步骤。在步骤S410中，检测质量块132是否发生非期望的位移。也就是说，判断质量块132在无任何外力的情况下是否已偏离其预设位置。当质量块132发生非期望的位移时，供应一控制电压至基板110，如步骤S420所示。此控制电压的极性与当外力施加于微机电装置200时在感测单元130中产生并传输的一电信号的极性相同。然后，在步骤S430中，检测是否仍发生非期望的位移。若质量块132已恢复至其预设位置时，控制电压则维持在当前的位准，如步骤S440所述。若质量块132的非期望的位移仍存在时，控制电压则会被不断地校正直到质量块132恢复至其预设位置为止，或者控制电压则会被不断地校正直到控制电压到达其极限值为止，如步骤S450所示。关于如何检测质量块132是否发生非预期位移的细节以及关于微机电装置200的结构的细节请参考前面相关的叙述。

除了如上述藉由掺杂基板的方式来控制基板的极性，本发明也可藉由其他方式来控制基板的极性，如下所述。请参考图5，图5为根据本发明的再一实施例所绘示的微机电装置300的示意图。微机电装置300与微机电装置200相似。微机电装置300至少包含一基板310、一绝缘层120、一感测单元130和一控制器340。微机电装置300中的绝缘层120和感测单元130与微机电装置100中的绝缘层120和感测单元130相同，因此微机电装置300中的绝缘层120和感测单元130可参考图1A至图1C中相关的叙述。然而，不同于微机电装置200的是微机电装置300在基板上的设计以及控制器340的设置。基板310可设置有一掺杂区或不设置掺杂区。控制器340可直接并持续供应一控制电压给基板310，此控制电压的极性与在感测单元130中因应一外力的输入而产生并传递的一电信号的极性相同。因此，感测单元130和基板310之间会产生互斥效应，使得在感测单元130传递的电信号不会泄漏至基板310。

此外，控制器340会判断质量块132在无外力作用下是否已偏离其预设位置。当质量块132在无外力作用下已偏离其预设位置时，控制器340将调校(例如，提升或减少)控制电压，使质量块132得以恢复至其预设位置。因此，感测信号可避免因质量块132的非预期位移所造成的噪声或误差。

关于如何判断质量块132的位置、前述控制电压的控制和微机电装置300的内部元件和运作的细节可参考前面相关实施例。

如上所述的微机电装置300用以避免电信号发生信号衰减的方法可归结于以下的防止信号衰减的方法。

请参考图6，其绘示有适用于前述微机电装置300的防止信号衰减的方法的流程图。此防止信号衰减的方法包含以下步骤。在步骤S610中，提供一控制电压至基板310，并且此控制电压的极性与当外力施加于微机电装置300时在感测单元130产生并传递的电信号的极性相同。在步骤S620中，判断质量块132是否发生非预期的位移。若质量块132已在其预设位置时，控制电压则维持在当前的位准，如步骤S630所示。若质量块132的非预期的位移发生时，则持续调校控制电压直到质量块132回到其预设位置为止或者直到控制电压到达其极限值为止，如步骤S640所示。关于如何检测质量块132的非预期位移的发生的详细说明以及微机电装置300的细部说明请参考前面相关叙述。

综上所述，本发明所提供的具有防止信号衰减功能的微机电装置及其制造方法与防止信号衰减的方法，可藉由在基板的掺杂区中掺杂杂质原子，使掺杂区的极性与在感测单元中传输的电信号的极性相同，或者也可藉由直接供应具有与电信号有相同极性的一控制电压至基板，进而使基板和感测单元之间产生互斥效应。藉此，电信号可避免信号损失于基板的情形发生，而能维持其原有的信号强度及输出功率。并且，后续用以处理此电信号的信号处理电路也可因此而简化。

此外，也可以透过上述的微机电装置及其制造方法与防止信号衰减的方法，当质量块发生非预期的位移时，可藉由供应一可变的控制电压至基板来提升基板和感测单元之间的互斥效应，使质量块恢复至其预设位置。如此一来，即使前述的弹性元件随着时间逐渐失去弹性，基板和感测单元之间的互斥效应仍足以防止信号泄漏至基板的情形发生。