制造微机电系统封装的方法与流程

本揭露是关于一种微机电系统结构及其制造方法，特别是一种具有排气元件的微机电系统封装。

背景技术：

在过去十年间，微机电系统(micro-electromechanicalsystem；mems)元件已越来越广泛使用于电子元件中(如手机、感应器等等)。微机电系统元件包含机械及电子特征，可用于感应物理外力或物理量(如：加速度、辐射等等)，及/或控制物理量(如：流体)。举例而言，微机电系统元件可包含微感应器及促动器。微感应器将机械信号转换为电子信号，而微促动器将电子信号转换为机械信号。

技术实现要素：

本揭露的一实施例是关于一种制造微机电系统封装的方法。包含形成排气元件于互补式金属氧化物半导体基板的钝化层内。形成排气阻层以覆盖排气元件。移除覆盖在排气元件上方的排气阻层。连接微机电系统基板至互补式金属氧化物半导体基板的前侧，以将第一微机电系统元件封闭至第一空腔中，并将第二微机电系统元件封闭至第二空腔中，其中在移除排气阻层后，排气元件释放气体至第二空腔内以增加第二空腔内的第二压力，使第二压力大于第一空腔内的第一压力。

本揭露的另一实施例是关于一种制造微机电系统封装的方法。包含形成排气元件于互补式金属氧化物半导体基板的前侧。形成排气阻层以覆盖排气元件。对该互补式金属氧化物半导体基板执行热制程。移除覆盖在排气元件上方的排气阻层。连接微机电系统基板至互补式金属氧化物半导体基板，以将第一微机电系统元件封闭于具有第一压力的第一空腔中，并将第二微机电系统元件封闭于具有第二压力的第二空腔中。在移除排气阻层后，排气元件释放气体至第二空腔内以增加第二空腔内的第二压力。

本揭露的又一实施例是关于一种微机电系统封装。微机电系统封装包含互补式金属氧化物半导体基板、微机电系统基板，以及排气元件。互补式金属氧化物半导体基板包含配置于基板上的钝化层。微机电系统基板连接至互补式金属氧化物半导体基板，并将第一微机电系统元件封闭于具有第一压力的第一空腔中，且将第二微机电系统元件封闭于具有第二压力的第二空腔中。排气元件配置于钝化层中并暴露至第二空腔。在互补式金属氧化物半导体基板与微机电系统基板的连接制程期间或之后，排气元件配置于释放一气体至第二空腔内以增加第二空腔的第二压力，使第二压力大于第一空腔的第一压力。

附图说明

阅读以下详细叙述并搭配对应的附图，可了解本发明实施例的多个样态。应注意，根据业界中的标准做法，多个特征并非按比例绘制。事实上，多个特征的尺寸可任意增加或减少以利于讨论的清晰性。

图1为本揭露的部分实施例的具有用于调整空腔的压力的排气元件的微机电系统封装的截面图；

图2为本揭露的其他实施例的具有用于调整空腔的压力的排气元件的微机电系统封装的截面图；

图3至图10为本揭露的部分实施例的形成具有用于调整空腔的压力的排气元件的微机电系统封装的方法的截面图；

图11为本揭露的部分实施例的形成具有用于调整空腔的压力的排气元件的微机电系统封装的方法的流程图。

具体实施方式

以下发明实施例提供众多不同的实施例或范例，用于实施本案提供的主要内容的不同特征。下文描述一特定范例的组件及配置以简化本发明实施例。当然，此范例仅为示意性，且并不拟定限制。举例而言，以下描述“第一特征形成在第二特征的上方或之上”，于实施例中可包括第一特征与第二特征直接接触，且亦可包括在第一特征与第二特征之间形成额外特征使得第一特征及第二特征无直接接触。此外，本发明实施例可在各范例中重复使用元件符号及/或字母。此重复的目的在于简化及厘清，且其自身并不规定所讨论的各实施例及/或配置之间的关系。

此外，空间相对术语，诸如“下方(beneath)”、“以下(below)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等等在本文中用于简化描述，以描述如附图中所图示的一个元件或特征结构与另一元件或特征结构的关系。除了描绘图示的方位外，空间相对术语也包含元件在使用中或操作下的不同方位。此设备可以其他方式定向(旋转90度或处于其他方位上)，而本案中使用的空间相对描述词可相应地进行解释。

微机电系统元件的操作一般而言取决于包围微机电系统的环境。为了强化微机电系统的操作，微机电系统在具有特定压力的环境下操作以促进量测。例如，微机电振动式陀螺仪操作于相对低压(如：高真空)的环境时具有较佳的量测效果，因为低压环境可增强待测质量的位移量所转换成的信号。相反地，微机电系统加速器操作于相对高压的环境下，由于背景干扰被转换为杂讯，因此相对地削弱了强待测质量的位移量所转换成的信号。

因此，微机电系统元件设置在具有调控压力的空腔内。当一种微机电系统元件在晶圆上时，晶圆级封端制程可用于形成具有所欲的压力的空腔。然而，若有多种微机电系统元件在同一晶圆上时，使用晶圆级封端制程形成具有不同压力的空腔是具有难度的，由于这种封端制程将空腔以及周边的环境形成同一压力。欲整合不同压力的微机电系统元件需执行额外的封装制程，分别形成具有不同压力的空腔。然而，由于制程时间以及制程步骤的数量的增加，额外的封装制程增加了生产成本。此外，由于需要额外的导线骨架，元件的尺寸也相应提升。

本揭露是关于一种包含排气元件的微机电系统封装以及制造方法，将排气元件引入空腔中，透过排气以调整空腔内的压力。于部分实施例中，微机电系统封装包含互补式金属氧化物半导体(complementarymetaloxidesemiconductor；cmos)基板，互补式金属氧化物半导体基板具有位于半导体基板上的钝化层。且互补式金属氧化物半导体基板与微机电系统基板连接，将第一微机电系统元件封闭于具有第一压力的第一空腔内，并将第二微机电系统元件封闭于具有第二压力的第二空腔内。排气元件配置于钝化层内并暴露于第二空腔，并释放气体至第二空腔内以增加第二空腔内的第二压力。通过排气元件释放气体，第二空腔的第二压力可调整为大于第一空腔的第一压力，借此在同一基板上形成具有不同压力的空腔。

图1为本揭露的部分实施例的具有用于调整空腔的压力的排气元件的微机电系统封装100的截面图。微机电系统封装100包含互补式金属氧化物半导体基板102。钝化层114配置于基板112上。排气元件110配置于钝化层114内。

微机电系统基板104与互补式金属氧化物半导体基板102连接。微机电系统基板104包含位于第一空腔116内的微机电系统元件106，以及位于第二空腔118内的微机电系统元件108。于部分实施例中，第一微机电系统元件106与第二微机电系统元件108配置于微机电系统层124内(如：半导体材料的掺杂层)。微机电系统层124的前侧可透过第一连接金属层120及第二连接金属层122与钝化层114连接。于部分实施例中，封端基板130与微机电系统层124的后侧连接以气密第一空腔116及第二空腔118。第一空腔116透过气密具有第一压力，第二空腔118透过气密具有第二压力。于部分实施例中，排气元件110暴露于第二空腔118，并在高温热制程期间(如：在具有高于或等于200度的温度的制程期间)释放气体至第二空腔118内，以增加第二空腔118内的第二压力。例如，排气元件110可在互补式金属氧化物半导体基板102与微机电系统基板104的连接制程期间或之后释放气体至第二空腔118内，借此使第二压力大于第一压力。

图2为本揭露的其他实施例的具有用于调整空腔的压力的排气元件的微机电系统封装的截面图。微机电系统封装200包含互补式金属氧化物半导体基板102以及微机电系统基板104。微机电系统基板104与互补式金属氧化物半导体基板102连接，并包围第一空腔116内的第一微机电系统元件106以及第二空腔118内的第二微机电系统元件108。

排气元件110配置于第二空腔118内，并释放气体至第二空腔118内以增加第二空腔118内的第二压力，使得第二压力大于第一空腔116内的第一压力。于部分实施例中，第一空腔116经气密并填入第一气体，且第一气体具有第一压力。而第二空腔118经气密填入第二气体，第二气体具有第二压力。排气元件110配置于释放气体至第二空腔118内以增加第二空腔118内的第二压力，使第二压力大于第一压力。通过独立调整第一空腔116及第二空腔118内的压力，可增强微机电系统封装200的效能。例如，移动感应器具有第一微机电系统元件106以及第二微机电系统元件108，其中第一微机电系统元件106具有加速器，第二微机电系统元件108具有陀螺仪。通过独立调整第一空腔116以及第二空腔118内的压力，可优化第一微机电系统元件106以及第二微机电系统元件108(如：加速器及陀螺仪)的功能，并强化移动感应器的效能。

互补式金属氧化物半导体基板102包含多个配置于基板112上的半导体元件132(如：晶体管、电容、电阻、电感、二极管等等)。于部分实施例中，互补式金属氧化物半导体基板102包含多个互补式金属氧化物半导体元件，配置于提供如模拟数字转换、放大器、储存、滤波器等功能。于部分实施例中，基板112可为块体半导体晶圆如轻掺杂硅晶圆。基板112亦可经植入而形成二元化合物基板(如：砷化镓)、三元化合物基板(如：砷化镓铝)，或其他多元化合物晶圆。此外，基板112亦可包含非半导体材料，如绝缘体上硅(silicon-on-insulator；soi)的氧化物、部分绝缘体上硅基板、多晶硅、非晶硅，或其他有机材料。于部分实施例中，基板112可包含多个晶圆或晶片彼此堆迭或接合。

多个金属内连接层134配置于位于基板112上方的介电结构136，且包含金属导线层及导孔。多个金属内连接层134可包含导电金属材料，如铜、铝、钨等等。介电结构136可具有多个层间介电质(inter-leveldielectric；ild)层，层间介电质层包含一个或多个低介电常数(low-k)层、超低介电常数(ultra-low-k)层、极低介电常数(extremelow-k)层，及/或其他二氧化硅层。

钝化层114配置于多个金属内连接层134及介电结构136上方。钝化层114配置于保护下方的层，避免在形成微机电系统封装200的过程中遭破坏。于部分实施例中，钝化层114包含高密度等离子介电层，例如高密度等离子氧化层。排气元件110配置于钝化层114的沟槽中，且具有上表面暴露于第二空腔118。于部分实施例中，排气元件110与钝化层114为相同材料，如高密度等离子氧化层。于部分其他实施例中，排气元件110与钝化层114为不同材料。

于部分实施例中，硬质遮罩层140形成于钝化层114的上方。硬质遮罩层140配置于协助钝化层114的图案化。排气元件110的上表面可与硬质遮罩层140共平面。于部分实施例中，导电层138(如：氮化钛层)配置于钝化层114与多个金属内连接层134及/或介电结构136之间。导电层138配置于作为互补式金属氧化物半导体基板102的电荷平衡层。

于部分实施例中，微机电系统基板104包含微机电系统层124及封端基板130。微机电系统层124的前表面面向互补式金属氧化物半导体基板102，而微机电系统层124的相对于前表面的后表面与封端基板130连接。于部分实施例中，封端基板130与微机电系统层124透过共晶(eutectic)连接，如半导体-金属连接(semiconductor-to-metalbonding)或金属-金属连接(metal-to-metalbonding)。于部分实施例中，封端基板130包含第一沟槽126及第二沟槽128，第一沟槽126及第二沟槽128位于封端基板130的面向微机电系统层124的前侧。第一沟槽126及第二沟槽128分别为第一空腔116及第二空腔118的一部分。于部分实施例中，介电衬层146可共形地沿着封端基板130的前表面形成，且包含第一沟槽126及第二沟槽128的表面。于部分实施例中，封端基板130可透过介电衬层146与微机电系统层124连接。

于部分实施例中，互补式金属氧化物半导体基板102与微机电系统基板104透过多个金属内连接层134的第一连接金属层134a以及微机电系统基板104的第二连接金属层144连接。第一连接金属层134a配置于钝化层114与介电结构136之间。第二连接金属层144可延伸并穿越硬质遮罩层140及钝化层114并于连接介面接触第一连接金属层134a。于部分实施例中，第二连接金属层144配置于延伸出微机电系统层124的凸出部142上。于部分其他实施例中，第二连接金属层144可共形地沿着凸出部142的侧壁及底面形成。

图3至图10为本揭露的部分实施例的形成具有用于调整空腔的压力的排气元件的微机电系统封装的方法的截面图300至1000。

如图3的截面图300所示，提供基板112。于不同实施例中，基板112可包含任何型态的半导体本体(如：硅/互补式金属氧化物半导体块体、硅锗、绝缘体上半导体等等)，诸如半导体晶圆或一个或多个晶圆上的晶片，亦可包含任形成于基板112上方及/或与基板112连接的何其他型态的半导体及/或磊晶层。于部分实施例中，多个半导体元件及多个金属内连接层(位于包含一个或多个层间介电质层的介电结构内)可形成于基板112上方，以形成互补式金属氧化物半导体基板112。多个金属内连接层的形成方法为：通过选择性将层间介电质暴露于蚀刻剂(如：四氟化碳(cf4)、三氟甲烷(chf3)、八氟环丁烷(c4f8)、氢氟酸(hf)等等)以形成沟槽或导孔，并在沟槽或导孔填充导电金属材料，如铜、铝、钨等。于部分实施例中，可使用化学机械研磨(chemicalmechanicalpolishing；cmp)制程以移除层间介电质层上表面的过多的金属材料。

钝化层114形成于基板112的上方。钝化层114可通过沉积制程形成，如化学气相沉积(chemicalvapordeposition；cvd)、物理气相沉积(physicalvapordeposition；pvd)，或原子层沉积(atomiclayerdeposition；ald)等。于部分实施例中，钝化层114可通过等离子辅助化学气相沉积(plasmaenhancedchemicalvapordeposition；pecvd)形成。于部分实施例中，硬质遮罩层140形成于钝化层114的上方。硬质遮罩层140可通过沉积制程形成，并配合光阻遮罩以及光微影制程进行图案化。

如图4所示的截面图400，硬质遮罩层140及钝化层114经过图案化以形成沟槽，其中沟槽的位置为后续步骤中制造微机电系统元件的空腔覆盖的位置。沟槽接着填充排气元件110。于部分实施例中，排气元件110通过等离子辅助化学气相沉积在钝化层114上方沉积排气层而形成。移除位于硬质遮罩层140的上表面的排气层，并保留钝化层114内的排气层。于部分实施例中，排气元件110与硬质遮罩层140的上表面共平面。

如图5所示的截面图500，排气阻层302形成于排气元件110与硬质遮罩层140上方。于部分实施例中，排气阻层302可通过沉积制程形成，如化学气相沉积、物理气相沉积，或原子层沉积。排气阻层302覆盖排气元件110并阻止气体自排气元件110排出。于部分实施例中，排气元件110与钝化层114为相同材料。然而，不同于钝化层114之处为，钝化层114暴露于部分热制程。而排气阻层302形成后即覆盖排气元件110，使得排气过程在连接制程期间或之后可通过排气元件110更有效率地执行，并调控空腔的压力。

如图6所示的截面图600，对排气阻层302、硬质遮罩层140，及钝化层114执行第二图案化制程以形成多个连接沟槽，以在基板112内的元件和微机电系统基板(于图9的步骤中形成)间提供电连接。第二图案化制程包含蚀刻制程，可包含干蚀刻(如：等离子蚀刻剂、反应式离子蚀刻(reactiveionetching；rie)剂)或湿蚀刻(如：氢氟酸)。于部分实施例中，多个连接沟槽304透过蚀刻制程穿越形成于钝化层114内。于其他实施例中，通过形成连接沟槽304，可曝露预先形成的金属层。可对金属层执行额外安排的制程，如平坦化或清洁制程，以用于后续的连接制程。

如图7所示的截面图700，第一连接衬垫306形成于互补式金属氧化物半导体基板102上方。于部分实施例中，第一连接衬垫306共形地沿着连接沟槽304的表面形成。于部分其他实施例中，第一连接衬垫306可延伸至排气阻层302上方。第一连接衬垫306可透过包含热制程的沉积制程形成(如化学气相沉积、物理气相沉积，或原子层沉积)。于部分实施例中，钝化层114可于热制程期间释放气体308，而排气元件110透过排气阻层302保护。

如图8所示的截面图800，移除排气阻层302以曝露排气元件110。于部分实施例中，排气阻层302通过干蚀刻(如：等离子蚀刻剂、反应式离子蚀刻剂)进行蚀刻，并接着执行湿式清理制程。

如图9所示的截面图900，预先形成微机电系统基板104。于部分实施例中，微机电系统基板104的预先形成包含对封端基板130进行选择性蚀刻并在封端基板130的前表面形成第一沟槽126及第二沟槽128。于部分实施例中，封端基板130还包含凸出自第一沟槽126及第二沟槽128的横向表面的防黏着凸块(anti-stictionbump)312。防黏着凸块312配置于减少封端基板130与第一沟槽126及第二沟槽128内的微机电系统元件之间的附着。介电衬层146可沿着封端基板130的前表面形成。于部分实施例中，介电衬层146包含通过热制程形成的氧化物(如二氧化硅)。于其他实施例中，介电衬层146包含由沉积制程(如化学气相沉积、物理气相沉积，或原子层沉积)形成的氧化物(如二氧化硅)。于部分实施例中，介电衬层146可沿着第一沟槽126及第二沟槽128的表面延伸。

微机电系统层124(如：微机电系统基板)可连接于介电衬层146上方以形成一个或多个位于封端基板130和微机电系统层124之间的空腔。于部分实施例中，微机电系统层124可透过融合连接制程(fusionbondingprocess)与介电衬层146连接。于部分实施例中，微机电系统层124经图案化以形成第一微机电系统元件106及第二微机电系统元件108。

如图10所示的截面图1000，连接结构314形成于微机电系统基板104上，例如位于微机电系统层104的上表面。于不同实施例中，连接结构314可通过沉积制程形成，如化学气相沉积、物理气相沉积，或原子层沉积。微机电系统基板104连接至互补式金属氧化物半导体基板102。微机电系统基板104可通过高温连接制程连接至互补式金属氧化物半导体基板102。高温连接制程造成排气元件110释放气体至第二空腔118以改变第二空腔118内的压力p2。

例如，于部分实施例中，微机电系统层124与互补式金属氧化物半导体基板102的连接是透过共晶连接连接衬垫306及连接结构314。于部分实施例中，共晶连接包含半导体材料与金属材料间的半导体-金属连接。于部分实施例中，半导体材料包含硅、锗、硅锗，或其他半导体材料的至少一者。于部分实施例中，金属材料包含铝、铜、钛、钽、金、镍、锡，或其他金属的至少一者。另一种共晶连接为两金属材料之间的金属-金属连接，两金属各包含铝、铜、钛、钽、金、镍、锡，或其他金属的至少一者。连接的材料在退火制程中彼此产生压力以形成材料的共晶面。例如，锗与铝之间的共晶连接于退火温度约400度至450度时形成。

连接制程的执行具有第一气体压力p1(如：连接制程中制程腔内的压力)，使得第一空腔116与第二空腔118初始具有第一气体压力p1。在连接制程期间，排气元件110在相对高温环境下释放第二气体310，以增加第二空腔118内的压力成为具有较大的压力p2。于部分实施例中，可执行额外的热制程以进一步促使排气元件110进行排气并增加第二空腔118内的压力。因此，排气元件110具有在连接制程(且不需要对微机电系统基板104及/或互补式金属氧化物半导体基板102执行额外制程步骤及/或结构的破坏)期间及/或之后调控第二空腔118内的压力的能力。

图11为本揭露的部分实施例的形成具有用于调整空腔的压力的排气元件的微机电系统封装的方法的流程图。

即便方法1100已于图3至图10中描述，然应了解方法1100并不限定于图3至图10所描述的结构，且可独立于图3至图10所描述的结构。相似地，应了解图3至图10所述的结构并不限制于方法1100，且可独立于方法1100。且，揭露的方法(如方法1100)将于后续透过一系列步骤或事件描述，然应了解这些步骤与事件的顺序并不用于限制本揭露。例如，部分步骤可具有不同顺序及/或可由其他未于本揭露所描述的步骤同时进行。此外，并非所有步骤皆须在本揭露的实施例或态样中执行。再者，本揭露所描述的一个或多个步骤亦可分为一个或多个分离的步骤或相态。

于步骤1102中，在互补式金属氧化物半导体基板上方形成钝化层，并图案化钝化层。在形成钝化层之前，可在互补式金属氧化物半导体基板内形成多个半导体元件及多个金属内连接层，其中金属内连接层位于具有多个层间介电质层的介电结构内。可在钝化层上方形成硬质遮罩层并图案化。图3的截面图300为对应步骤1102的部分实施例。

于步骤1104中，在钝化层的沟槽内形成排气元件。于部分实施例中，排气元件形成与图案化的位置对应到后续形成欲加压的微机电系统元件的位置。排气元件可为介电层以释放气体至微机电系统元件的空腔内。排气元件可通过等离子辅助化学气相沉积形成。于部分实施例中，排气元件可经由图案化使其上表面与硬质遮罩层共平面。图4的截面图400为对应步骤1104的部分实施例。

于步骤1106中，形成排气阻层于排气元件及钝化层上方，以避免排气元件过早排气。图5的截面图500为对应步骤1106的部分实施例。

于步骤1108中，对钝化层及硬质遮罩层执行第二图案化制程。于部分实施例中，第二图案化制程形成穿越钝化层的多个连接沟槽。连接沟槽可曝露多个内连接结层的上表面。图6的截面图600为对应步骤1108的部分实施例。

于步骤1110中，对钝化层执行第一热制程。例如，第一热制程可用于形成及/或预先准备第一连接衬垫。第一连接衬垫可为内连接层的第一连接金属层，且可通过后续的连接制程清除。第一连接衬垫亦可为形成于钝化层或层间介电质层上的金属层或半导体层。排气阻层保护排气元件以避免在第一热制程期间排气。图7的截面图700为对应步骤1110的部分实施例。

于步骤1112中，移除排气阻层以曝露排气元件。图8的截面图800为对应步骤1112的部分实施例。

于步骤1114中，在第一压力的环境下连接微机电系统基板与互补式金属氧化物半导体基板以在其间形成一个或多个空腔。微机电系统基板与互补式金属氧化物半导体基板可透过第二热制程连接。第二热制程使暴露的排气元件在连接期间释放气体，以调控至少一空腔的第二压力大于第一压力。图9至图10的截面图900至1000为对应步骤1114的部分实施例。

因此，本揭露是关于一种微机电系统封装及其制造方法，微机电系统封装包含排气元件，排气元件透过在连接制程期间及/或之后引入排气制程以调控空腔内的压力。

本揭露的一实施例是关于一种制造微机电系统封装的方法。包含形成排气元件于互补式金属氧化物半导体基板的钝化层内。形成排气阻层以覆盖排气元件。移除覆盖在排气元件上方的排气阻层。连接微机电系统基板至互补式金属氧化物半导体基板的前侧，以将第一微机电系统元件封闭至第一空腔中，并将第二微机电系统元件封闭至第二空腔中，其中在移除排气阻层后，排气元件释放气体至第二空腔内以增加第二空腔内的第二压力，使第二压力大于第一空腔内的第一压力。

本揭露的另一实施例是关于一种制造微机电系统封装的方法。包含形成排气元件于互补式金属氧化物半导体基板的前侧。形成排气阻层以覆盖排气元件。对该互补式金属氧化物半导体基板执行热制程。移除覆盖在排气元件上方的排气阻层。连接微机电系统基板至互补式金属氧化物半导体基板，以将第一微机电系统元件封闭于具有第一压力的第一空腔中，并将第二微机电系统元件封闭于具有第二压力的第二空腔中。在移除排气阻层后，排气元件释放气体至第二空腔内以增加第二空腔内的第二压力。

本揭露的又一实施例是关于一种微机电系统封装。微机电系统封装包含互补式金属氧化物半导体基板、微机电系统基板，以及排气元件。互补式金属氧化物半导体基板包含配置于基板上的钝化层。微机电系统基板连接至互补式金属氧化物半导体基板，并将第一微机电系统元件封闭于具有第一压力的第一空腔中，且将第二微机电系统元件封闭于具有第二压力的第二空腔中。排气元件配置于钝化层中并暴露至第二空腔。在互补式金属氧化物半导体基板与微机电系统基板的连接制程期间或之后，排气元件配置于释放一气体至第二空腔内以增加第二空腔的第二压力，使第二压力大于第一空腔的第一压力。

上文概述了若干实施例的特征，以便本领域熟悉此项技艺者可更好地理解本揭示案的态样。本领域熟悉此项技艺者应当了解到他们可容易地使用本揭示案作为基础来设计或者修改其他制程及结构，以实行相同目的及/或实现相同优势的。本领域熟悉此项技艺者亦应当了解到，此类等效构造不脱离本揭示案的精神及范畴，以及在不脱离本揭示案的精神及范畴的情况下，其可对本文进行各种改变、取代及变更。