一种MEMS器件及其制备方法、电子装置与流程

本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种mems器件及其制备方法、电子装置。

背景技术：

随着半导体技术的不断发展，在传感器(motionsensor)类产品的市场上，智能手机、集成cmos和微机电系统(mems)器件日益成为最主流、最先进的技术，并且随着技术的更新，这类传动传感器产品的发展方向是规模更小的尺寸，高质量的电学性能和更低的损耗。

其中，mems传感器广泛应用于汽车电子：如tpms、发动机机油压力传感器、汽车刹车系统空气压力传感器、汽车发动机进气歧管压力传感器(tmap)、柴油机共轨压力传感器；消费电子：如胎压计、血压计、橱用秤、健康秤，洗衣机、洗碗机、电冰箱、微波炉、烤箱、吸尘器用压力传感器，空调压力传感器，洗衣机、饮水机、洗碗机、太阳能热水器用液位控制压力传感器；工业电子：如数字压力表、数字流量表、工业配料称重等，电子音像领域：麦克风等设备。

随着3dic技术的发展，mems产品越来越丰富，麦克风产品作为其中一种,在消费类电子中的大量使用。麦克风一般由振膜，背板，空气隙，电极和背腔组成。其中电极材料一般为cr/au，分别连接背板和振膜。振膜相当于一个质量块和一个弹簧，而背腔相当于一个空气弹簧。

在进行背腔的深孔硅刻蚀时，使用的方法有湿法(一般为tmah，naoh或者koh等碱性溶液)和drie干法两种。

目前我们采用的是drie刻蚀背腔，但是存在以下问题：在背腔刻蚀的时候，光刻胶被等离子体(plasma)轰击，会产生表面的硬壳，所以采用干法去胶和湿法去胶的结合方式。干法去胶，就是传统的利用氧等离子体(plasma)灰化(asher)的原理。但是灰化工具(ashertool)连续运行(run)，腔室温度会升高，在该过程中使用150-170℃的温度，同时，由于不同产品混合运行(mix-run)，有的产品270℃的温度，腔室实际温度到300℃，但是等待时间(q-time)不够的情况下，腔室实际温度高于200℃(cr的扩散温度)，由于器件中cr原子半径小于au原子半径，cr原子扩散入au膜厚，在au表面形成了crox，导致器件失效。

为了解决上述问题需要对目前所述mems麦克风及其制备方法作进一步的改进。

技术实现要素：

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明提供了一种mems器件的制备方法，所述方法包括：

提供晶圆，在所述晶圆的正面依次形成有振膜、牺牲层和背板；

在所述晶圆的背面形成感光固化胶，以覆盖所述晶圆的背面；

对所述感光固化胶进行光刻和固化，以露出部分所述晶圆的背面；

对露出的所述晶圆的背面进行蚀刻，以形成背腔并露出所述振膜，同时保留剩余的所述感光固化胶。

可选地，所述感光固化胶的固化温度小于200℃。

可选地，所述感光固化胶的厚度为5～100μm。

可选地，所述感光固化胶包括聚酰亚胺。

可选地，所述背腔的深度为300～400um。

可选地，所述方法还进一步包括去除所述牺牲层，以在所述振膜和所述背板之间形成空腔的步骤。

可选地，使用缓冲蚀刻工艺去除所述牺牲层。

本发明还提供了一种mems器件，所述mems器件包括：

晶圆；

振膜，位于所述晶圆的正面上；

背板，位于所述振膜的上方；

空腔，位于所述振膜和所述背板之间；

背腔，形成于所述晶圆的背面并露出部分所述振膜；

感光固化胶，位于所述背腔外侧的所述晶圆的背面上。

可选地，所述感光固化胶的固化温度小于200℃。

可选地，所述感光固化胶的厚度为5～100um

可选地，所述感光固化胶包括聚酰亚胺。

可选地，所述背腔的深度为300～400um。

本发明还提供了一种电子装置，所述电子装置包括上述的mems器件。

本发明在形成振膜和背板之后，在所述晶圆的背面利用低温的感光固化胶(例如聚酰亚胺(polyimide)或者类似材料，其固化温度在200℃以下作为掩膜(mask)来刻蚀背腔，仅需使用背面湿法工艺去除聚合物(polymer)，或者在drie刻蚀时，原位(in-situ)去除聚合物(polymer)。同时所述低温的感光固化胶作为永久膜留在背面，可以增加背腔空间，提升麦克风的电容值，从而提升其低频区的敏感性。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的装置及原理。在附图中，

图1为本发明中所述mems器件的制备工艺流程图；

图2a-2c为本发明中所述mems器件的制备过程示意图；

图3为本发明中移动电话手机的示例的外部视图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。

实施例一

下面参考图1和图2a-2c对本发明的mems器件的制备方法做详细描述，图1示出了本发明所述mems器件的制备工艺流程图；图2a-2c示出了本发明所述mems器件的制作方法的示意图。

图1为本发明中所述mems器件的制备工艺流程图，具体包括以下步骤：

步骤s1：提供晶圆，在所述晶圆的正面依次形成有振膜、牺牲层和背板；

步骤s2：在所述晶圆的背面形成感光固化胶，以覆盖所述晶圆的背面；

步骤s3：对所述感光固化胶进行光刻和固化，以露出部分所述晶圆的背面；

步骤s4：对露出的所述晶圆的背面进行蚀刻，以形成背腔并露出所述振膜，同时保留剩余的所述感光固化胶。

下面，对本发明的mems器件的制备方法的具体实施方式做详细的说明。

首先，执行步骤一，提供晶圆201，在所述晶圆的正面依次形成有振膜203、牺牲层205和背板204。

具体地，如图2a所示，其中所述晶圆可以是以下所提到的材料中的至少一种：硅、绝缘体上硅(soi)、绝缘体上层叠硅(ssoi)、绝缘体上层叠锗化硅(s-sigeoi)、绝缘体上锗化硅(sigeoi)以及绝缘体上锗(geoi)等。

此外，晶圆上可以被定义有源区。在该有源区上还可以包含有其他的有源器件，为了方便，在所示图形中并没有标示。

其中，在所述晶圆上可以形成各种前端器件，所述前端器件可以包括有源器件、无源器件以及mems器件等。

例如在所述晶圆上可以形成各种晶体管用于构成各种电路，射频器件用于形成射频组件或模块，互连结构用于连接晶体管、射频器件以及前端器件中的其他组件。

其中，晶体管可以为普通晶体管、高k金属栅极晶体管、鳍型晶体管或其他合适的晶体管。互连结构可以包括金属层(例如铜层或铝层)、金属插塞等。射频器件可以包括电感(inductor)等器件。

除包括晶体管、射频器件和互连结构外，前端器件还可以包括其他各种可行的组件，例如电阻、电容、mems器件等，在此并不进行限定。

例如在本发明中可以在所述晶圆中形成mems麦克风，所述麦克风至少包括振膜、背板和位于所述振膜、背板之间的空腔，所述mems麦克风的工作原理是由振膜(membrane)的运动产生电容的变化，利用电容变化量进行运算和工作的。

当然在所述晶圆中还可以进一步形成其他器件，在此不再一一赘述。

在所述晶圆和所述振膜之间形成有绝缘层，其中所述为氧化物，例如为热氧化物，所述绝缘材料层可以通过热氧化形成。

在该实施例中所述氧化物层为sio2层，所述sio2层通过快速热氧化工艺(rto)来形成，其厚度为8-50埃，但并不局限于该厚度。

可选地，在形成所述绝缘层之前还进一步包括对所述晶圆进行图案化的步骤，以在所述晶圆中形成凹槽。

其中，所述凹槽为若干相互间隔的方形凹槽，例如所述凹槽可以均匀的分布于所述晶圆。

其中，形成所述凹槽的方法包括：在所述晶圆形成光刻胶层并曝光显影，以形成掩膜，以所述光刻胶层为掩膜蚀刻所述晶圆，以在所述晶圆的表面形成所述凹槽。

其中所述凹槽的深度并不局限于某一数值范围，可以根据需要进行设定。

在该步骤中可以选用干法蚀刻，干法蚀刻包括但不限于反应离子蚀刻(rie)、离子束蚀刻或等离子体蚀刻。

在该步骤中选用o基蚀刻剂蚀刻所述晶圆，在本发明的一实施例中选用o2的气氛，还可以同时加入其它少量气体例如cf4、co2、n2，所述蚀刻压力可以为50-200mtorr，优选为100-150mtorr，功率为200-600w，在本发明中所述蚀刻时间为5-80s，更优选10-60s，同时在本发明中选用较大的气体流量，作为优选，在本发明所述o2的流量为30-300sccm，更优选为50-100sccm。

可选地，在该步骤中还可以对所述绝缘材料层进行图案化，以去除所述晶圆外侧的所述绝缘材料层，仅保留位于所述晶圆中间区域上的所述绝缘材料层。

在所述绝缘层上形成振膜203，其中，所述振膜203可以是半导体，比如多晶硅；也可以是其他金属，比如铝、铜、钛或铬。此外，所述振膜203也可以是其他材料，比如活性树脂bcb。

在该实施例中所述振膜203选用多晶硅。

其中，所述振膜203可采用包括但不限于外延生长法、有机合成法、化学气相沉积(cvd)或等离子增强化学气相沉积法(pecvd)等沉积方法形成。

其中，所述振膜203的厚度可以为10k埃左右，但是并不局限于某一数值范围。

在所述振膜的上方形成牺牲层和背板，以在后续的工艺中在所述振膜和所述背板之间形成空腔。

具体地，在所述晶圆上形成牺牲层，以覆盖所述振膜，所述牺牲层通过使用诸如氧化硅层、氮化硅层、或氮氧化硅层的无机绝缘层，诸如包含聚乙烯苯酚、聚酰亚胺、或硅氧烷等的层的绝缘层等来形成。此外，聚乙烯苯酚、聚酰亚胺、或硅氧烷可有效地通过微滴排放法、印刷术或旋涂法形成。

所述牺牲层可以选用现有技术中常用的沉积方法，例如可以是通过化学气相沉积(cvd)法、物理气相沉积(pvd)法或原子层沉积(ald)法等形成的。本发明中优选原子层沉积(ald)法。

在形成所述牺牲层之后，还进一步包括对所述牺牲层进行图案化的步骤，以去除外侧的所述牺牲层，以露出边缘位置的所述振膜。

在所述牺牲层上形成背板，以在后续的步骤中形成固定电极。

其中，所述背板选用导电材料或者掺杂的半导体材料，可选地，在该实施例中选用掺杂的硅。

其中，所述掺杂离子并不局限于某一种，例如可以为b、p、n、as等，不再一一列举。

其中所述背板完全覆盖所述牺牲层和露出的所述振膜。

所述方法还进一步包括图案化所述背板的步骤，以在所述背板中形成声孔，其中，所述声孔露出所述牺牲层。

其中，形成所述声孔的步骤包括在所述背板上形成图案化的光刻胶层或者有机分布层(organicdistributionlayer,odl)，含硅的底部抗反射涂层(si-barc)以及位于顶部的图案化了的光刻胶层(图中未示出)，其中所述光刻胶上的图案定义了所述开口的图案，然后以所述光刻胶层为掩膜层蚀刻所述有机分布层、底部抗反射涂层形成开口的图案，然后以所述有机分布层、底部抗反射涂层为掩膜，蚀刻所述背板，以形成所述开口，露出所述牺牲层同时露出边缘位置的所述振膜。

在该步骤中选用深反应离子刻蚀(drie)方法形成所述声孔，反应离子刻蚀是利用高频辉光放电产生的活性基团与被腐蚀材料发生化学反应，形成挥发性产物使样品表面原子从晶格中脱落，从而实现样品表面微细图形制备的设备。

在所述深反应离子刻蚀(drie)步骤中选用气体六氟化硅(sf6)作为工艺气体，施加射频电源，使得六氟化硅反应进气形成高电离，所述蚀刻步骤中控制工作压力为20mtorr-8torr，功率为600w，频率为13.5mhz，直流偏压可以在-500v-1000v内连续控制，保证各向异性蚀刻的需要，选用深反应离子刻蚀(drie)可以保持非常高的刻蚀光阻选择比。所述深反应离子刻蚀(drie)系统可以选择本领常用的设备，并不局限于某一型号。

可选地，在所述开口中露出的所述振膜和/或所述背板上形成金属焊盘，以用于后续的互连，所述金属焊盘选用金属材料，例如可以选用金属铜，如图2a所示。

所述焊盘金属层的沉积可以选用现有技术中常用的沉积方法，例如可以是通过化学气相沉积(cvd)法、物理气相沉积(pvd)法或原子层沉积(ald)法等形成的。本发明中优选原子层沉积(ald)法。

执行步骤二，在所述晶圆的背面形成感光固化胶202并进行光刻和固化，以露出部分所述晶圆的背面。

具体地，如图2a所示，在所述晶圆的背面形成感光固化胶202，在本发明中为了避免器件中的cr原子扩散入au膜厚中降低工艺制程的温度，在本发明中选用低温的感光固化胶来代替目前工艺中使用的光刻胶，例如所述感光固化胶的固化温度小于200℃。

其中，所述感光固化胶的厚度为5～100um

可选地，所述感光固化胶包括聚酰亚胺或其他类似的材料，并不局限于某一种。

执行步骤三，对露出的所述晶圆的背面进行蚀刻，以形成背腔并露出所述振膜，同时保留所述感光固化胶。

具体地，如图2b所示，在该步骤中以所述感光固化胶为掩膜对露出的所述晶圆的背面进行蚀刻，以在所述晶圆的背面中形成背腔。

其中，在本发明中将所述感光固化胶作为掩膜来刻蚀背腔，在步骤二中的所述光刻步骤以及步骤三中的所述蚀刻步骤中可能会产生聚合物，在该实施例中仅需使用背面湿法工艺去除所述聚合物，或者在选用drie刻蚀背腔时，原位去除聚合物。

其中，所述湿法工艺以及drie刻蚀工艺可以选用本领域中常用的方法，并不局限于某一种。

同时，所述感光固化胶作为永久膜留在背面，可以增加背腔空间，提升麦克风的电容值，从而提升其低频区的敏感性。

在该步骤中选用在该步骤中选用深反应离子刻蚀(drie)方法形成所述背腔。

其中，所述深反应离子刻蚀(drie)方法中的各种参数可以选用常规的参数，在此不再赘述。

执行步骤四，去除所述振膜和所述背板之间的所述牺牲层，以在所述振膜和所述背板之间形成空腔，如图2c所示。

具体地，形成所述空腔的步骤包括：

步骤1：在所述晶圆、所述振膜和所述牺牲层上形成保护层，以覆盖所述牺牲层；

步骤2：图案化所述保护层和所述振膜，以在所述保护层和所述振膜中形成开口并露出所述牺牲层；

步骤3：去除所述振膜和所述背板之间的所述牺牲层。

具体地，所述保护层可以选用本领域常用的钝化材料，在该步骤中，所述保护层为选自pesin层、peteos层、sin层和多晶硅层中的一种或者多种。

图案化所述保护层和所述背板，以形成开口，露出所述牺牲层。

其中，所述牺牲层选用氧化物层时，可以选用boe的湿法蚀刻去除所述牺牲材料层。

所述boe蚀刻液的质量分数为0.1％-10％，所述湿法蚀刻温度为25-90℃，所述湿法蚀刻时间为100～10000s，但是并不局限于该示例，还可以选用本领域常用的其他方法。

在形成所述空腔之后还可以进一步包括对所述mems器件进行清洗的步骤。

至此，完成了本发明实施例的mems器件的制备方法的相关步骤的介绍。所述方法还可以包括形成晶体管的步骤以及其他相关步骤，此处不再赘述。并且，除了上述步骤之外，本实施例的制备方法还可以在上述各个步骤之中或不同的步骤之间包括其他步骤，这些步骤均可以通过目前工艺中的各种工艺来实现，此处不再赘述。

本发明所述方法在形成振膜和背板之后，在所述晶圆的背面利用低温的感光固化胶(例如聚酰亚胺(polyimide)或者类似材料，其固化温度在200℃以下作为掩膜(mask)来刻蚀背腔，仅需使用背面湿法工艺去除聚合物(polymer)，或者在drie刻蚀时，原位(in-situ)去除聚合物(polymer)。同时所述低温的感光固化胶作为永久膜留在背面，可以增加背腔空间，提升麦克风的电容值，从而提升其低频区的敏感性。

实施例二

本发明还提供了一种mems器件，所述mems器件通过实施例一中所述方法制备得到。

所述mems器件包括：

晶圆201；

振膜203，位于所述晶圆的正面上；

背板204，位于所述振膜的上方；

空腔，位于所述振膜和所述背板之间；

背腔，形成于所述晶圆的背面并露出部分所述振膜；

感光固化胶202，位于所述背腔外侧的所述晶圆的背面上。

具体地，其中所述晶圆可以是以下所提到的材料中的至少一种：硅、绝缘体上硅(soi)、绝缘体上层叠硅(ssoi)、绝缘体上层叠锗化硅(s-sigeoi)、绝缘体上锗化硅(sigeoi)以及绝缘体上锗(geoi)等。

此外，晶圆上可以被定义有源区。在该有源区上还可以包含有其他的有源器件，为了方便，在所示图形中并没有标示。

其中，在所述晶圆上可以形成各种前端器件，所述前端器件可以包括有源器件、无源器件以及mems器件等。

例如在所述晶圆上可以形成各种晶体管用于构成各种电路，射频器件用于形成射频组件或模块，互连结构用于连接晶体管、射频器件以及前端器件中的其他组件。

其中，晶体管可以为普通晶体管、高k金属栅极晶体管、鳍型晶体管或其他合适的晶体管。互连结构可以包括金属层(例如铜层或铝层)、金属插塞等。射频器件可以包括电感(inductor)等器件。

除包括晶体管、射频器件和互连结构外，前端器件还可以包括其他各种可行的组件，例如电阻、电容、mems器件等，在此并不进行限定。

例如在本发明中可以在所述晶圆中形成mems麦克风，所述麦克风至少包括振膜、背板和位于所述振膜、背板之间的空腔，所述mems麦克风的工作原理是由振膜(membrane)的运动产生电容的变化，利用电容变化量进行运算和工作的。

当然在所述晶圆中还可以进一步形成其他器件，在此不再一一赘述。

在所述晶圆和所述振膜之间形成有绝缘层，其中所述为氧化物，例如为热氧化物，所述绝缘材料层可以通过热氧化形成。

在该实施例中所述氧化物层为sio2层，所述sio2层通过快速热氧化工艺(rto)来形成，其厚度为8-50埃，但并不局限于该厚度。

可选地，在形成所述绝缘层之前还进一步包括对所述晶圆进行图案化的步骤，以在所述晶圆中形成凹槽。

其中，所述凹槽为若干相互间隔的方形凹槽，例如所述凹槽可以均匀的分布于所述晶圆。

在所述绝缘层上形成有振膜203，其中，所述振膜203可以是半导体，比如多晶硅；也可以是其他金属，比如铝、铜、钛或铬。此外，所述振膜203也可以是其他材料，比如活性树脂bcb。

在该实施例中所述振膜203选用多晶硅。

其中，所述振膜203可采用包括但不限于外延生长法、有机合成法、化学气相沉积(cvd)或等离子增强化学气相沉积法(pecvd)等沉积方法形成。

其中，所述振膜203的厚度可以为10k埃左右，但是并不局限于某一数值范围。

在所述振膜的上方有背板，在所述振膜和所述背板之间形成有空腔。

其中，所述背板选用导电材料或者掺杂的半导体材料，可选地，在该实施例中选用掺杂的硅。

其中，所述掺杂离子并不局限于某一种，例如可以为b、p、n、as等，不再一一列举。

在所述背板中形成有声孔。

可选地，在所述背板的开口中露出的所述振膜和/或所述背板上形成金属焊盘，以用于后续的互连，所述金属焊盘选用金属材料，例如可以选用金属铜。

在所述晶圆的背面形成有感光固化胶202，在本发明中为了避免器件中的cr原子扩散入au膜厚中降低工艺制程的温度，在本发明中选用低温的感光固化胶来代替目前工艺中使用的光刻胶，例如所述感光固化胶的固化温度小于200℃。

其中，所述感光固化胶的厚度为5～100um。

可选地，所述感光固化胶包括聚酰亚胺或其他类似的材料，并不局限于某一种。

在所述晶圆背面中形成有背腔并露出所述振膜，同时保留所述感光固化胶。

本发明所述器件在制备过程中在形成振膜和背板之后，在所述晶圆的背面利用低温的感光固化胶(例如聚酰亚胺(polyimide)或者类似材料，其固化温度在200℃以下作为掩膜(mask)来刻蚀背腔，仅需使用背面湿法工艺去除聚合物(polymer)，或者在drie刻蚀时，原位(in-situ)去除聚合物(polymer)。同时所述低温的感光固化胶作为永久膜留在背面，可以增加背腔空间，提升麦克风的电容值，从而提升其低频区的敏感性。

实施例三

本发明还提供了一种电子装置，包括实施例二所述的mems器件，所述mems器件根据实施例一所述方法制备得到。

本实施例的电子装置，可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、上网本、游戏机、电视机、vcd、dvd、导航仪、数码相框、照相机、摄像机、录音笔、mp3、mp4、psp等任何电子产品或设备，也可为任何包括电路的中间产品。本发明实施例的电子装置，由于使用了上述的mems器件，因而具有更好的性能。

其中，图3示出移动电话手机的示例。移动电话手机300被设置有包括在外壳301中的显示部分302、操作按钮303、外部连接端口304、扬声器305、话筒306等。

其中所述移动电话手机包括实施例二所述的mems器件，所述mems器件包括晶圆；振膜，位于所述晶圆的正面上；背板，位于所述振膜的上方；空腔，位于所述振膜和所述背板之间；背腔，形成于所述晶圆的背面并露出部分所述振膜；感光固化胶，位于所述背腔外侧的所述晶圆的背面上。所述器件在制备过程中在形成振膜和背板之后，在所述晶圆的背面利用低温的感光固化胶(例如聚酰亚胺(polyimide)或者类似材料，其固化温度在200℃以下作为掩膜(mask)来刻蚀背腔，仅需使用背面湿法工艺去除聚合物(polymer)，或者在drie刻蚀时，原位(in-situ)去除聚合物(polymer)。同时所述低温的感光固化胶作为永久膜留在背面，可以增加背腔空间，提升麦克风的电容值，从而提升其低频区的敏感性。

本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。