技术总结
一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底表面具有分立的主电极层；在主电极层上形成支撑柱；在所述支撑柱表面和主电极层表面形成第一导电层；在所述第一导电层和衬底上形成牺牲层，所述牺牲层暴露出支撑柱顶部表面的第一导电层；在牺牲层和第一导电层上形成第二导电膜，第二导电膜和第一导电层电学连接。所述方法能够提高半导体器件的电学性能。
技术研发人员：伏广才
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.12.23
技术公布日：2018.07.03