一种基于PDMS振膜的MEMS静电执行器及制作方法与流程

本发明属于微机电系统(mems)技术领域，具体涉及一种基于pdms振膜的mems静电执行器及制作方法。

背景技术：

随着静电驱动方法在mems器件中被广泛采用，静电式执行器成为一种重要的驱动器件。其工作原理系利用异性电荷间产生的库仑力作用而产生的机械运动。静电执行器可以采用全si的工艺，并且能够与ic工艺相兼容，在批量化生产上有很大的优势，且其驱动力较大、功耗低，有很大的应用前景。

基于静电驱动的mems微型泵是微流体系统中的关键部件，微泵作为微流体系统的执行部件，在生物、化学、医疗、检疫以及国防等方面构建微分析系统(μtas)有着广泛的用途。

采用静电驱动可以获得较高的驱动频率，其具有能耗低(一般为毫瓦级)、振动膜片形变易于控制、响应时间短等特点。但是，静电驱动也有驱动电压高(一般大于50v)，这与ic电路所用的低电压不兼容；此外，微泵中还需要防止电路短路的绝缘膜，通常需要采用造价昂贵的soi片作为原材料，大大增加了制造成本。

本发明提出了采用基于pdms材料作为振膜的mems静电执行器，其工艺简单、材料成本远低于si，且其生物兼容性好。因其弹性模量相对si薄膜小，可在较低的驱动电压下工作，在生物检测等领域具有较强应用前景。

技术实现要素：

本发明针对传统静电执行器中制造材料昂贵、工艺较为复杂的的问题，提供了一种基于pdms振膜的mems静电执行器及制作方法，该mems静电执行器由复合振动薄膜层、下电极层和硅结构层组成，其特征在于，复合振动薄膜层由两层pdms薄膜层中间夹一层导电薄膜层组成。

所述的pdms薄膜具有较好弹性，其厚度为100-300微米。

所述复合振动薄膜层中的导电薄膜层为金属或导电氧化物、导电聚合物中的一种。

所述下电极层为非本征半导体的si薄膜，其厚度为1-100微米。

所述下电极层的上、下界面层分别为绝缘性的薄膜层，以保护下电极层在静电驱动工作时不形成漏电。

所述绝缘性的薄膜层为氧化硅、氧化铝绝缘薄膜材料中的一种。

一种基于pdms振膜的mems静电执行器的制备方法，包括如下步骤：

(1)pdms薄膜的制备，pdms按照交联剂与固化剂5:1～15:1的比例混合、固化；

(2)pdms振膜图形化，采用uv软刻蚀或激光切割等方式对pdms进行加工；

(3)pdms膜沉积金属电极层；

(4)沉积绝缘薄膜以使金属电极层有效隔离；

(5)与下电极层通过有机物粘接。

附图说明

图1为基于pdms振膜的mems静电执行器的结构示意图；

01为第一pdms薄膜层，02为上电极层，03为第二pdms薄膜层，04为第一绝缘氧化硅，05为硅电极层，06为第二绝缘氧化硅层，07为si结构层。

具体实施方式

本发明提供了一种基于pdms振膜的mems静电执行器及制作方法，下面结合附图对本发明进一步说明。

一种基于pdms振膜的mems静电执行器，如图1所示，01为第一pdms薄膜层，02为上电极层，03为第二pdms薄膜层，04为第一绝缘氧化硅，05为硅电极层，06为第二绝缘氧化硅层，07为si结构层，上电极的下表面和凹面电极的上表面之间形成闭合运动空间。

所述上电极层02可为金属或导电氧化物、导电聚合物层。其上、下层分别为具有弹性和绝缘性能的pdms薄膜01、03，以保护上电极02。

所述下电极05为硅薄膜层，其厚度为10-200微米。其下层为具有绝缘性能的氧化硅薄膜04、07，以保护下电极05形成绝缘层。

所述硅层07为起到支撑作用的si层。

实施例

一种基于pdms振膜的mems静电执行器的制作方法，包括下述步骤：

首先在双面抛光si上旋涂pdms，其配比为10:1。然后经真空干燥箱内固化。

在固化好的pdms薄膜(01)上采用电子束蒸发沉积au电极层(02)。然后再旋涂pdms，其配比为10:1。经真空干燥箱内固化，形成pdms薄膜(03)，薄膜厚度为100微米。采用激光切割或模板对pdms进行刻蚀，以形成电极区域。

采用背面光刻、并对si进行刻蚀实现泵腔的制备，完成泵腔与pdms振膜的组装。

选取表面氧化层厚度为300纳米的双面抛光si硅片用以制作下电极。首先在下电极区域刻蚀振膜腔体，腔体深度为50-100微米。

然后将上述si片进行热氧化处理以形成对si层的隔离。

采用刻蚀工艺对si片进行处理，形成下电极区域。最后，辅助以对准装置，通过胶体将执行器的各个组件采用粘接的方式组装。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种基于聚二甲基硅氧烷(PDMS)振膜的静电执行器及制作方法。该具有静电执行器是以PDMS薄膜作为可以往复运动的高弹性薄膜作为振膜形成执行器部件，与以往全Si静电执行器相比，本发明所述基于PDMS静电执行器不仅可以简化MEMS微泵的加工工艺，降低材料成本，由于其弹性模量比Si小，可降低全Si静电执行器件的驱动电压。

技术研发人员：魏峰;赵鸿滨;苑鹏;杨志民;杜军;徐瑶华
受保护的技术使用者：北京有色金属研究总院
技术研发日：2017.06.01
技术公布日：2017.09.29