技术总结
本发明公开一种MEMS压力传感器的制备方法，采用两片SOI硅片，利用干法刻蚀第一SOI硅片顶层硅至埋氧层制备岛状结构，将第二SOI硅片的顶层硅和制备好岛状结构的第一SOI硅片顶层硅通过硅硅键合于一起，在带有岛状结构的第一SOI硅衬底处打开适合的窗口，经KOH溶液腐蚀至埋氧层，气态HF去除埋氧层，形成岛状结构活动间隙及过载结构，将制备好的结构和双抛硅片通过硅硅键合于一起，减薄第二SOI硅片的衬底，并去除第二SOI硅片的埋氧层，形成敏感薄膜，再制作压敏电阻及电极引线，最后完成整个MEMS压力传感器的制备；本方法可以精确控制岛状结构厚度，第一SOI硅片顶层硅的厚度即为岛状结构层厚度；同时实现抗过载结构，适合批量生产。
技术研发人员：王鹏;陈丙根;陈博;陈璞;刘磊;王文婧
受保护的技术使用者：北方电子研究院安徽有限公司
文档号码：201710688334
技术研发日：2017.08.12
技术公布日：2018.02.09