一种硅球面微凸块刻蚀方法与流程

技术特征：

1.一种硅球面微凸块刻蚀方法，其特征在于，包括：

准备普通硅片，作为用于刻蚀的衬底；

在所述衬底上依次进行正性光刻胶的涂布、曝光、显影，形成预设图形；

调整光刻胶的烘烤温度，得到光刻胶微凸包结构；

匹配光刻胶的厚度和选择比；

对光刻胶进行干法刻蚀，刻蚀过程中光刻胶逐步消耗；

计算光刻胶与硅的刻蚀选择比，得到目标高度的硅球面微凸块结构。

2.如权利要求1所述的硅球面微凸块刻蚀方法，其特征在于，所述干法刻蚀过程中，采用的气体包括刻蚀气体和缓冲气体，所述刻蚀气体为SF₆、O₂和HBr中的一种或多种，所述缓冲气体为N₂和Ar中的一种或多种。

3.如权利要求2所述的硅球面微凸块刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体的成份和配比为20～30份SF₆、5～20份O₂和15～40份HBr。

4.如权利要求1所述的硅球面微凸块刻蚀方法，其特征在于，所述匹配光刻胶的厚度和选择比的过程包括：通过电子显微镜，获得光刻胶的切片形貌，并将切片形貌进行CAD数据处理。

5.如权利要求1所述的硅球面微凸块刻蚀方法，其特征在于，所述光刻胶的涂布厚度为8～12um。

6.如权利要求5所述的硅球面微凸块刻蚀方法，其特征在于，所述硅球面微凸块结构的高度为20～30um。

7.如权利要求1所述的硅球面微凸块刻蚀方法，其特征在于，所述光刻胶的烘烤温度为160～190℃。

8.如权利要求1所述的硅球面微凸块刻蚀方法，其特征在于，所述光刻胶的烘烤时间为2～10分钟。