浓硼掺杂硅纳米线压阻式MEMS压力传感器的制备方法与流程

文档序号:14655399发布日期:2018-06-12 02:59阅读:来源:国知局
技术总结
一种浓硼掺杂硅纳米线压阻式MEMS压力传感器的制备方法,包括如下步骤:步骤1:在单晶硅衬底上做掺杂,形成高浓度硼掺杂层;步骤2:在高浓度硼掺杂层上光刻、刻蚀,定义出硅纳米线压敏电阻;步骤3:热氧化,调节压敏电阻的硅纳米线尺寸,同时形成钝化保护层;步骤4:光刻、刻蚀,在压敏电阻的硅纳米线两端制作出电学接触孔,形成基片;步骤5:在基片的表面淀积金属层,使金属沉积在电学接触孔内,形成欧姆接触、电学互联引线和压焊焊盘;步骤6:在背面深刻蚀制作出背腔,获得感压薄膜,形成结构层;步骤7:将一玻璃层与结构层的背腔面对准键合,划片成分离压力传感器芯片。

技术研发人员:张明亮;季安;王晓东;杨富华;
受保护的技术使用者:中国科学院半导体研究所;
技术研发日:2017.12.22
技术公布日:2018.06.12

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