1.一种MEMS电极微桥形成方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、准备一硅基板,该硅基板上形成有带牺牲层非晶硅薄膜,在该非晶硅薄膜上覆盖SiO2;
步骤2、在步骤1所形成的硅片上形成电极接触层非晶硅膜;
步骤3、在所述电极接触层非晶硅膜上依次形成电极层TiN及表面SiO2,并图形化;
步骤4、刻蚀步骤3形成的表面SiO2,露出电极层TiN;
步骤5、湿法刻蚀电极层TiN,形成图形。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤1所述牺牲层非晶硅薄膜采用为CVD成膜方法形成。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤3所述电极层TiN采用PVD或者CVD成膜方法形成,SiO2采用CVD成膜方法形成。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤4所述刻蚀表面SiO2采用干法刻蚀,刻蚀出电极层TIN即停止刻蚀。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤5所述湿法刻蚀电极层TiN,将SiO2刻蚀后的硅片做去除光刻胶处置,将不带胶的硅片放入湿法槽内处理。