技术总结
本发明涉及微纳加工的技术领域，更具体地，涉及一种平面内纳米结构的精确可控制造方法，包括：提供一块薄膜基板，所述薄膜基板的上部设有纳米自支撑薄膜；在纳米自支撑薄膜上加工所需形状的纳米结构；将加工得到的纳米结构收缩至所需尺寸，制成纳米掩膜板；将纳米掩膜板放置于待沉积的基片上方，并在纳米掩膜板及基片上方沉积所需材料；去除纳米掩膜板，在基片上得到所需形状尺寸的纳米结构。本发明可以在纳米级单层或多层复合薄膜上加工出所需位置、形状、数量的纳米结构，适用范围广；可以将纳米结构准确收缩为所需尺寸，制成纳米掩膜板，沉积所需单层或多层复合材料；可以实现特定尺寸、形状、数量、位置的纳米图案或纳米线的可控制造。
技术研发人员：袁志山;雷鑫;王成勇
受保护的技术使用者：广东工业大学
技术研发日：2018.08.10
技术公布日：2019.01.04