MEMS三轴AMR磁力传感器的制造方法与流程

文档序号:16541573发布日期:2019-01-08 20:27阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明公开了一种MEMS三轴AMR磁力传感器的制造方法,包括如下步骤:步骤一在具有沟槽的衬底结构表面依次形成磁性材料层、保护层和SiN层;步骤二、形成将MEMS的三轴AMR磁力传感器的形成区域覆盖的光刻胶图形;步骤三、对SiN层进行第一次刻蚀;步骤四、对保护层进行第二次刻蚀,第二次刻蚀为采用氯基等离子体加氧气的反应离子刻蚀,氯基等离子体采用无碳的氯基刻蚀气体产生;步骤五、进行第一次灰化处理以去除光刻胶图形表面的聚合物;步骤六、进行第二次灰化处理以去除光刻胶图形;步骤七、进行磁性材料层的刻蚀并形成三轴AMR磁力传感器。本发明能防止在槽侧面形成线性聚合物。

技术研发人员:张振兴
受保护的技术使用者:上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日:2018.08.14
技术公布日:2019.01.08
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