技术总结
本发明公开了一种应用于MEMS器件的TiN薄膜刻蚀方法,包括如下步骤:步骤1、对覆盖有非晶硅膜或者氧化硅膜的硅基板进行加热,通过加热对硅基板进行表面处理,去除硅基板表面的水汽;步骤2、在所述硅基板的表面形成一层Ti薄膜,然后对硅基板进行N2吹扫处理;步骤3、在所述硅基板的Ti薄膜上端形成一层TiN薄膜。本发明能够有效降低湿法刻蚀TiN后造成的严重侧蚀缺陷。
技术研发人员:刘善善;朱黎敏;朱兴旺
受保护的技术使用者:上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日:2018.08.20
技术公布日:2019.01.04