技术特征：
技术总结
本发明公开了一种在非导电衬底上进行电子束/离子束聚焦刻蚀及显微成像的方法，属于微纳加工领域，包括：1)设计光刻掩模版的形貌和尺寸；2)对非导电衬底进行光刻处理；3)在光刻处理后的非导电衬底上进行金属镀膜处理，形成金属带；4)对镀膜后的非导电衬底进行显影处理成为样品；5)对金属带进行接地处理；6)对样品进行抽真空处理；7)对样品的金属带进行聚焦处理，选择电子束流，待成像清晰后，调整样品台至待刻样品区域；8)导入或绘制所需刻蚀微纳结构的形貌，设置参数后对样品进行FIB或EBL刻蚀及成像。有效提升非导电衬底材料表面的局域导电性，实现电子束和离子束的稳定聚焦，从而实现对非导电材料表面的微纳刻蚀以及显微成像。
技术研发人员：杨青;庞陈雷;李竞曦;汤明炜;王伟;刘旭
受保护的技术使用者：浙江大学
技术研发日：2018.08.27
技术公布日：2019.01.08