技术特征：
技术总结
本发明公开了一种MEMS电极结构，电极结构由TiN图形层和非晶硅图形层叠加而成；TiN图形层形成于平坦的半导体衬底表面；非晶硅图形层叠加在TiN图形层的表面并部分延伸到TiN图形层外的半导体衬底表面；非晶硅图形层具有台阶结构，通过将TiN图形层位于非晶硅图形层的底部来防止台阶结构对TiN图形层的刻蚀的不利影响。本发明还公开了一种MEMS电极结构的制造方法。本发明能防止电极结构的图形化的刻蚀过程中产生刻蚀残留以及光刻胶剥离，提高产品的质量。
技术研发人员：刘善善;朱黎敏
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2018.08.28
技术公布日：2019.01.08