离子应变传感器及其制备方法与应用与流程

文档序号:16541552发布日期:2019-01-08 20:27阅读:来源:国知局
技术总结
本发明公开了一种离子应变传感器及其制备方法与应用,所述离子应变传感器包括全氟磺酸中间层、设于全氟磺酸中间层两侧的界面过渡层、及设于界面过渡层外侧的表面电极层,所述界面过渡层作为离子迁移通道,所述离子应变传感器的传感信号源于变形过程中全氟磺酸中间层内部水合氢离子的各向异性传输累积。本发明创新性地采离子应变传感器读取力学应变信息,将纳米电极材料与聚电解质材料相结合,构筑快速响应的离子输运通道,克服了柔性共形性差、准确性低等关键问题,实现复杂多维度方位识别与微弱信号高灵敏感知功能,具有低功耗、高分辨、高稳定、高空间响应性等特点。

技术研发人员:陈韦;杨赢;明月
受保护的技术使用者:苏州海思纳米科技有限公司
技术研发日:2018.09.17
技术公布日:2019.01.08

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