晶片封装体与其制备方法

晶片封装体与其制备方法
【专利摘要】一种晶片封装体与其制备方法，该晶片封装体包含：一基板；一顶盖层，位于基板上，且具有一第一开口贯穿顶盖层；一第一腔室，位于基板与顶盖层之间；一第一微机电元件，位于第一腔室中；一第一塞件，位于第一开口中；以及一第一密封盖，位于顶盖层上以密封第一开口。本发明能整合不同的微机电元件于晶片封装体中，且密封盖还能防止腔室漏气的情事发生，进而提升晶片封装体的良率与使用寿命。
【专利说明】
晶片封装体与其制备方法
技术领域
[0001]本发明是有关一种晶片封装体，特别是一种具有微机电元件的晶片封装体与其制备方法。
【背景技术】
[0002]随着电子产业的蓬勃发展，电子产品的功能需求随之增加，而为满足多功能的使用需求，电子产品中的电路板上需布设多样功能的半导体封装体与电子组件。然而，提升此些元件的数量势必增加电子产品的体积，导致电子产品无法满足微小化的需求。为了满足微小化的需求，现有技术将半导体封装体整合电子组件以成为微机电系统(Micro ElectroMeehanical System,MEMS)封装体，不仅可减少电路板的布设空间从而减少电子产品的体积，而且能维持多功能的需求。
[0003]微机电元件通常形成于一腔室中。然而，晶片封装体中的多个微机电元件所需的气压环境不同，例如:真空封装提供微机电元件真空腔室，但有些微机电元件则需制备于非真空腔室中。此将会增加整合微机电元件至同一晶片的难度，不仅耗费生产成本，还需较长的制程时间，因此，业界急需研发一种调控腔室气压的方法，以增加制程效率。

【发明内容】

[0004]本发明的一态样提供一种晶片封装体，包含:一基板;一顶盖层，位于基板上，且具有一第一开口贯穿顶盖层;一第一腔室，位于基板与顶盖层之间；一第一微机电元件，位于第一腔室中；一第一塞件，位于第一开口中；以及一第一密封盖，位于顶盖层上以密封第一开口。
[0005]根据本发明一或多个实施方式，第一腔室为非真空环境。
[0006]根据本发明一或多个实施方式，第一塞件的一上表面与顶盖层的一上表面在同一水平线上。
[0007 ]根据本发明一或多个实施方式，第一塞件的材质包含感光性环氧树脂。
[0008]根据本发明一或多个实施方式，第一密封盖完全覆盖第一塞件的一上表面。
[0009]根据本发明一或多个实施方式，第一密封盖的材质包含一氧化物，其中氧化物为二氧化硅。
[0010]根据本发明一或多个实施方式，第一密封盖的材质包含一金属，其中金属为铝。
[0011]本发明的另一态样提供一种晶片封装体，包含:一基板;一顶盖层，位于基板上，且具有一第一开口贯穿顶盖层;一第一腔室与一第二腔室，位于基板与顶盖层之间；一第一微机电元件，位于第一腔室中；一第二微机电元件，位于第二腔室中；一第一塞件，位于第一开口中；以及一第一密封盖，位于顶盖层上以密封第一开口。
[0012]根据本发明一或多个实施方式，第一腔室为非真空环境，而第二腔室为真空环境。
[0013]根据本发明一或多个实施方式，第一微机电元件为加速感应器，而第二微机电元件为陀螺仪。
[0014]根据本发明一或多个实施方式，顶盖层还具有一第二开口贯穿顶盖层。
[0015]根据本发明一或多个实施方式，还包含一第二塞件，位于第二开口中，以及一第二密封盖，位于顶盖层上以密封第二开口，其中第一腔室具有一第一气压值，而第二腔室具有一第二气压值。
[0016]根据本发明一或多个实施方式，第一塞件的一上表面、第二塞件的一上表面与顶盖层的一上表面在同一水平线上。
[0017]根据本发明一或多个实施方式，第一密封盖完全覆盖第一塞件的一上表面，而第二密封盖完全覆盖第二塞件的一上表面。
[0018]本发明的另一态样提供一种晶片封装体的制备方法，包含下列步骤:接合一顶盖层于一晶圆上，以于顶盖层与晶圆之间形成一第一腔室与一第二腔室，其中一第一微机电元件位于第一腔室中，而一第二微机电元件位于第二腔室中；形成一第一开口贯穿顶盖层；形成一第一塞件于第一开口中；以及形成一第一密封盖于顶盖层上以密封第一开口。
[0019]根据本发明一或多个实施方式，形成第一塞件于第一开口中包含下列步骤:先沉积一感光性环氧树脂覆盖顶盖层，且部分感光性环氧树脂位于第一开口中，接着图案化感光性环氧树脂，并研磨感光性环氧树脂至顶盖层的一上表面，以形成该第一塞件于第一开口中。
[0020]根据本发明一或多个实施方式，形成第一密封盖于顶盖层上以密封第一开口包含下列步骤:先形成一密封层覆盖顶盖层与第一塞件，接着图案化密封层。
[0021 ]根据本发明一或多个实施方式，在形成第一开口贯穿顶盖层后，还调整第一腔室的气压至一第一气压值。
[0022]根据本发明一或多个实施方式，还包含下列步骤:形成一第二开口贯穿顶盖层，并调整第二腔室的气压至一第二气压值，再形成一第二塞件于第二开口中，最后形成一第二密封盖于顶盖层上以密封第二开口。
[0023]根据本发明一或多个实施方式，还沿着一切割道切割晶圆，以形成一晶片封装体。
[0024]本发明能整合不同的微机电元件于晶片封装体中，且密封盖还能防止腔室漏气的情事发生，进而提升晶片封装体的良率与使用寿命。
【附图说明】
[0025]为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的详细说明如下:
[0026]图1绘示本发明部分实施方式的一种晶片封装体的剖面图；
[0027]图2A与2B绘示本发明部分实施方式中，图1的晶片封装体的俯视图；
[0028]图3绘示本发明其他部分实施方式的一种晶片封装体的剖面图；
[0029]图4绘示本发明其他部分实施方式的一种晶片封装体的剖面图；
[0030]图5为本发明部分实施例中晶片封装体的制备方法流程图；
[0031]图6A-6F绘示图3的晶片封装体，在制程各个阶段的剖面图；
[0032]图7为本发明部分实施例中晶片封装体的制备方法流程图；以及
[0033]图8A-8H绘示图4的晶片封装体，在制程各个阶段的剖面图。
[0034]其中，附图中符号的简单说明如下:
[0035]100:晶片封装体420:顶盖层
[0036]110:基板422:第一开口
[0037]120:顶盖层424:上表面
[0038]122:第一开口430a:第一腔室
[0039]124:上表面430b:第二腔室
[0040]130:第一腔室440a:第一微机电元件[0041 ]140:第一微机电元件440b:第二微机电元件
[0042]150:第一塞件450a:第一塞件
[0043]152:上表面450b:第二塞件
[0044]160:第一密封盖452a:上表面
[0045]300:晶片封装体452b:上表面
[0046]310:基板460a:第一密封盖
[0047]320:顶盖层460b:第二密封盖
[0048]322:第一开口510-570:步骤
[0049]324:上表面610:晶圆
[0050]330a:第一腔室620:光阻层
[0051 ]330b:第二腔室630:感光性环氧树脂
[0052]340a:第一微机电元件632:凹陷
[0053]340b:第二微机电元件640:切割道
[0054]350:第一塞件710-790:步骤
[0055]352:上表面810:晶圆
[0056]360:第一密封盖820:光阻层
[0057]400:晶片封装体830:第一感光性环氧树脂
[0058]410:基板840:第二感光性环氧树脂
[0059]850:切割道。
【具体实施方式】
[0060]以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些已知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示。
[0061]请先参阅图1，图1绘示本发明部分实施方式的一种晶片封装体的剖面图。一晶片封装体100包含一基板110、一顶盖层120、一第一腔室130、一第一微机电兀件140、一第一塞件150以及一第一密封盖160。顶盖层120位于基板110上，并与基板110共同形成第一腔室130于顶盖层120与基板110之间，其中第一微机电元件140位于此第一腔室130中。
[0062]于本发明的部分实施例中，基板110为互补式金属氧化物半导体(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor ,CMOS)的晶片结构，但不以此为限。基板110亦可为陶瓷线路板、金属板等。
[0063]在本发明的部分实施例中，第一微机电元件140可为物理感测器(physicalsensor)、射频元件(RF circuits)、加速度感应器(accelerators)、陀螺仪(gyroscopes)、微制动器(micro actuators)、表面声波元件、气压感测器(pressure sensors)等，但不以此为限。
[0064]此外，顶盖层120还具有一第一开口 122贯穿顶盖层120，且此第一开口 122与第一腔室130连通。由于不同的微机电元件所需的气压环境不同，例如:陀螺仪因持续震荡而非常敏感，其需设置于真空环境中，但加速度感应器则需设置于非真空环境，以减少噪声(noise)产生。因应不同微机电元件的需求，可通过第一开口 122以调控第一腔室130的气压。在本发明的部分实施例中，第一微机电兀件140为加速度感应器，通过第一开口 122注入气体至第一腔室130中以调整气压至一大气压，但不以此为限。在本发明的其他部分实施例中，第一微机电元件140可为陀螺仪，并通过第一开口 122将第一腔室130抽至真空。
[0065]第一塞件150位于第一开口 122中，其中第一塞件150的材质包含感光性环氧树脂，且第一塞件150的一上表面152与顶盖层120的一上表面124在同一水平线上。此外，为防止第一塞件150有漏气情况产生，第一密封盖160设置于顶盖层120上以密封第一开口 122，使第一腔室130维持第一微机电元件140所需的气压值。此外，第一密封盖160还完全覆盖第一塞件150的上表面152。第一密封盖160的材质可为氧化物或金属，例如，可使用物理气相沉积法沉积二氧化硅以形成第一密封盖160，或者使用溅镀法沉积铝以形成第一密封盖160，但并不以此限制本发明，任何合适的氧化物或金属皆可用于制备第一密封盖160。由于氧化物与金属均为不透气材料，因此第一密封盖160能有效防止第一塞件150漏气的情事发生，进而提升晶片封装体100的良率。
[0066]请继续参阅图2A与2B，图2A与2B绘示本发明部分实施方式中，图1的晶片封装体的俯视图。在图2A中，第一密封盖160的材质为金属。由于金属为不透光材料，因此在图2A中只看的到第一密封盖160位于顶盖层120的上表面124上。而在图2B中，第一密封盖160的材质为氧化物。因氧化物为透光材料，如图2B所示，第一密封盖160位于顶盖层120的上表面124上，并完全覆盖第一塞件150的上表面152，以防止第一腔室130漏气。
[0067]应了解到，已叙述过的元件材料将不再重复赘述。在以下叙述中，将叙述其他实施方式的晶片封装体。
[0068]请接着参阅图3，图3绘示本发明其他部分实施方式的一种晶片封装体的剖面图。一晶片封装体300包含一基板310、一顶盖层320、一第一腔室330a、一第二腔室330b、一第一微机电兀件340a、一第二微机电兀件340b、一第一塞件350以及一第一密封盖360。顶盖层320位于基板310上，并与基板310共同形成第一腔室330a与第二腔室330b于顶盖层320与基板310之间，其中第一微机电元件340a位于此第一腔室330a中，而第二微机电元件340b位于此第二腔室330b中。
[0069]在本实施例中，第一微机电元件340a为加速感应器，而第二微机电元件340b为陀螺仪。在制程初期，第一腔室330a与第二腔室330b均为真空环境。为调整第一腔室330a的气压至非真空环境，顶盖层320还具有第一开口 322贯穿顶盖层320，且此第一开口 322与第一腔室330a连通以调控第一腔室330a的气压。借此有利于整合陀螺仪与加速感应器至同一晶片上。
[0070]第一塞件350位于第一开口322中，且第一塞件350的一上表面352与顶盖层320的一上表面324在同一水平线上。此外，为防止第一塞件350有漏气情况产生，第一密封盖360设置于顶盖层320上以密封第一开口 322，使第一腔室330a维持第一微机电元件340a(加速感应器)所需的气压值。此外，第一密封盖360还完全覆盖第一塞件350的上表面352。第一密封盖360能有效防止第一塞件350漏气的情事发生，进而提升晶片封装体300的良率。
[0071]请接着参阅图4，图4绘示本发明其他部分实施方式的一种晶片封装体的剖面图。一晶片封装体400包含一基板410、一顶盖层420、一第一腔室430a、一第二腔室430b、一第一微机电兀件440a、一第二微机电兀件440b、一第一塞件450a、一第二塞件450b、一第一密封盖460a以及一第二密封盖460b。顶盖层420位于基板410上，并与基板410共同形成第一腔室430a与第二腔室430b于顶盖层420与基板410之间，其中第一微机电元件440a位于此第一腔室430a中，而第二微机电元件440b位于此第二腔室430b中。
[0072]制程初期，第一腔室430a与第二腔室430b均为真空环境。在本实施例中，可调整第一腔室430a的气压至第一气压值，以及调整第二腔室430b的气压至第二气压值。顶盖层420具有第一开口 422a与第二开口 422b贯穿顶盖层420，且第一开口 422a与第一腔室430a连通以调控第一腔室430的气压至第一气压值，而第二开口 422b与第二腔室430b连通以调控第二腔室430b的气压第二气压值。其中，第一气压值与第二气压值不同，但并不以此为限。在本发明的其他部分实施例中，第一气压值可等于第二气压值。
[0073]第一塞件450a位于第一开口422a中，而第二塞件450b位于第一开口422b中，且第一塞件450a的一上表面452a、第二塞件450b的一上表面452b与顶盖层420的一上表面424在同一水平线上。此外，为防止第一塞件450a与第二塞件450b有漏气情况产生，第一密封盖460a与第二密封盖460b设置于顶盖层420上以分别密封第一开口 422a与第二开口 422b，使第一腔室430a维持第一气压值而第二腔室430b维持第二气压值。此外，第一密封盖460a完全覆盖第一塞件450a的上表面452a，第二密封盖460b则完全覆盖第二塞件450b的上表面452b。第一密封盖460a与第二密封盖460b能有效防止第一塞件450a与第二塞件450b漏气的情事发生，进而提升晶片封装体400的良率。
[0074]接着请参阅下述说明以进一步理解晶片封装体的制备方法。请先参阅图5与图6A-6F以理解图3的晶片封装体的制备方法。图5为本发明部分实施例中晶片封装体的制备方法流程图，而图6A-6F绘示图3的晶片封装体，在制程各个阶段的剖面图。
[0075]请先参阅步骤510，并请同时参阅图6A。在步骤510中，接合顶盖层320于晶圆610上，以于顶盖层320与晶圆610之间形成第一腔室330a与第二腔室330b，其中第一微机电元件340a位于第一腔室330a中，而第二微机电元件340b位于第二腔室330b中。在以下叙述中，晶圆610意指图3中基板310尚未经切割制程的半导体结构。其中，接合顶盖层320与晶圆610的步骤在真空中进行，因此形成的第一腔室330a与第二腔室330b均为真空环境。
[0076]请接着参阅步骤520，并同时参阅图6B。在步骤520中，形成第一开口 322贯穿顶盖层320。先形成光阻层620于顶盖层320上，接着使用微影蚀刻方式来形成贯穿顶盖层320的第一开口 322，最后再移除光阻层620。由于第一开口 322与第一腔室330a连通，因此在形成第一开口 322贯穿顶盖层320后，可调整第一腔室330a的气压至第一气压值，使第一腔室330a不再为真空环境。
[0077]在本发明的其他部分实施例中，可先形成第一开口322贯穿顶盖层320，接着再接合顶盖层320与晶圆610。
[0078]请继续参阅步骤530，并同时参阅图6C。在步骤530中，沉积感光性环氧树脂630覆盖顶盖层320，且部分感光性环氧树脂630位于第一开口 322中。可将感光性环氧树脂630刷涂至顶盖层320上，而部分的感光性环氧树脂630将会流入第一开口 322中。
[0079]请接着参阅步骤540，并同时参阅图6D。在步骤540中，图案化感光性环氧树脂630。同样可使用微影蚀刻方式来图案化感光性环氧树脂630，但此步骤不需使用光阻层即可定义感光性环氧树脂630的图案。值得注意的是，感光性环氧树脂630在图案化后将具有一凹陷632，其将不利于后续形成第一密封盖360。例如，在溅镀金属或沉积氧化物时容易形成不连续的结构，其将于后续详述。
[0080]请继续参阅步骤550，并请同时参阅图6E。在步骤550中，研磨感光性环氧树脂630至顶盖层320的上表面324，以形成第一塞件350于第一开口 322中。使用机械研磨(Mechanical Polishing，MP)法移除顶盖层320的上表面324上的感光性环氧树脂630，以形成具有平坦上表面352的第一塞件350。其能有利于后续形成第一密封盖360。
[0081]在本发明的部分实施例中，可省略图案化感光性环氧树脂630的步骤，而直接研磨感光性环氧树脂630至顶盖层320的上表面324，以形成第一塞件350于第一开口 322中。
[0082]请接着参阅步骤560，并请同时参阅图6F。在步骤560中，形成第一密封盖360于顶盖层320上以密封第一开口 322。可使用物理气相沉积法形成密封层于顶盖层320上，接着图案化密封层以形成覆盖第一塞件350的密封盖360，以密封第一开口 322，此时第一密封盖360的材质为氧化物。或者可使用溅镀法形成密封层于顶盖层320上，接着图案化密封层以形成覆盖第一塞件350的第一密封盖360，以密封第一开口322，此时第一密封盖360的材质为金属。由于第一塞件350具有平坦的上表面352，因此利于形成连续的第一密封盖360。
[0083]最后请参阅步骤570，并继续参阅图6F。在步骤570中，沿着一切割道640切割晶圆610，以形成晶片封装体300。在形成第一密封盖360后，即可沿着切割道切割晶圆610，以形成如图3所示的晶片封装体300。
[0084]接着请参阅下述说明以进一步理解晶片封装体的制备方法。请先参阅图7与图SA-SH 以理解图 4 的晶片封装体的制备方法。图 7 为本发明部分实施例中晶片封装体的制备方法流程图，而图8A-8H绘示图4的晶片封装体，在制程各个阶段的剖面图。
[0085]请先参阅步骤710，并请同时参阅图8A。在步骤710中，接合顶盖层420于晶圆810上，以于顶盖层420与晶圆810之间形成第一腔室430a与第二腔室430b，其中第一微机电元件440a位于第一腔室430a中，而第二微机电元件440b位于第二腔室430b中。在以下叙述中，意指图4中基板410尚未经切割制程的半导体结构。其中，接合顶盖层420与晶圆810的步骤在真空中进行，因此形成的第一腔室430a与第二腔室430b均为真空环境。
[0086]请接着参阅步骤720，并同时参阅图8B。在步骤720中，形成第一开口 422a与第二开口 422b贯穿顶盖层420。先形成光阻层820于顶盖层420上，接着使用微影蚀刻方式来形成贯穿顶盖层420的第一开口422a与第二开口422b，最后再移除光阻层820。由于第一开口422a与第一腔室430a连通，而第二开口 422b与第二腔室430b连通。因此在形成第一开口 422a与第二开口 422b贯穿顶盖层420后，可调整第一腔室430a与第二腔室430b的气压至第一气压值，使第一腔室430a与第二腔室430b不再为真空环境。
[0087]在本发明的其他部分实施例中，可先形成第一开口422a与第二开口 422b贯穿顶盖层420，接着再接合顶盖层420与晶圆810。
[0088]请继续参阅步骤730，并同时参阅图SC。在步骤730中，沉积第一感光性环氧树脂830覆盖顶盖层420，且部分第一感光性环氧树脂830位于第一开口 422a与第二开口 422b中。可将第一感光性环氧树脂830刷涂至顶盖层420上，而部分的第一感光性环氧树脂830将会流入第一开口 422a与第二开口 422b中。
[0089]请接着参阅步骤740，并同时参阅图8D。在步骤740中，图案化第一感光性环氧树脂830以移除第二开口 422b中的第一感光性环氧树脂830。同样可使用微影蚀刻方式来图案化第一感光性环氧树脂830，并且不需使用光阻层即可定义第一感光性环氧树脂830的图案。此步骤移除第二开口 422b中的第一感光性环氧树脂830，使第二开口 422b再次与第二腔室430b连通。但位于第一开口 422a中的第一感光性环氧树脂830未被移除。如前所述，第一腔室430a与第二腔室430b具有第一气压值，其中第一感光性环氧树脂830密封第一腔室430a以使第一腔室430a维持于第一气压值，而与第二腔室430b连通的第二开口 422b用于调整第二腔室430b至第二气压值。其中第一气压值不等于第二气压值，但并不以此为限。在本发明的部分实施例中，第一气压值可等于第二气压值。
[0090]请接着参阅步骤750，并同时参阅图8E。在步骤750中，沉积第二感光性环氧树脂840覆盖顶盖层420，且部分第二感光性环氧树脂840位于第二开口 422b中。可将第二感光性环氧树脂840刷涂至顶盖层420上以覆盖顶盖层420与第一感光性环氧树脂830，而部分的第二感光性环氧树脂840将会流入第二开口 422b中。流入第二开口 422b中的第二感光性环氧树脂840将密封第二腔室430b，以使第二腔室430b维持于第二气压值。
[0091 ]请接着参阅步骤760，并同时参阅图8F。在步骤760中，图案化第二感光性环氧树脂840。同样可使用微影蚀刻方式来图案化第二感光性环氧树脂840，并且不需使用光阻层即可定义第二感光性环氧树脂840的图案。图案化后，部份的第二感光性环氧树脂840仍位于第二开口 422b中，而部份的第二感光性环氧树脂840位于第一感光性环氧树脂830上。
[0092]请继续参阅步骤770，并请同时参阅图SG。在步骤770中，研磨第一感光性环氧树脂830与第二感光性环氧树脂840至顶盖层420的上表面424，以分别形成第一塞件450a与第二塞件450b于第一开口 422a与第二开口 422b中。由于第一感光性环氧树脂830与第二感光性环氧树脂840在图案化后会具有一凹陷，其将不利于后续形成第一密封盖460a与第二密封盖460b。因此，使用机械研磨法移除顶盖层420的上表面424上的第一感光性环氧树脂830与第二感光性环氧树脂840，以形成具有平坦上表面452a的第一塞件450a，以及具有平坦上表面452b的第二塞件450b。其能有利于后续形成第一密封盖460a与第二密封盖460b。
[0093]在本发明的部分实施例中，可省略图案化第二感光性环氧树脂840的步骤，而直接研磨第一感光性环氧树脂830与第二感光性环氧树脂840至顶盖层420的上表面424，以分别形成第一塞件450a与第二塞件450b于第一开口 422a与第二开口 422b中。
[0094]请接着参阅步骤780，并请同时参阅图8H。在步骤780中，形成第一密封盖460a与第二密封盖460b于顶盖层420上以密封第一开口 422a与第二开口 422b。可使用物理气相沉积法形成密封层于顶盖层上420，接着图案化密封层以形成覆盖第一塞件450a与第二塞件450b的第一密封盖460a与第二密封盖460b，以密封第一开口 422a与第二开口 422b，此时第一密封盖460a与第二密封盖460b的材质为氧化物。或着可使用溅镀法形成密封层于顶盖层420上，接着图案化密封层以形成覆盖第一塞件450a与第二塞件450b的第一密封盖460a与第二密封盖460b，以密封第一开口 422a与第二开口 422b，此时第一密封盖460a与第二密封盖460b的材质为金属。由于第一塞件450a与第二塞件450b具有平坦的上表面452a与452b，因此利于形成连续的第一密封盖460a与第二密封盖460b。
[0095]最后请参阅步骤790，并继续参阅图8H。在步骤790中，沿着一切割道850切割晶圆810，以形成晶片封装体400。在形成第一密封盖460a与第二密封盖460b后，S卩可沿着切割道850切割晶圆810，以形成如图4所示的晶片封装体400。
[0096]由上述本发明实施例可知，本发明具有下列优点。本发明采用晶圆级封装技术制备各种微机电元件所需的气压环境，进而能整合不同的微机电元件于晶片封装体中，且金属或氧化物材质的密封盖还进一步防止腔室漏气的情事发生，而提升晶片封装体的良率与使用寿命。据此，本发明可使用新颖且简单的制程以调控腔室气压，并增加制程效率。
[0097]以上所述仅为本发明较佳实施例，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本项技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因此本发明的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。
【主权项】
1.一种晶片封装体，其特征在于，包含: 一基板； 一顶盖层，位于该基板上，且具有一第一开口贯穿该顶盖层； 一第一腔室，位于该基板与该顶盖层之间； 一第一微机电元件，位于该第一腔室中； 一第一塞件，位于该第一开口中；以及 一第一密封盖，位于该顶盖层上以密封该第一开口。2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一腔室为非真空环境。3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一塞件的一上表面与该顶盖层的一上表面在同一水平线上。4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一塞件的材质包含感光性环氧树脂。5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一密封盖完全覆盖该第一塞件的一上表面。6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一密封盖的材质包含一氧化物，其中该氧化物为二氧化硅。7.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一密封盖的材质包含一金属招O8.—种晶片封装体，其特征在于，包含: 一基板； 一顶盖层，位于该基板上，且具有一第一开口贯穿该顶盖层； 一第一腔室与一第二腔室，位于该基板与该顶盖层之间； 一第一微机电元件，位于该第一腔室中； 一第二微机电元件，位于该第二腔室中； 一第一塞件，位于该第一开口中；以及 一第一密封盖，位于该顶盖层上以密封该第一开口。9.根据权利要求8所述的晶片封装体，其特征在于，该第一腔室为非真空环境，而该第二腔室为真空环境。10.根据权利要求9所述的晶片封装体，其特征在于，该第一微机电元件为加速感应器，而该第二微机电元件为陀螺仪。11.根据权利要求8所述的晶片封装体，其特征在于，该顶盖层还具有一第二开口贯穿该顶盖层。12.根据权利要求11所述的晶片封装体，其特征在于，还包含: 一第二塞件，位于该第二开口中；以及 一第二密封盖，位于该顶盖层上以密封该第二开口，其中该第一腔室具有一第一气压值，而该第二腔室具有一第二气压值。13.根据权利要求12所述的晶片封装体，其特征在于，该第一塞件的一上表面、该第二塞件的一上表面与该顶盖层的一上表面在同一水平线上。14.根据权利要求12所述的晶片封装体，其特征在于，该第一密封盖完全覆盖该第一塞件的一上表面，而该第二密封盖完全覆盖该第二塞件的一上表面。15.—种晶片封装体的制备方法，其特征在于，包含: 接合一顶盖层于一晶圆上，以于该顶盖层与该晶圆之间形成一第一腔室与一第二腔室，其中一第一微机电元件位于该第一腔室中，而一第二微机电元件位于该第二腔室中；形成一第一开口贯穿该顶盖层； 形成一第一塞件于该第一开口中；以及 形成一第一密封盖于该顶盖层上以密封该第一开口。16.根据权利要求15所述的晶片封装体的制备方法，其特征在于，形成该第一塞件于该第一开口中包含: 沉积一感光性环氧树脂覆盖该顶盖层，且部分该感光性环氧树脂位于该第一开口中； 图案化该感光性环氧树脂；以及 研磨该感光性环氧树脂至该顶盖层的一上表面，以形成该第一塞件于该第一开口中。17.根据权利要求16所述的晶片封装体的制备方法，其特征在于，形成该第一密封盖于该顶盖层上以密封该第一开口包含: 形成一密封层覆盖该顶盖层与该第一塞件；以及 图案化该密封层。18.根据权利要求15所述的晶片封装体的制备方法，其特征在于，在形成该第一开口贯穿该顶盖层后，还包含: 调整该第一腔室的气压至一第一气压值。19.根据权利要求18所述的晶片封装体的制备方法，其特征在于，还包含: 形成一第二开口贯穿该顶盖层； 调整该第二腔室的气压至一第二气压值； 形成一第二塞件于该第二开口中；以及 形成一第二密封盖于该顶盖层上以密封该第二开口。20.根据权利要求15所述的晶片封装体的制备方法，其特征在于，还包含: 沿着一切割道切割该晶圆，以形成一晶片封装体。
【文档编号】B81B7/00GK105858586SQ201610069667
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年2月1日
【发明人】温英男, 姚皓然, 刘建宏
【申请人】精材科技股份有限公司