堆叠结构的晶圆及其减薄方法
【专利摘要】本申请公开了一种堆叠结构的晶圆及其减薄方法。其中，该堆叠结构的晶圆的减薄方法包括：在第一晶圆和第二晶圆键合后，在第二晶圆和第三晶圆上溅射键合材料，其中，第二晶圆的直径小于第一晶圆和第三晶圆的直径；加热键合材料以使第二晶圆和第三晶圆键合，得到键合后的晶圆；对第一晶圆和第三晶圆的边缘处的空腔灌注胶水；以及在胶水固化后，对键合后的晶圆进行减薄处理。通过本申请，解决了现有技术中晶圆在减薄时容易导致晶圆的边缘破碎的问题，达到了避免晶圆的边缘破碎的效果。
【专利说明】
堆叠结构的晶圆及其减薄方法
技术领域
[0001]本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种堆叠结构的晶圆的减薄方法。
【背景技术】
[0002]现有的微机电系统(Microelectro Mechanical Systems，简称为MEMS)工艺通过将CMOS晶片代工兼容的材料来使CMOS-TSV晶圆跟MEMS晶圆共晶键合，最后做CMOS-TSV晶圆背面减薄，以及AL/Cu再布线和等以形成晶圆级封装结构。但是，由于在晶圆I和晶圆2在键合时导致晶圆2的边缘被割断，晶圆1、晶圆2和晶圆3键合后的结构如图1所不，由于键合后的3片晶圆键合的特殊结构，即在晶圆2的边缘存在晶圆I和晶圆3之间的空腔，因此，在晶圆减薄时会导致边缘破片以及在后续的制作工艺过程中遇到HF腐蚀晶圆共晶键合材料导致键合失效的问题。
[0003]针对现有技术中堆叠结构的晶圆在减薄时容易导致晶圆的边缘破碎的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
【发明内容】
[0004]本申请的主要目的在于提供一种堆叠结构的晶圆的减薄方法，以解决现有技术中堆叠结构的晶圆在减薄时容易导致晶圆的边缘破碎的问题。
[0005]为了实现上述目的，根据本申请实施例的一个方面，提供了一种堆叠结构的晶圆的减薄方法。根据本申请的堆叠结构的晶圆的减薄方法包括:在第一晶圆和第二晶圆键合后，在所述第二晶圆和第三晶圆上溅射键合材料，其中，所述第二晶圆的直径小于所述第一晶圆和所述第三晶圆的直径；加热所述键合材料以使所述第二晶圆和所述第三晶圆键合，得到键合后的晶圆；对所述第一晶圆和所述第三晶圆的边缘处的空腔灌注胶水；以及在所述胶水固化后，对所述键合后的晶圆进行减薄处理。
[0006]进一步地，在所述第二晶圆和第三晶圆上溅射键合材料之后，并且在加热所述键合材料以使所述第二晶圆和所述第三晶圆键合之前，所述堆叠结构的晶圆的减薄方法还包括:获取对所述键合材料进行刻蚀的刻蚀图形；按照所述刻蚀图形对所述键合材料进行刻蚀，其中，刻蚀后的键合材料保留了处于所述第二晶圆和所述第三晶圆的边缘的环形键合材料。
[0007]进一步地，在所述第二晶圆和第三晶圆上溅射键合材料包括:在所述第二晶圆上溅射第一键合材料，在所述第三晶圆上溅射第二键合材料；按照所述刻蚀图形对所述键合材料进行刻蚀包括:按照所述刻蚀图形对所述第一键合材料进行刻蚀，形成第一键合材料环；按照所述刻蚀图形对所述第二键合材料进行刻蚀，形成第二键合材料环。
[0008]进一步地，所述第一键合材料环和所述第二键合材料环的宽度为l_5mm。
[0009]进一步地，所述第二晶圆包括第一芯片单元，所述第三晶圆包括第二芯片单元，按照所述刻蚀图形对所述第一键合材料进行刻蚀包括:按照所述刻蚀图形对所述第一键合材料进行刻蚀，保留所述第一芯片单元边缘的键合材料；按照所述刻蚀图形对所述第二键合材料进行刻蚀，保留所述第二芯片单元边缘的键合材料。
[0010]进一步地，按照所述刻蚀图形对所述键合材料进行刻蚀包括:采用负性光刻胶对所述键合材料进行刻蚀。
[0011 ] 进一步地，所述胶水为耐腐蚀胶水。
[0012]进一步地，在对所述键合后的晶圆进行减薄处理之后，所述堆叠结构的晶圆的减薄方法还包括:对所述键合后的晶圆进行布线；以及形成连接凸块。
[0013]为了实现上述目的，根据本申请实施例的另一方面，提供了一种堆叠结构的晶圆。根据本申请的堆叠结构的晶圆包括:第一晶圆；第二晶圆，所述第二晶圆与所述第一晶圆键合；第三晶圆，所述第三晶圆和所述第二晶圆键合，其中，所述第二晶圆处于所述第一晶圆和所述第二晶圆之间，所述第二晶圆的直径小于所述第一晶圆和所述第三晶圆的直径；胶水，填充在所述第一晶圆和所述第三晶圆之间的空腔中，其中，所述空腔为早所述第二晶圆的边缘处形成的空腔。
[0014]进一步地，所述堆叠结构的晶圆还包括:第一键合材料环，形成于所述第二晶圆的边缘；第二键合材料环，形成于所述第三晶圆的边缘，其中，所述第一键合材料环和所述第二键合材料环对应设置。
[0015]进一步地，所述堆叠结构的晶圆还包括:第一键合材料阻挡部，设置在所述第二晶圆中的第一芯片单元的周围；第二键合材料阻挡部，设置在所述第三晶圆中的第二芯片单元的周围。
[0016]根据发明实施例，采用在第一晶圆和第二晶圆键合后，在第二晶圆和第三晶圆上溅射键合材料，其中，第二晶圆的直径小于第一晶圆和第三晶圆的直径；加热键合材料以使第二晶圆和第三晶圆键合，得到键合后的晶圆；对第一晶圆和第三晶圆的边缘处的空腔灌注胶水；以及在胶水固化后，对键合后的晶圆进行减薄处理，第二晶圆和第三晶圆之间所形成的环晶圆空腔内灌注胶水，使得固化后的胶水形成对第一晶圆和第三晶圆的支撑，在减薄过程中不会造成堆叠结构晶圆的破损，解决了现有技术中晶圆在减薄时容易导致晶圆的边缘破碎的问题，达到了避免晶圆的边缘破碎的效果。并且，环晶圆空腔内的胶水固化后所形成的保护环，能够阻挡工艺过程中的腐蚀性液体对键合材料的接触，从而避免了键合材料被腐蚀所造成的破坏，提高了晶圆之间键合的稳定性。
【附图说明】
[0017]构成本申请的一部分的附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
[0018]图1是根据现有技术的堆置结构的晶圆的不意图；
[0019]图2是根据本申请实施例的堆叠结构的晶圆的减薄方法的流程图；
[0020]图3是根据本申请实施例的堆叠结构的晶圆的结构示意图；
[0021]图4是根据本申请实施例的对对鞋结构的晶圆进行减薄的尺寸示意图；以及
[0022]图5是根据本申请实施例的在晶圆上保留的键合材料的示意图。
【具体实施方式】
[0023]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
[0024]为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
[0025]需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0026]本申请实施例提供了一种堆叠结构的晶圆的减薄方法。该堆叠结构的晶圆的减薄方法，通过在堆叠的晶圆I和晶圆3之间的空腔中，沿晶圆2的边缘灌注胶水，形成密封圈，在胶水固化后该密封圈释放应力，起到边缘支撑的效果，防止晶圆减薄过程中发生的边缘破碎的现象，从而解决了现有技术中晶圆在减薄时容易导致晶圆的边缘破碎的问题，达到了避免晶圆的边缘破碎的效果。
[0027]图2是根据本申请实施例的堆叠结构的晶圆的减薄方法的流程图。如图2所示，该堆叠结构的晶圆的减薄方法包括步骤如下:
[0028]步骤S102，在第一晶圆和第二晶圆键合后，在第二晶圆和第三晶圆上溅射键合材料，其中，第二晶圆的直径小于第一晶圆和第三晶圆的直径。
[0029]第一晶圆和第二晶圆进行键合时，第二晶圆的边缘做切割处理，因此，第一晶圆和第二晶圆键合后，第二晶圆的直径小于第一晶圆的直径。由于第二晶圆的直径小于第一晶圆的直径，而第三晶圆的直径又大于第二晶圆的直径，在第一晶圆和第二晶圆的键合体与第三晶圆进行键合时，由于第一晶圆和第三晶圆的边缘缺乏第二晶圆的边缘的支撑，导致键合后的堆叠结构晶圆的边缘容易破碎的问题，从而造成堆叠结构的晶圆的良品率较低。
[0030]步骤S104，加热键合材料以使第二晶圆和第三晶圆键合，得到键合后的晶圆。
[0031]第一晶圆和第二晶圆键合后，需要与第三晶圆进行键合，在键合之前需要在第二晶圆和第三晶圆上溅射键合材料，通常，在第二晶圆上溅射的键合材料为Al，在第三晶圆上分别溅射一层Al和一层Ge，如图3所示。键合材料溅射完毕后，进行加热操作以使得键合材料相互扩散，从而第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆形成了一个整体结构，即形成了堆叠结构的晶圆。在第二晶圆和第三晶圆键合之前，键合的第一晶圆和第二晶圆的基本工艺已经形成，第三晶圆上的基本工艺也已经形成；在第二晶圆和第三晶圆键合之前，且在溅射键合材料之后，可以在键合的第一晶圆和第二晶圆上完成微机电系统的活动层结构。
[0032]步骤S106，对第一晶圆和第三晶圆的边缘处的空腔灌注胶水。
[0033]为了在第二晶圆的边缘处形成支撑，以避免对键合后的晶圆进行后续工艺处理时造成晶圆边缘的破碎，在第一晶圆和第三晶圆的边缘处的空腔中灌注胶水，如图3所示。该空腔是在第一晶圆和第三晶圆之间的环晶圆空腔，该空腔的厚度与第二晶圆的厚度基本相同，宽度约为3_，将胶水灌注在该空腔中。灌注的胶水是半导体工艺中使用的液态胶水，其主要成分与普通胶水的成分基本相同。在灌注胶水后对晶圆进行烘焙处理，使得灌注的液体胶水固化，释放应力以对第一晶圆和第三晶圆起到支撑的作用。
[0034]步骤S108，在胶水固化后，对键合后的晶圆进行减薄处理。
[0035]在胶水固化后，对晶圆进行减薄处理，如图4所示。减薄前的第一晶圆的厚度为750 μ m，第三晶圆的厚度约为725 μ m，减薄后的第一晶圆的厚度约为300 μ m，减薄后的第三晶圆的厚度约为100 μπι。在对键合后的晶圆进行减薄处理之后，还可以对晶圆进行布线，设置连接凸块等工艺。
[0036]由于在上述工艺中会对晶圆进行刻蚀，灌注的胶水固化后形成了固化胶水的保护环，能够阻挡刻蚀中所使用的腐蚀性液体，能够避免腐蚀性液体接触到键合材料所引起的键合失效的问题。具体地，该胶水为耐腐蚀胶水。
[0037]通过上述实施例，在第二晶圆和第三晶圆之间所形成的环晶圆空腔内灌注胶水，使得固化后的胶水形成对第一晶圆和第三晶圆的支撑，在减薄过程中不会造成堆叠结构晶圆的破损，解决了现有技术中晶圆在减薄时容易导致晶圆的边缘破碎的问题，达到了避免晶圆的边缘破碎的效果。并且，环晶圆空腔内的胶水固化后所形成的保护环，能够阻挡工艺过程中的腐蚀性液体对键合材料的接触，从而避免了键合材料被腐蚀所造成的破坏，提高了晶圆之间键合的稳定性。
[0038]优选地，在第二晶圆和第三晶圆上溅射键合材料之后，并且在加热键合材料以使第二晶圆和第三晶圆键合之前，堆叠结构的晶圆的减薄方法还包括:获取对键合材料进行刻蚀的刻蚀图形。按照刻蚀图形对键合材料进行刻蚀，其中，刻蚀后的键合材料保留了处于第二晶圆和第三晶圆的边缘的环形键合材料。
[0039]为了使得第二晶圆和第三晶圆键合，并且阻挡液体胶水进入到晶圆内部的空腔内，以避免胶水对芯片结构造成破坏，按照刻蚀图形对键合材料进行刻蚀后，得到处于第二晶圆和第三晶圆的边缘的环形键合材料，如图5所示。同时，第二晶圆包括第一芯片单元，第三晶圆包括第二芯片单元，按照刻蚀图形对第一键合材料进行刻蚀包括:按照刻蚀图形对第一键合材料进行刻蚀，保留第一芯片单元边缘的键合材料。按照刻蚀图形对第二键合材料进行刻蚀，保留第二芯片单元边缘的键合材料。该刻蚀图形还能保留晶圆中每个芯片单元周围的键合材料，图3中的键合材料环I为第二晶圆和第三晶圆的边缘所保留的环形键合材料，图3中的键合材料部2为芯片单元周围的键合材料。由图3可知，在晶圆边缘处的环形键合材料能够阻挡灌注的胶水注入到晶圆内部的空腔内，一旦环形键合材料没能有效阻挡胶水灌入到晶圆内部，还可以通过芯片周围的键合材料阻挡胶水破坏芯片，从而有效的保护了芯片不被破坏，提高了芯片的良率。
[0040]具体地，在第二晶圆和第三晶圆上溅射键合材料包括:在第二晶圆上溅射第一键合材料，在第三晶圆上溅射第二键合材料。按照刻蚀图形对键合材料进行刻蚀包括:按照刻蚀图形对第一键合材料进行刻蚀，形成第一键合材料环。按照刻蚀图形对第二键合材料进行刻蚀，形成第二键合材料环。
[0041]在第二晶圆上溅射的第一键合材料为Al，在第三晶圆上溅射的第二键合材料为Al和Ge，其中，第三晶圆上的键合材料为分别溅射一层Al和Ge，在第二晶圆和第三晶圆进行键合时，Ge层处于两个Al层之间，通过Ge离子的扩散将第二晶圆和第三晶圆键合。分别对第一键合材料和第二键合材料进行刻蚀，其中，对第一键合材料进行刻蚀时形成第一键合材料环，第一键合材料环为Al环；对第二键合材料进行刻蚀后形成第二键合材料环，第二键合材料环为一层Al环，一层Ge环，Al环和Ge环堆叠形成第二检测材料环。
[0042]具体地，第一键合材料环和第二键合材料环的宽度为l_5mm。
[0043]优选地，为了保留晶圆边缘的环形键合材料，按照刻蚀图形对键合材料进行刻蚀包括:采用负性光刻胶对键合材料进行刻蚀。
[0044]通过上述实施例，在晶圆边缘形成环形的键合材料，以阻挡灌注的胶水进行晶圆内部造成芯片的破坏，然后在第一晶圆和第三晶圆所形成的、处于第二晶圆边缘的环第二晶圆空腔内灌注胶水，在胶水固化后，既能起到对第一晶圆和第三晶圆的支撑作用，还能在键合后的晶圆进行后续工艺时阻挡腐蚀性液体，从而避免了键合材料被腐蚀，提高了键合材料的稳定性，进而提高了三片晶圆所组成的堆叠结构的晶圆的稳定性。
[0045]本实施例还提供了一种堆叠结构的晶圆。本需要说明的是，本申请实施例的堆叠结构的晶圆可以通过本申请实施例所提供的堆叠结构的晶圆的减薄方法来制作。
[0046]图3示出了堆叠结构的晶圆。如图3所示，该堆叠结构的晶圆包括:第一晶圆，第二晶圆和第三晶圆。其中:第一晶圆与第二晶圆键合，第三晶圆和第二晶圆键合，其中，第二晶圆处于第一晶圆和第二晶圆之间，第二晶圆的直径小于第一晶圆和第三晶圆的直径。胶水，填充在第一晶圆和第三晶圆之间的空腔中，其中，空腔为第二晶圆的边缘处形成的空腔。
[0047]第一晶圆和第二晶圆进行键合时，第二晶圆的边缘做切割处理，因此，第一晶圆和第二晶圆键合后，第二晶圆的直径小于第一晶圆的直径。由于第二晶圆的直径小于第一晶圆的直径，而第三晶圆的直径又大于第二晶圆的直径，在第一晶圆和第二晶圆的键合体与第三晶圆进行键合时，由于第一晶圆和第三晶圆的边缘缺乏第二晶圆的边缘的支撑，导致键合后的堆叠结构晶圆的边缘容易破碎的问题，从而造成堆叠结构的晶圆的良品率较低。
[0048]第一晶圆和第二晶圆键合后，需要与第三晶圆进行键合，在键合之前需要在第二晶圆和第三晶圆上溅射键合材料，通常，在第二晶圆上溅射的键合材料为Al，在第三晶圆上分别溅射一层Al和一层Ge，如图3所示。键合材料溅射完毕后，进行加热操作以使得键合材料相互扩散，从而第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆形成了一个整体结构，即形成了堆叠结构的晶圆。
[0049]将胶水灌注在第一晶圆和第三晶圆之间的空腔内，通过固化的胶水对第一晶圆和第三晶圆形成支撑，以避免在第二晶圆和第三晶圆键合后形成堆叠结构的晶圆后，对堆叠结构的晶圆进行布线等工艺处理时，造成堆叠结构的晶圆的边缘破碎，降低晶圆的良品率，从而解决了现有技术中晶圆在减薄时容易导致晶圆的边缘破碎的问题，达到了避免晶圆的边缘破碎的效果。
[0050]优选地如图5所示，为了使得第二晶圆和第三晶圆键合，并且阻挡液体胶水进入到晶圆内部的空腔内，以避免胶水对芯片结构造成破坏该堆叠结构的晶圆还包括:第一键合材料环，形成于第二晶圆的边缘。第二键合材料环，形成于第三晶圆的边缘，其中，第一键合材料环和第二键合材料环对应设置。
[0051 ] 优选地，该堆叠结构的晶圆还包括:第一键合材料阻挡部，设置在第二晶圆中的第一芯片单元的周围。第二键合材料阻挡部，设置在第三晶圆中的第二芯片单元的周围。如图3所示，图3中的键合材料环I为第二晶圆和第三晶圆的边缘所保留的环形键合材料，图3中的键合材料部2为芯片单元周围的键合材料。由图3可知，在晶圆边缘处的环形键合材料能够阻挡灌注的胶水注入到晶圆内部的空腔内，一旦环形键合材料没能有效阻挡胶水灌入到晶圆内部，还可以通过芯片周围的键合材料阻挡胶水破坏芯片，从而有效的保护了芯片不被破坏，提尚了芯片的良率。
[0052]通过上述实施例，在晶圆边缘形成环形的键合材料，以阻挡灌注的胶水进行晶圆内部造成芯片的破坏，然后在第一晶圆和第三晶圆所形成的、处于第二晶圆边缘的环第二晶圆空腔内灌注胶水，在胶水固化后，既能起到对第一晶圆和第三晶圆的支撑作用，还能在键合后的晶圆进行后续工艺时阻挡腐蚀性液体，从而避免了键合材料被腐蚀，提高了键合材料的稳定性，进而提高了三片晶圆所组成的堆叠结构的晶圆的稳定性。
[0053]需要说明的是，对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本申请并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本申请，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本申请所必须的。
[0054]在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
[0055]均应包含在以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，本申请的保护范围之内。
【主权项】
1.一种堆叠结构的晶圆的减薄方法，其特征在于，包括: 在第一晶圆和第二晶圆键合后，在所述第二晶圆和第三晶圆上溅射键合材料，其中，所述第二晶圆的直径小于所述第一晶圆和所述第三晶圆的直径； 加热所述键合材料以使所述第二晶圆和所述第三晶圆键合，得到键合后的晶圆； 对所述第一晶圆和所述第三晶圆的边缘处的空腔灌注胶水；以及 在所述胶水固化后，对所述键合后的晶圆进行减薄处理。2.根据权利要求1所述的堆叠结构的晶圆的减薄方法，其特征在于，在所述第二晶圆和第三晶圆上溅射键合材料之后，并且在加热所述键合材料以使所述第二晶圆和所述第三晶圆键合之前，所述堆叠结构的晶圆的减薄方法还包括: 获取对所述键合材料进行刻蚀的刻蚀图形； 按照所述刻蚀图形对所述键合材料进行刻蚀，其中，刻蚀后的键合材料保留了处于所述第二晶圆和所述第三晶圆的边缘的环形键合材料。3.根据权利要求2所述的堆叠结构的晶圆的减薄方法，其特征在于， 在所述第二晶圆和第三晶圆上溅射键合材料包括:在所述第二晶圆上溅射第一键合材料，在所述第三晶圆上溅射第二键合材料； 按照所述刻蚀图形对所述键合材料进行刻蚀包括:按照所述刻蚀图形对所述第一键合材料进行刻蚀，形成第一键合材料环；按照所述刻蚀图形对所述第二键合材料进行刻蚀，形成第二键合材料环。4.根据权利要求3所述的堆叠结构的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述第一键合材料环和所述第二键合材料环的宽度为l_5mm。5.根据权利要求3所述的堆叠结构的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述第二晶圆包括第一芯片单元，所述第三晶圆包括第二芯片单元，按照所述刻蚀图形对所述第一键合材料进行刻蚀包括: 按照所述刻蚀图形对所述第一键合材料进行刻蚀，保留所述第一芯片单元边缘的键合材料； 按照所述刻蚀图形对所述第二键合材料进行刻蚀，保留所述第二芯片单元边缘的键合材料。6.根据权利要求2至5中任一项所述的堆叠结构的晶圆的减薄方法，其特征在于，按照所述刻蚀图形对所述键合材料进行刻蚀包括: 采用负性光刻胶对所述键合材料进行刻蚀。7.根据权利要求1所述的堆叠结构的晶圆的减薄方法，其特征在于，所述胶水为耐腐蚀胶水。8.根据权利要求1所述的堆叠结构的晶圆的减薄方法，其特征在于，在对所述键合后的晶圆进行减薄处理之后，所述堆叠结构的晶圆的减薄方法还包括: 对所述键合后的晶圆进行布线；以及 形成连接凸块。9.一种堆叠结构的晶圆，其特征在于，包括: 第一晶圆； 第二晶圆，所述第二晶圆与所述第一晶圆键合； 第三晶圆，所述第三晶圆和所述第二晶圆键合，其中，所述第二晶圆处于所述第一晶圆和所述第二晶圆之间，所述第二晶圆的直径小于所述第一晶圆和所述第三晶圆的直径；胶水，填充在所述第一晶圆和所述第三晶圆之间的空腔中，其中，所述空腔为早所述第二晶圆的边缘处形成的空腔。10.根据权利要求9所述的堆叠结构的晶圆，其特征在于，所述堆叠结构的晶圆还包括: 第一键合材料环，形成于所述第二晶圆的边缘； 第二键合材料环，形成于所述第三晶圆的边缘，其中，所述第一键合材料环和所述第二键合材料环对应设置。11.根据权利要求9所述的堆叠结构的晶圆，其特征在于，所述堆叠结构的晶圆还包括: 第一键合材料阻挡部，设置在所述第二晶圆中的第一芯片单元的周围； 第二键合材料阻挡部，设置在所述第三晶圆中的第二芯片单元的周围。
【文档编号】B81B3/00GK105984837SQ201510086444
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年2月17日
【发明人】徐伟, 刘国安, 谢红梅, 陈福成
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司