本发明涉及微纳结构复制，尤其是涉及一种基于离心力的微纳结构复制方法及制备得到的聚合物微纳结构。微纳制造技术是在微米、纳米级尺度上对材料进行制造加工的技术，是微纳结构、微器件和微纳系统制造的基本手段和重要基础。微米级尺度的制造技术主要是微机械加工与激光刻写等，而纳米级尺度的制造技术主...

本发明属于微机械惯性传感器封装领域，具体涉及一种高过载微机械惯性传感器的封装方法。微机械惯性传感器一般能够对载体在惯性空间的角速率和加速度进行测量，因此其多轴组合在惯性导航以及制导领域应用广泛。高过载微机械惯性传感器通常要求在工作开始前承受较大加速度的冲击之后对惯性空间的角速率和加速度进行...

本发明属于微电子机械系统(MEMS)工艺，尤其涉及一种提高高深宽比钨合金刻蚀均匀性的方法。在MEMS器件加工制造中，传统结构衬底材料通常采用单晶硅材料，而单晶硅材料存在一些固有缺陷，如脆性高，抗冲击能力差；相对金属材料其导电性较差，电阻率相较高；热稳定性相对较差，杨氏模量在超过60...

本发明从具有第一空腔和第二空腔的微机械装置出发，所述第一空腔具有MEMS元件。MEMS元件为了功能正常而需要限定的环境。这尤其涉及周围压力。特别是、但不仅仅对于角速度传感器而言低的周围压力是必要的，其在传感器的使用寿命期间保持稳定，而与环境影响无关。在现有技术中，吸气剂材料可用于调节传感器...

本发明涉及力敏感器件，尤其涉及一种应用于MEMS力敏感器件的二级应力隔离结构。MEMS传感器即微机电系统(MicroelectroMechanicalSystems)，是在微电子技术基础上发展起来的多学科交叉的前沿研究领域。经过四十多年的发展，已成为世界瞩目的重大科技领域之一。...

本发明涉及微米/纳米加工技术以及纳米光子学领域，特别是涉及一种三维全金属微腔结构表面等离激元阵列加工方法。表面等离激元主要是基于金属界面或者亚波长尺寸的金属结构中电磁辐射和传导电子的相互作用过程，这种相互作用将导致亚波长尺寸的光学近场增强和光学非线性效应，从可展现出独特的光学现象。等离子体...

本发明涉及传感器技术，更具体地，涉及LGA封装传感器的结构件及其制造方法。MEMS组件的封装具有不同功能。封装保护组件免受机械的和化学的环境影响。此外，封装或壳体的类型确定了在使用地点如何安装和接通所述组件。在此特别重要的是用于SMT(surfacemountingtechnology...

本发明属于微机电系统领域，具体涉及一种电热微夹持器。微夹持器对于生物工程、微装配等领域都有着迫切的需求。微夹持器的驱动形式多种多样，其中，电热微驱动器是微机电系统领域的一种重要的驱动形式。微夹持器的原理是通入电流后热臂发热产生热膨胀，驱动可动结构部分产生位移。电热微夹持器有驱动结构简单、驱...

本实用新型涉及一种磁控介质阻挡放电阳极键合系统，属于阳极键合。阳极键合技术在MEMS器件的制作、组装、封装等环节中具有重要的作用，是衔接多种硅加工工艺的核心技术，是实现三维空间上交差结构、多层结构等复杂MEMS结构的基本手段之一。目前阳极键合采用高温(400～600℃)加高电压(1...

本发明属于MEMS芯片加工，更具体地说，尤其涉及一种芯片双面切割工艺。MEMS芯片通常采用两种材质键合，其切割方式有两种：1.从MEMS芯片的同一面一刀切穿。2.在MEMS芯片的同一面，使用不同刀切两刀。一刀切穿，在两种材质相差较大，比如硅和玻璃，切穿造成断刀或者崩边。不同切割刀切...

本发明涉及加工领域，更具体地，涉及一种微通道的加工方法，以及通过上述方法制得的微通道。微通道，顾名思义，就是形成一个或者多个微细的通道，供液体或者气体在其内部流通，微通道的尺寸通常在微米级至纳米级范围内。通过微通道可以控制液体或气体的流入或者流出，可应用于医疗注入、喷头、环境控制等精密领域...

本发明涉及微机电系统，特别是涉及一种MEMS晶圆切割方法。MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystem，微机电系统)是一种基于微电子技术和微加工技术而产生的一种高科技领域。MEMS技术可将机械构件、驱动部件、电控系统、数字处理系统等集成为一个整体的微型单...

本发明属于微纳加工、微纳装配，具体涉及一种石墨烯-碳纳米管FET器件的加工方法。纳米电极是电化学研究中新发展起来的一个领域。由于其具有常规电极无法比拟的优点：高传质速率、小时间常数、高信噪比、高电流密度，纳米电极被广泛应用在纳米生物传感器，单细胞分析,成像探针,电化学动力学研究...

本公开总体上涉及先进的晶体管的几何结构并且涉及与微电子电路一起集成的机电器件。存在将电子器件与机械结构组合以形成用作例如微型传感器和致动器的电子控制移动部件的微机电系统(MEMs)。图1中示出了典型的作为平面晶体管的MEMs器件，其中导电沟道电耦合到源极但是与漏极分离。当电流施加到...

本发明实施例涉及二维材料制备，尤其涉及一种二维材料的转移系统。二维材料是指电子仅可在两个维度的非纳米尺度上自由运动的材料，即电子在平面上运动。常见的二维材料有许多种，如纳米薄膜、超晶格、量子阱等。当前，二维材料可以采用自下而上和自上而下两种方法进行制备。在二维材料的自下而上制备方法...

本发明涉及二维材料制备领域，尤其涉及一种剥离多层二维材料的方法。二维材料是指电子仅可在两个维度的非纳米尺度（1-100nm）上自由运动的材料，例如纳米薄膜、超晶格、量子阱等。二维材料的化学性质随着层数的不同呈现出明显的不同，现有的二维材料通常以多层堆垛的方式存在，即二维材料层与层之间通过范...

本发明涉及半导体技术和光学工程领域，具体涉及一种硅基凸面反射镜的制备方法。1956年，Uhlir对硅片在HF溶液中进行电化学抛光处理时发现了多孔硅的存在；1990年，Canham发现了多孔硅在室温下发出可见光，这个发现为多孔硅的研究开辟了新纪元，即室温下发光多孔硅研究阶段；多孔硅在室温下的...

本发明属于光电，具体为增强硅探测器近红外响应的微光栅光腔结构及其制造方法。硅在紫外及可见光的吸收系数很高，但在近红外波段吸收系数较低，对于1064nm的波长的光，硅的吸收长度大于250μm。为了增加硅探测器近红外响应，需增加硅衬底的吸收厚度，随着硅衬底厚度的增加，光生载流子的漂移时...

本发明涉及一种制备全部覆盖侧面电极的方法，具体涉及一种制备微纳电子器件上侧面电极全部覆盖的方法，属于光电子。微纳电子器件是指利用微纳级加工和制备技术，如：光刻、外延、微细加工、自组装生长及分子合成技术等，设计制备而成的具有微纳级尺度和特定功能的电子器件。其中，纳米技术是一门在0.1...

本发明涉及一种制备侧面电极的方法，具体涉及一种制备微纳电子器件上侧面电极部分覆盖的方法，属于光电子。微纳电子器件是指利用微纳级加工和制备技术，如：光刻、外延、微细加工、自组装生长及分子合成技术等，设计制备而成的具有微纳级尺度和特定功能的电子器件。其中，纳米技术是一门在0.1～100...