微观装置的制造及其处理技术
  • 本发明涉及粒径小于50纳米的中空锡合金纳米颗粒的制备方法及应用;配置浓度为0.01~0.04g/ml的硫酸亚锡溶液,称取聚乙烯吡咯烷酮加到上述溶液中形成溶液A;配置0.002~0.008g/ml的硼氢化钠水溶液,得到溶液B;将溶液A逐滴滴加到溶液B中,得到黑色颗粒;配置0.0015~0.006g/...
  • 本发明涉及一种无结纳米线FinFET半导体器件及其制作方法,所述方法,包括提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成外延层;图案化所述外延层和部分所述半导体衬底,以形成鳍片结构以及位于所述鳍片结构上的纳米线结构;在所述鳍片结构和所述纳米线结构上形成栅极结构。根据本发明形成的无结纳米线FinFET半导体...
  • 本发明公开了,其方法为以阴离子表面活性剂-生物分子A-氯金酸(HAuCl4)混合体系为反应体系,室温下反应得到一维糖葫芦状金纳米粒子。本发明的方法具有反应体系简单易行,条件温和;还原剂为生物分子,具有环境友好特性;产物形貌与粒径可控,产量大且结构明晰等特点。专利说明-种糖葫芦状一维金纳米粒子的制备...
  • 本发明公开了一种,步骤包括1)在第一层晶片上形成薄氧化层;2)在第一层晶片边缘形成对准标记;3)在第一层晶片上进行正常工艺步骤,形成所需集成电路图形;4)在第一层晶片上形成蚀刻中止层;5)在第一层晶片上键合第二层晶片,并使第一层晶片上的对准标记有效露出;6)涂布正光刻胶,去除超出第二层晶片范围的光...
  • 本发明涉及一种混合价态氧化钒纳米材料的制备方法,将含有VO2+的化合物分散溶解于去离子水中形成A液,将含有VO3-的化合物分散溶解于去离子水中形成B液,按照VO2+与VO3-为11.4-12.4的摩尔比例,在不同的浓度下,在10-160℃将上述AB两种溶液混合,置于合成釜中,密闭,然后以1-20℃...
  • 本发明涉及一种用作锂离子电池负极材料的碳包覆纳米钛酸锂Li4MxTiyO12材料及其生产方法和应用,该负极材料为尖晶石型的Li4Ti5O12或者一元或多元其他金属元素掺杂的化合物Li4MxTiyO12。该合成方法共包括以下步骤有机钛溶液和锂盐溶液,混合后制成溶胶;将溶胶陈化得到钛酸锂凝胶前驱物;将...
  • 本发明提供一种钕掺杂氟化钡纳米发光材料。所得到的纳米粉体的化学式为Ba(1-x)F2xNd3+,其中x=0~0.07;利用微乳液法实现纳米水平上离子间反应,所制得的产物呈粉末状、易研磨、粒径均一、形貌规则且色纯度高。微乳液法在室温下即可完成,实验条件温和、可控,反应时间短,是一种高效节能简便的合成...
  • 一种MEMS器件及其制作方法,MEMS器件制造方法包括提供第一半导体衬底和第二半导体衬底,第一半导体衬底中形成有CMOS控制电路;在第一半导体衬底上形成第一介质层,第一介质层中具有第一金属互连结构,第一金属互连结构与CMOS控制电路相连;在第一介质层上形成牺牲层和覆盖牺牲层的键合层;将第二半导体衬...
  • 本发明公开了一种中药复方抗肿瘤纳米制剂,包含下述重量百分比的组分乳香和没药挥发油固体脂质纳米粒28%~32%,载纳米雄黄微囊61%~65%,牛黄微粉0.8%~1.3%,麝香微粉4%~6%。本发明还公开了上述中药复方抗肿瘤纳米制剂在制备治疗肿瘤的药物中的应用。本发明的中药复方抗肿瘤纳米制剂,能显著提...
  • 本发明涉及一种基于MEMS的光圈调整装置及其制备方法。基于MEMS的光圈调整装置包括一个不透明的可变形光圈环;多组导电变形横梁和导电柱,每组中每条导电变形横梁与相邻的导电柱相对应,导电变形横梁和导电柱相互间隔地分布在可变形透镜的周围,导电变形横梁是悬空的,导电变形横梁的内边缘与可变形透镜的外边缘固...
  • 本发明涉及一种基于MEMS的焦距调整装置及其制备方法。基于MEMS的焦距调整装置包括一个可变形透镜;多组导电变形横梁和导电柱,每组中每条导电变形横梁与相邻的导电柱相对应,导电变形横梁和导电柱相互间隔地分布在可变形透镜的周围,导电变形横梁是悬空的,导电变形横梁的内边缘与可变形透镜的外边缘固定粘结;一...
  • 本发明涉及一种用于制造具有电覆镀通孔(110)的构件(300)的方法。所述方法在此包括以下步骤提供具有前侧(101)和与前侧(101)相对置的背侧(102)的半导体衬底(100),在半导体衬底(100)的前侧(101)上产生环形地包围接触区域(103)的绝缘沟槽(121),以绝缘材料(122)填充...
  • 本发明公开了,包括如下步骤1)将金属盐溶于水得到金属盐水溶液;加热回流所述金属盐水溶液,加热回流的同时加入还原剂水溶液;至回流水溶液体系变色,留待备用,所述加入的还原剂与金属离子的摩尔数比值为1~50;2)用过氧化氢水溶液溶解正钛酸得到过氧化钛水溶液,并用无机碱水溶液调节过氧化钛水溶液的pH值;3...
  • 公开了一种。一示例方法可以包括利用第一淀积菜单,淀积第一材料的第一子层;利用与第一淀积菜单不同的第二淀积菜单,淀积第一材料的第二子层,其中第一子层和第二子层相邻设置构成第一材料层;以及淀积与第一材料不同的第二材料的层,其中第二材料层与第一材料层相邻设置,其中,该方法还包括通过调节第一材料层的各子层...
  • 本发明涉及。在一个实施例中,提供了一种制造微机电系统结构的方法。所述方法包括在最接近硅基板的第一表面的掺杂层中制造加工结构。所述硅基板的第一表面被结合到第一平面玻璃结构上,一个或更多个第一牺牲特征被嵌入在所述第一平面玻璃结构中。所述方法还包括进行蚀刻从而移除硅基板的主体,其中所述主体为所述硅基板上...
  • 本发明涉及了一种带有覆盖式衬底的MEMS器件,其包括设置在第一衬底上的介电层,该介电层具有形成在其中的牺牲凹部。该集成电路另外包括形成在介电层之上且悬置在牺牲凹部之上的膜层,以及与膜层相接合从而形成了第二凹部的覆盖式衬底,该第二凹部通过形成到膜层中的通孔与牺牲凹部相连接。专利说明带有覆盖式衬底的M...
  • 本发明公开了一种半导体集成器件组件(40),其设想封装(42),限定内部空间(45);第一裸片(51),包括半导体材料;以及第二裸片(52),与所述第一裸片(51)不同,也包括半导体材料;所述第一裸片(51)和第二裸片(52)被耦合至所述封装(42)的面向所述内部空间(45)的内表面(43a;44...
  • 提出一种混合集成部件(100),其包括具有集成电路元件(12)和后端叠堆(13)的至少一个ASIC构件(10)、具有在MEMS衬底的整个厚度上延伸的微机械结构的MEMS构件(20)和罩晶片(30)并且配备有附加的微机械功能。在此MEMS构件(20)如此装配在ASIC构件(10)上,使得在微机械结构...
  • 本发明提供一种。所述芯片至少包括形成在单晶硅基片一表面的两个同结构同尺寸的悬臂梁,每一悬臂梁表面开设有参考压力腔体,每一参考压力腔体表面覆盖有单晶硅压力敏感薄膜,且在每一单晶硅压力敏感薄膜表面形成有多个电阻,各电阻连接成惠斯顿全桥检测电路;此外,在临近每一悬臂梁与单晶硅基片的连接处形成有应力释放凹...
  • 本发明提供一种,所述伸展模态传感器至少包括左右对称的两个质量块;互相平行、左右对称并可在平面内伸缩的两个微梁;所述微梁中形成有离子注入区;所述微梁两端分别与两个质量块连接;两个支撑台;所述支撑台阶一端往顶端方向逐渐缩小并与所述微梁中部外侧连接并使得所述质量块与所述微梁悬空;所述质量块上的金属连线将...
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