一种半导体硅片微点电镀槽的制作方法

本发明属于硅片电镀槽技术领域，特别是一种实现大规模半导体芯片均匀微点电镀而不产生镀瘤或黏连的半导体硅片微点电镀槽。

背景技术：

晶体管、二极管等半导体器件广泛用于手机、计算机等领域，一个晶体管、二极管硅片上往往有十几万只以上的管芯，每只管芯的引脚处都需要镀一个银点，以便于引脚的焊接。

由于大规模半导体芯片的尺寸和间距很小，现有电镀设备在硅片管芯引脚电镀过程中很容易发生镀瘤或黏连。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种半导体硅片微点电镀槽，实现大规模半导体芯片均匀微点电镀而不产生镀瘤或黏连。

实现本发明目的的技术解决方案为：

一种半导体硅片微点电镀槽，包括电镀腔1和镀液槽2；

所述电镀腔1分成外槽11和置于外槽11内的圆形内槽12，所述内槽12底部内侧放置阳极电极板31，内槽12顶部周边均布4个向上的突起13，用于搁置待镀半导体硅片4，所述待镀半导体硅片4上面放有阴极电极板32，所述内槽12内设有倒置漏斗状导流罩9；

所述电镀腔1和镀液槽2之间通过镀液管6形成镀液循环；

所述镀液槽2内设有镀液泵5，所述镀液泵5的出口接一镀液上液管61，所述镀液上液管61穿过外槽11和内槽12及阳极电极板31，与内槽12内部相通，所述镀液上液管61上设有调节阀8；

所述外槽11上开有回液孔14，所述回液孔14位于内槽12之外。

本发明与现有技术相比，其显著优点为：

1、微点电镀均匀：镀液是流动的，通过垂直供液和导流罩的调节，使硅片从中心到外沿镀液的浓度梯度基本一致，从而保证了施镀过程中微点生长的一致性。

2、不产生镀瘤或黏连：通过流速等工艺参数的调节，微点不会由于生长过快而产生镀瘤或黏连。

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细描述。

附图说明

图1为本发明半导体硅片微点电镀槽的结构示意图。

图2为图1的俯视图。

图3为利用本发明镀槽对5英寸二极管硅片镀银的电镜照片。

图中，电镀腔1，外槽11，内槽12，突起13，回液孔14，镀液槽2，阳极电极板31，阴极电极板32，待镀半导体硅片4，镀液泵5，镀液上液管61，回流管62，加热器71，温控器72，调节阀8，导流罩9。

具体实施方式

如图1、2所示，本发明半导体硅片微点电镀槽，包括电镀腔1和镀液槽2；所述电镀腔1分成外槽11和置于外槽11内的圆形内槽12，所述内槽12底部内侧放置阳极电极板31，内槽12顶部周边均布4个向上的突起13，用于搁置待镀半导体硅片4，所述待镀半导体硅片4上面放有阴极电极板32；所述电镀腔1和镀液槽2之间通过镀液管6形成镀液循环；所述镀液槽2内设有镀液泵5，所述镀液泵5的出口接一镀液上液管61，所述镀液上液管61穿过外槽11和内槽12及阳极电极板31，与内槽12内部相通；所述外槽11上开有回液孔14，所述回液孔14位于内槽12之外。

镀液泵5优选采用潜水泵。

为保证镀液温度，所述镀液槽12内设有加热器71和温控器72。

为准确调节和控制镀液流量和出流速度，所述镀液上液管61上设有调节阀8。

为保证待镀半导体硅片4准确搁置在内槽12顶部周边均布的多个突起13上，所述内槽12的外径与待镀半导体硅片4的直径相等。

通过垂直供液和导流罩的调节，使硅片从中心到外沿流动镀液的浓度梯度基本一致，从而保证施镀过程中微点电极生长的一致性，作为一种改进，所述内槽12内设有倒置漏斗状导流罩9。

同时，导流罩9位置可调节，停镀后还能让导流罩上部残留镀液流回。导流罩9顶端漏孔直径根据硅片尺寸适当调整，硅片尺寸大，所需要的镀液多，孔直径要大一些。

为便于从内槽12流出的镀液能回流到镀液槽2中，所述回液孔14下接一回流管62，所述回流管62下端没入液面。

施镀时，首先将镀液加热到一定温度，调节好管子上的阀门8，将待镀半导体硅片4需镀面朝下搁于内槽12顶端，在待镀半导体硅片4上面放置阴极电极板32，启动镀液泵5，将镀液通过镀液上液管61送入内槽12中，由导流罩9控制后，流动的镀液与待镀半导体硅片4需镀面接触，对其施镀后，从内槽12顶端突起13与待镀半导体硅片4之间的空隙溢出至外槽11与内槽12之间的空间，经由回流管62流回镀液槽2。

阴极电极板32同时起到配重以防硅片移动的作用。

放置在所述内槽12底部内侧的阳极电极板31优选采用与内槽12内底形状相同的电极板，中部开设供镀液流过的孔。

所述电镀腔通常为采用方形，便于做出多头镀槽，若为单头镀槽，也可采用圆柱形。

内槽12高度根据硅片尺寸、电镀电源及工艺来确定。