一种硬态光铝箔的腐蚀工艺方法与流程

文档序号:11172466阅读:1700来源:国知局

本发明属于铝箔的腐蚀工艺方法,特别涉及一种提高80-100伏腐蚀箔比容的工艺方法。



背景技术:

腐蚀箔是化成箔的前道工序,也是化成箔比容的基础和关键。因此腐蚀工艺技术决定了能否获得高比容的电极箔。铝电解电容器用阳极腐蚀箔一般采用电化学反应来腐蚀铝箔表面,使铝箔形成极细小的孔洞增加表面积,从而提高比容。

现有的电极箔腐蚀装置采用石墨作为电极,对光铝箔进行电化学腐蚀。一般分为前处理、一次交流腐蚀、中间处理、二次交流腐蚀、化学清洗和烘干六个步骤。

一次交流腐蚀主要作用是在光箔表面形成孔洞,但是孔洞大小不均匀。而二次交流腐蚀作用是扩大这些孔洞。但是之前的工艺配方扩孔的均匀程度不一,在腐蚀过程中经常会出现腐蚀不均匀和局部腐蚀过度的现象,并且电极长度制约了生产效率,但是延长电极板,虽然生产效率有提升,但是腐蚀箔的机械性能又会降低。



技术实现要素:

技术问题:为了解决现有技术中腐蚀过程出现腐蚀不均匀和局部腐蚀过度的现象,以及电极长度制约生产效率的缺陷,本发明提供了一种硬态光铝箔的腐蚀工艺方法。

技术方案:本发明提供的一种硬态光铝箔的腐蚀工艺方法,包含如下步骤:

(1)将硬态铝箔置于氢氧化钠为0.3~12wt%的水溶液中,于温度40~80℃浸泡2~5分钟;

(2)将上述步骤(1)处理后的铝箔置于硫酸为0.8~6wt%和盐酸为6~28wt%的混合水溶液中,于温度30~70℃,施加电流密度为10~80a/dm2的电流进行第一次交流腐蚀;

(3)将上述步骤(2)中经过第一次交流腐蚀过的铝箔放在0.8~6wt%的硫酸与6~28wt%的盐酸混合液中,于温度50~90℃浸泡2~5分钟进行中间处理;

(4)将上述步骤(3)处理过的铝箔置于0.8~6wt%硫酸、6~28wt%的盐酸和0.6~6wt%的三氯化铝混合液中,于温度20~50℃,施加电流密度为5~40a/dm2的电流进行第二次交流腐蚀;

(5)将上述步骤(4)中经过第二次交流腐蚀过的铝箔置于硝酸为0.8~8wt%和硫酸为0.2~5wt%的混合液中,于温度10~50℃浸泡2~8min,进行化学清洗;

其中步骤(4)中第二次交流腐蚀的溶液中添加了磷酸缓冲保护剂。

(6)将上述步骤(5)中经过化学清洗过的铝箔用纯水冲洗后进行烘干。

作为优选方案:步骤(4)中第二次交流腐蚀过程中电极板的长度在原有的50cm上延长了10~30cm。

作为优选方案:步骤(4)中第二次交流腐蚀的溶液中添加的磷酸缓冲保护剂,其中磷酸含量为1~10wt%。

作为优选方案:步骤(6)中烘干温度为150~450℃。

有益效果:本技术方案延长了电极板长度,在施加同样的电流密度下,提高了腐蚀箔的质量,增加了产量,提高了比容。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作出进一步说明。本发明的保护范围并不局限于实施例,凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理前提下的若干改进,也应落入本发明的保护范围。

以下为100um腐蚀箔实际腐蚀工艺过程:

(1)将硬态铝箔置于温度30℃、氢氧化钠为5wt%的水溶液中浸泡3.5分钟;

(2)将上述处理后的铝箔置于温度为60℃,硫酸5wt%和盐酸15wt%的混合液中,并施加电流密度为45a/dm2,电量为1080c/dm2的电流进行第一次交流腐蚀;

(3)将上述第一次交流腐蚀过的铝箔放在温度为70℃,硫酸4wt%和盐酸12wt%的混合液中浸泡4.5分钟进行中间处理;

(4)将上述处理过的铝箔放在温度60℃,含有硫酸、盐酸、三氯化铝和磷酸缓冲液的混合液中,施加密度为40a/dm2的电流,电极板在50cm基础上延长0~30cm进行第二次交流电解腐蚀;

(5)将上述第二次交流腐蚀过的铝箔置于30℃,含有3.5wt%硝酸和3wt%硫酸的混合液中浸泡3分钟进行化学清洗;

(6)将上述经过化学清洗过的铝箔用纯水冲洗后置于150℃烘干1.5分钟。

下表为实施例中第二次交流电解腐蚀过程中不同的缓冲剂和电极板延长长度下生产出的铝箔性能测试结果:

由上表的数据可得出:本发明通过在配方中加入磷酸缓冲保护液,在延长了电极板的同时,不仅提高了腐蚀箔的机械性能,而且提高了腐蚀箔的比容,以此提高了腐蚀箔的生产效率。



技术特征:

技术总结
本发明提供了一种硬态光铝箔的腐蚀工艺方法,包括前处理、一次交流腐蚀、中间处理、二次交流腐蚀、化学清洗、后处理和高温处理,其中在二次交流腐蚀的溶液中添加了磷酸缓冲保护剂,延长了电极板长度。本发明不仅提高了腐蚀效率,而且扩孔更加均匀合理,在保证了腐蚀箔机械性能的前提下进一步提高了腐蚀箔比容。

技术研发人员:马坤松;相志明;黄少铭;吉民;韩枫
受保护的技术使用者:扬州宏远电子有限公司
技术研发日:2017.04.18
技术公布日:2017.10.03
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