一种屏蔽电泳工艺的制作方法

文档序号:14906180发布日期:2018-07-10 22:06阅读:968来源:国知局

本发明涉及屏蔽电泳的技术领域,特别是一种屏蔽电泳工艺。



背景技术:

目前随着电子产品的不断发展,电子产品做得越来越精密,电子产生上又分为屏蔽区和非屏蔽区,屏蔽区处通常处理有碳黑层,碳黑层主要起到屏蔽作用,以屏蔽外界信号干扰。对于产品上非屏蔽区处的产品材料,则需要用激光镭雕去非屏蔽区,从而只保留带有碳黑层的屏蔽区。然而采用激光镭雕去非屏蔽区,不仅会迫坏产品的原始构造,还会造成环境污染。此外激光镭雕还会增大生产成本。



技术实现要素:

本发明的目的在于克服现有技术的缺点,提供一种结构紧凑、屏蔽精度高、生产工艺领先行业先进水平、节省生产成本的屏蔽电泳工艺。

本发明的目的通过以下技术方案来实现:一种屏蔽电泳工艺,它包括以下步骤:

s1、在电子产品上的非电泳区域屏蔽;

s2、上料:将电子产品悬挂于挂架上,保证电子产品在移动过程中不掉落;

s3、电解去油:将挂架放入于盛装有弱碱液的槽体中,经一段时间后,弱碱液将电子产品表面上的油污去除;

s4、超声波热水洗:将步骤s3中的挂架放入于盛装有热水的槽体中,同时向槽体中通入超声波,经一段时间后,热水冲刷掉电子产品表面上的弱减;

s5、酸洗:将挂架放入于盛装有弱酸的槽体中,利用弱酸中和掉电子产品表面上的弱碱;

s6、水洗:将挂架放入于盛装有清水的水槽中,利用清水冲刷掉电子产品表面上的弱酸;

s7、喷淋水洗:利用喷淋头喷淋冲刷步骤s6中挂架上的电子产品;

s8、电泳:将喷淋水洗后的挂架放入于电泳槽中,给挂架接入电源负电,给电泳槽的壳体接入电源正电,电泳槽中的碳黑离子附着在电子产品的电泳区域,而碳黑离子不会附着在屏蔽上,从而实现了电泳;

s9、将电泳后的挂架放入喷淋水头的下方,喷淋水头喷出的水冲刷电子产品;

s10、表面烘干:将喷淋水洗后的挂架放入于烘箱中,烘箱中产生的热量加热电子产品表面上的水分;

s11、下料:将烘干后的挂架从烘箱中取出;

s12、去屏蔽:将电子产品上的非电泳区域的屏蔽去除掉,最终得到产品。

电泳、回收、喷淋水洗、表面烘干、下料、去屏蔽,最终得到成品

所述步骤s8中还包括向电泳槽中泵入新电泳液,同时还包括回收利用电泳液

本发明具有以下优点:本发明结构紧凑、屏蔽精度高、生产工艺领先行业先进水平、节省生产成本。

具体实施方式

下面对本发明做进一步的描述,本发明的保护范围不局限于以下所述:

一种屏蔽电泳工艺,它包括以下步骤:

s1、在电子产品上的非电泳区域屏蔽;

s2、上料:将电子产品悬挂于挂架上,保证电子产品在移动过程中不掉落;

s3、电解去油:将挂架放入于盛装有弱碱液的槽体中,经一段时间后,弱碱液将电子产品表面上的油污去除;

s4、超声波热水洗:将步骤s3中的挂架放入于盛装有热水的槽体中,同时向槽体中通入超声波,经一段时间后,热水冲刷掉电子产品表面上的弱减;

s5、酸洗:将挂架放入于盛装有弱酸的槽体中,利用弱酸中和掉电子产品表面上的弱碱;

s6、水洗:将挂架放入于盛装有清水的水槽中,利用清水冲刷掉电子产品表面上的弱酸;

s7、喷淋水洗:利用喷淋头喷淋冲刷步骤s6中挂架上的电子产品;

s8、电泳:将喷淋水洗后的挂架放入于电泳槽中,给挂架接入电源负电,给电泳槽的壳体接入电源正电,电泳槽中的碳黑离子附着在电子产品的电泳区域,而碳黑离子不会附着在屏蔽上,从而实现了电泳;

s9、将电泳后的挂架放入喷淋水头的下方,喷淋水头喷出的水冲刷电子产品;

s10、表面烘干:将喷淋水洗后的挂架放入于烘箱中,烘箱中产生的热量加热电子产品表面上的水分;

s11、下料:将烘干后的挂架从烘箱中取出;

s12、去屏蔽:将电子产品上的非电泳区域的屏蔽去除掉,最终得到产品。

电泳、回收、喷淋水洗、表面烘干、下料、去屏蔽,最终得到成品

所述步骤s8中还包括向电泳槽中泵入新电泳液,同时还包括回收利用电泳液。因此该工艺无需用激光镭雕去非屏蔽区,不会破坏原有电子产品的结构,很好的保护了电子产品,同时也不会污染环境,替代了原有用激光镭雕去非屏蔽区,极大节省了生产成本。

以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式,不应看作是对其他实施例的排除,而可用于各种其他组合、修改和环境,并能够在本文所述构想范围内,通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围,则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。



技术特征:

技术总结
本发明公开了一种屏蔽电泳工艺,它包括以下步骤:在电子产品上非电泳区域屏蔽、上料、电解去油、超声波热水洗、酸洗、水洗、水洗、喷淋水洗、电泳、回收、喷淋水洗、表面烘干、下料、去屏蔽,最终得到成品。本发明的有益效果是:结构紧凑、屏蔽精度高、生产工艺领先行业先进水平、节省生产成本。

技术研发人员:刘文刚;赵景勋;方华;罗建国;杨翠刚;李云仕;吴传伟;金戈强;刘家健;白垣胜
受保护的技术使用者:成都宏明双新科技股份有限公司
技术研发日:2018.01.31
技术公布日:2018.07.10
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