一种防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺的制作方法

文档序号:22131516发布日期:2020-09-08 12:58
一种防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺的制作方法

本发明涉及在陶瓷芯片上电镀镀层的技术领域,特别是一种防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺。



背景技术:

陶瓷芯片的芯片本体为陶瓷(1),如图1所示,陶瓷(1)上烧结有厚度较薄的银层或铜层(2),在工艺上要求在银层或铜层(2)的顶表面上电镀出镀镍层或镀金层,以增加产品的部分区域的导电性能。然而,经实际电镀后发现,镀镍层或镀金层虽然能够电镀在银层或铜层(2)的顶表面上,但是镀镍层或镀金层还朝向陶瓷(1)的表面上延展而出现爬镀(3)如图2所示,爬镀的产生不仅降低了镀层的质量,同时还容易造成电极的导通产生短路。

其主要原因包括:

i、在陶瓷(1)的表面上附着有触媒(4)如图2所示,触媒主要为烧结铜层或银层时所产生的金属银或铜,当进行电镀时,导致电镀在银层或铜层(2)上的镀镍层或镀金层朝向触媒(4)方向延展而形成爬镀(3)。

ii、在银层或铜层(2)上镀金时,采用的镀金溶液为微氰体系且采用的电流密度为1~5a/dm2,而微氰体系渗镀能力非常强,导致电镀在银层或铜层(2)上的镀镍层或镀金层延展到银层或铜层(2)的外边缘,进而产生爬镀;此外微氰体系带有毒性,无疑对工人身体健康造成危害。iii、在银层或铜层(2)上镀镍时,采用的镀镍电流密度为4~10a/dm2,而过大的电流密度无疑会提高镀镍溶液的渗镀能力,同样会导致电镀在银层或铜层(2)上的镀镍层或镀金层延展到银层或铜层(2)的外边缘,进而产生爬镀。因此亟需一种提高镀层质量、降低渗镀能力、防止电镀时产生爬镀的防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺。



技术实现要素:

本发明的目的在于克服现有技术的缺点,提供一种提高镀层质量、降低渗镀能力、防止电镀时产生爬镀的防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺。

本发明的目的通过以下技术方案来实现:一种防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺,它包括镀镍工艺和镀金工艺:

所述镀镍工艺具体包括以下步骤:

s1、陶瓷芯片的预处理:将陶瓷芯片放入盛装有弱碱性溶液的槽体中,通过弱碱性溶液除去陶瓷芯片上的油污,处理5~8min后,将陶瓷芯片放入到盛装有弱酸性溶液的槽体中,通过弱酸性溶液腐蚀掉附着于陶瓷上的触媒,处理6~10min后,将陶瓷芯片放入到盛装有清水的槽体中,以清洗掉附着于陶瓷芯片表面上的残留弱酸溶液,从而最终实现了陶瓷芯片的预处理;

s2、陶瓷芯片的镀镍工序:将步骤s1中的陶瓷芯片浸入盛装有镀镍溶液的镀镍槽中,控制镀镍电流密度为0.5~2a/dm2,从而实现了在银层或铜层表面上电镀出镀镍层;

所述镀金工艺具体包括以下步骤:

s3、陶瓷芯片的预处理:将陶瓷芯片放入盛装有弱碱性溶液的槽体中,通过弱碱性溶液除去陶瓷芯片上的油污,处理5~8min后,将陶瓷芯片放入到盛装有弱酸性溶液的槽体中,通过弱酸性溶液腐蚀掉附着于陶瓷上的触媒,处理6~10min后,将陶瓷芯片放入到盛装有清水的槽体中,以清洗掉附着于陶瓷芯片表面上的残留弱酸溶液,从而最终实现了陶瓷芯片的预处理;

s4、将步骤s3中的陶瓷芯片浸入盛装有镀镍溶液的镀镍槽中,以在银层或铜层上预先电镀一层镀镍层;

s5、陶瓷芯片的镀金工序:将步骤s4中的陶瓷芯片浸入盛装有镀金溶液的槽体中,镀金溶液为柠檬酸,控制镀金电流密度为0.2~1a/dm2,通过电镀将金电镀在镀镍层上,从而实现了在银层或铜层表面上电镀出镀金层。

所述步骤s2中镀镍溶液由浓度分别为250~300g/l硫酸镍,40~45g/l硼酸,10~15g/l氯化镍,25~30g/l高速半光镍添加剂组成,镀镍溶液的ph值为3.8~4.2,镀镍溶液的温度为60±2°c。

所述弱碱性溶液为naco3溶液和na3po4溶液中任意一种或多种。

所述弱酸性溶液为稀硫酸。

本发明具有以下优点:本发明提高镀层质量、降低渗镀能力、防止电镀时产生爬镀。

附图说明

图1为陶瓷芯片的结构示意图;

图2为电镀后出现爬镀后的示意图;

图中,1-陶瓷,2-银层或铜层,3-爬镀,4-触媒。

具体实施方式

下面对本发明做进一步的描述,本发明的保护范围不局限于以下所述:

实施例一:一种防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺,它包括镀镍工艺和镀金工艺:

所述镀镍工艺具体包括以下步骤:

s1、陶瓷芯片的预处理:将陶瓷芯片放入盛装有弱碱性溶液的槽体中,通过弱碱性溶液除去陶瓷芯片上的油污,碱性溶液为naco3溶液,处理5min后,将陶瓷芯片放入到盛装有弱酸性溶液的槽体中,弱弱酸性溶液为稀硫酸,通过弱酸性溶液腐蚀掉附着于陶瓷1上的触媒,处理6min后,将陶瓷芯片放入到盛装有清水的槽体中,以清洗掉附着于陶瓷芯片表面上的残留弱酸溶液,从而最终实现了陶瓷芯片的预处理;

s2、陶瓷芯片的镀镍工序:将步骤s2中的陶瓷芯片浸入盛装有镀镍溶液的镀镍槽中,镀镍溶液由浓度分别为250~300g/l硫酸镍,40~45g/l硼酸,10~15g/l氯化镍,25~30g/l高速半光镍添加剂组成,镀镍溶液的ph值为3.8~4.2,镀镍溶液的温度为60±2°c,控制镀镍电流密度为0.5~2a/dm2,从而实现了在银层或铜层2上电镀出镀镍层。

由于附着于陶瓷1上的触媒预先被清除掉,从而在电镀时,不会产生爬镀。镀镍时,镀镍电流密度为0.5~2a/dm2,相比传统的电流密度,极大降低了镀镍溶液的渗镀能力,进一步避免了爬镀的产生,从而极大的提高了镀层质量。

所述镀金工艺具体包括以下步骤:

s3、陶瓷芯片的预处理:将陶瓷芯片放入盛装有弱碱性溶液的槽体中,通过弱碱性溶液除去陶瓷芯片上的油污,处理6min后,将陶瓷芯片放入到盛装有弱酸性溶液的槽体中,通过弱酸性溶液腐蚀掉附着于陶瓷1上的触媒,处理8min后,将陶瓷芯片放入到盛装有清水的槽体中,以清洗掉附着于陶瓷芯片表面上的残留弱酸溶液,从而最终实现了陶瓷芯片的预处理;

s4、将步骤s3中的陶瓷芯片浸入盛装有镀镍溶液的镀镍槽中,以在银层或铜层上预先电镀一层镀镍层;

s5、陶瓷芯片的镀金工序:将步骤s4中的陶瓷芯片浸入盛装有镀金溶液的槽体中,镀金溶液为柠檬酸,控制镀金电流密度为0.2~1a/dm2,通过电镀将金电镀在镀镍层上,从而实现了在银层或铜层2表面上电镀出镀金层。

由于附着于陶瓷1上的触媒预先被清除掉,从而在电镀时,不会产生爬镀。镀金时,镀金电流密度为0.2~1a/dm2,相比传统的电流密度,极大降低了镀金溶液的渗镀能力,进一步避免了爬镀的产生,从而极大的提高了镀层质量。此外镀金溶液为柠檬酸,而柠檬酸渗镀能力差,从而有效避免了电镀在银层或铜层2上的镀金层延展到外部而形成爬镀,进一步提高了镀层质量。

实施例二:一种防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺,它包括镀镍工艺和镀金工艺:

所述镀镍工艺具体包括以下步骤:

s1、陶瓷芯片的预处理:将陶瓷芯片放入盛装有弱碱性溶液的槽体中,通过弱碱性溶液除去陶瓷芯片上的油污,弱碱性为na3po4溶液,处理6min后,将陶瓷芯片放入到盛装有弱酸性溶液的槽体中,弱酸性溶液为稀硫酸,通过弱酸性溶液腐蚀掉附着于陶瓷1上的触媒,处理8min后,将陶瓷芯片放入到盛装有清水的槽体中,以清洗掉附着于陶瓷芯片表面上的残留弱酸溶液,从而最终实现了陶瓷芯片的预处理;

s2、陶瓷芯片的镀镍工序:将步骤s1中的陶瓷芯片浸入盛装有镀镍溶液的镀镍槽中,镀镍溶液由浓度分别为250~300g/l硫酸镍,40~45g/l硼酸,10~15g/l氯化镍,25~30g/l高速半光镍添加剂组成,镀镍溶液的ph值为3.8~4.2,镀镍溶液的温度为60±2°c,控制镀镍电流密度为0.5~2a/dm2,从而实现了在银层或铜层2表面上电镀出镀镍层;

所述镀金工艺具体包括以下步骤:

s3、陶瓷芯片的预处理:将陶瓷芯片放入盛装有弱碱性溶液的槽体中,通过弱碱性溶液除去陶瓷芯片上的油污,处理6min后,将陶瓷芯片放入到盛装有弱酸性溶液的槽体中,通过弱酸性溶液腐蚀掉附着于陶瓷1上的触媒,处理8min后,将陶瓷芯片放入到盛装有清水的槽体中,以清洗掉附着于陶瓷芯片表面上的残留弱酸溶液,从而最终实现了陶瓷芯片的预处理;

s4、将步骤s3中的陶瓷芯片浸入盛装有镀镍溶液的镀镍槽中,以在银层或铜层上预先电镀一层镀镍层;

s5、陶瓷芯片的镀金工序:将步骤s4中的陶瓷芯片浸入盛装有镀金溶液的槽体中,镀金溶液为柠檬酸,控制镀金电流密度为0.2~1a/dm2,通过电镀将金电镀在镀镍层上,从而实现了在银层或铜层2表面上电镀出镀金层。

所述步骤s2中镀镍溶液由浓度分别为250~300g/l硫酸镍,40~45g/l硼酸,10~15g/l氯化镍,25~30g/l高速半光镍添加剂组成,镀镍溶液的ph值为3.8~4.2,镀镍溶液的温度为60±2°c。

实施例三:一种防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺,它包括镀镍工艺和镀金工艺:

所述镀镍工艺具体包括以下步骤:

s1、陶瓷芯片的预处理:将陶瓷芯片放入盛装有弱碱性溶液的槽体中,通过弱碱性溶液除去陶瓷芯片上的油污,弱碱性溶液为naco3溶液和na3po4溶液的混合液,处理8min后,将陶瓷芯片放入到盛装有弱酸性溶液的槽体中,弱酸性溶液为稀硫酸,通过弱酸性溶液腐蚀掉附着于陶瓷1上的触媒,处理10min后,将陶瓷芯片放入到盛装有清水的槽体中,以清洗掉附着于陶瓷芯片表面上的残留弱酸溶液,从而最终实现了陶瓷芯片的预处理;

s2、陶瓷芯片的镀镍工序:将步骤s1中的陶瓷芯片浸入盛装有镀镍溶液的镀镍槽中,镀镍溶液由浓度分别为250~300g/l硫酸镍,40~45g/l硼酸,10~15g/l氯化镍,25~30g/l高速半光镍添加剂组成,镀镍溶液的ph值为3.8~4.2,镀镍溶液的温度为60±2°c,控制镀镍电流密度为0.5~2a/dm2,从而实现了在银层或铜层2表面上电镀出镀镍层;

所述镀金工艺具体包括以下步骤:

s3、陶瓷芯片的预处理:将陶瓷芯片放入盛装有弱碱性溶液的槽体中,通过弱碱性溶液除去陶瓷芯片上的油污,处理8min后,将陶瓷芯片放入到盛装有弱酸性溶液的槽体中,通过弱酸性溶液腐蚀掉附着于陶瓷1上的触媒,处理10min后,将陶瓷芯片放入到盛装有清水的槽体中,以清洗掉附着于陶瓷芯片表面上的残留弱酸溶液,从而最终实现了陶瓷芯片的预处理;

s4、将步骤s3中的陶瓷芯片浸入盛装有镀镍溶液的镀镍槽中,以在银层或铜层上预先电镀一层镀镍层;

s5、陶瓷芯片的镀金工序:将步骤s4中的陶瓷芯片浸入盛装有镀金溶液的槽体中,镀金溶液为柠檬酸,控制镀金电流密度为0.2~1a/dm2,通过电镀将金电镀在镀镍层上,从而实现了在银层或铜层2表面上电镀出镀金层。

以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式,不应看作是对其他实施例的排除,而可用于各种其他组合、修改和环境,并能够在本文所述构想范围内,通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围,则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。

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