1.一种防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺，其特征在于：它包括镀镍工艺和镀金工艺：
所述镀镍工艺具体包括以下步骤：
s1、陶瓷芯片的预处理：将陶瓷芯片放入盛装有弱碱性溶液的槽体中，通过弱碱性溶液除去陶瓷芯片上的油污，处理5~8min后，将陶瓷芯片放入到盛装有弱酸性溶液的槽体中，通过弱酸性溶液腐蚀掉附着于陶瓷（1）上的触媒，处理6~10min后，将陶瓷芯片放入到盛装有清水的槽体中，以清洗掉附着于陶瓷芯片表面上的残留弱酸溶液，从而最终实现了陶瓷芯片的预处理；
s2、陶瓷芯片的镀镍工序：将步骤s1中的陶瓷芯片浸入盛装有镀镍溶液的镀镍槽中，控制镀镍电流密度为0.5~2a/dm2，从而实现了在银层或铜层（2）表面上电镀出镀镍层；
所述镀金工艺具体包括以下步骤：
s3、陶瓷芯片的预处理：将陶瓷芯片放入盛装有弱碱性溶液的槽体中，通过弱碱性溶液除去陶瓷芯片上的油污，处理5~8min后，将陶瓷芯片放入到盛装有弱酸性溶液的槽体中，通过弱酸性溶液腐蚀掉附着于陶瓷（1）上的触媒，处理6~10min后，将陶瓷芯片放入到盛装有清水的槽体中，以清洗掉附着于陶瓷芯片表面上的残留弱酸溶液，从而最终实现了陶瓷芯片的预处理；
s4、将步骤s3中的陶瓷芯片浸入盛装有镀镍溶液的镀镍槽中，以在银层或铜层（2）上预先电镀一层镀镍层；
s5、陶瓷芯片的镀金工序：将步骤s4中的陶瓷芯片浸入盛装有镀金溶液的槽体中，镀金溶液为柠檬酸，控制镀金电流密度为0.2~1a/dm2，通过电镀将金电镀在镀镍层上，从而实现了在银层或铜层（2）表面上电镀出镀金层。
2.根据权利要求1所述的一种防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺，其特征在于：所述步骤s2中镀镍溶液由浓度分别为250~300g/l硫酸镍，40~45g/l硼酸，10~15g/l氯化镍，25~30g/l高速半光镍添加剂组成，镀镍溶液的ph值为3.8~4.2，镀镍溶液的温度为60±2°c。
3.根据权利要求1所述的一种防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺，其特征在于：所述弱碱性溶液为naco3溶液和na3po4溶液中任意一种或多种。
4.根据权利要求1所述的一种防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺，其特征在于：所述弱酸性溶液为稀硫酸。