铜箔、附有载体的铜箔、覆铜积层体、印刷配线板、半导体封装用电路形成基板、半导体封 ...的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种铜锥、附有载体的铜锥、覆铜积层体、印刷配线板、半导体封装用 电路形成基板、半导体封装、电子机器、树脂衬底、电路的形成方法、半加成法、印刷配线板 的制造方法。
【背景技术】
[0002] 印刷配线基板及半导体封装基板的电路形成方法W减成法为主流，近年来，因配 线进一步微细化，m-SAP(ModifiedSemi-AdditiveProcess,改良半加成法）或使用铜锥的 表面轮廓的半加成法等新颖方法正在兴起。
[0003] 在运些新颖的电路形成方法中，作为后者的使用铜锥的表面轮廓的半加成法的一 个示例，可列举下述方法。目P，首先对积层于树脂衬底上的铜锥进行整面蚀刻，利用激光等 对转印有铜锥表面轮廓的蚀刻衬底面进行开孔，实施用W使开孔部导通的无电解锻铜层， 利用干膜覆盖无电解锻铜表面，通过UV曝光及显影而去除电路形成部的干膜，对未被干膜 覆盖的无电解锻铜面实施电气锻铜，并将干膜剥离，最后通过含有硫酸、过氧化氨溶液的蚀 刻液等对无电解锻铜层进行蚀刻（快闪蚀刻、快速蚀刻），由此形成微细的电路。再者，在本 制造工艺示例中，用于无电解锻铜的催化剂处理、用来清洁铜表面的酸洗处理等因各公司 而异，故而省略其记载。（专利文献1、专利文献2)。
[0004] [专利文献1]日本特开2006-196863号公报 阳0化][专利文献2]日本特开2007-242975号公报
【发明内容】
[0006] 为了形成微细配线，优选为所转印的铜锥的表面轮廓较小，但若轮廓过小，则会存 在无电解锻铜膜的结合力变弱，而损害印刷配线基板或半导体封装基板所要求的可靠性的 顾虑。
[0007] 因此，本发明的目的在于提供一种铜锥、使用该铜锥的半导体封装用覆铜积层体、 树脂衬底及半加成法，该铜锥积层于树脂衬底并进行整面蚀刻时，转印有铜锥表面轮廓的 树脂衬底的蚀刻面与锻敷膜层的结合力变得良好。
[0008] 本发明者反复努力地研究，结果发现：通过对形成有具有适度的粗糖度的粗化处 理层的基底铜锥实施适当的防诱处理，可获得适合于本方法的铜锥。
[0009] 基于W上的见解而完成的本发明在一方面是一种铜锥，其依序具备铜锥主体层、 粗化处理层及含有铭的防诱处理层。
[0010] 在将该铜锥自具有该粗化处理层的面侧积层于树脂衬底上，并使用蚀刻液对该铜 锥进行整面蚀刻的情况下，将借助对该整面蚀刻后的该树脂衬底的蚀刻面进行表面分 析时的Cr、Zn、C、0、Si的重量浓度（wt%)分别设为A、B、C、D、E时，Cr含量比率（％)[ = A/(A+B+C+D巧）X100]为 0. 1 ~10 %。
[0011] 本发明在另一方面是一种铜锥，其依序具备铜锥主体层、粗化处理层、含有铭的防 诱处理层及树脂层，
[0012] 在将该铜锥自具有该树脂层的面侧积层于树脂衬底上，并使用蚀刻液对该铜锥的 铜锥主体层至防诱处理层进行整面蚀刻的情况下，将借助对该整面蚀刻后的该树脂衬 底上的该树脂层的蚀刻面进行表面分析时的化、Zn、C、0、Si的重量浓度（wt% )分别设为 A、B、C、D、E时，Cr含量比率（％ ) [ =A/(A+B+C+D巧）X100]为 0. 1 ~10%。
[0013] 本发明在进而另一方面是一种铜锥，其依序具备铜锥主体层、含有铭的防诱处理 层及树脂层，且
[0014] 在将该铜锥自具有该树脂层的面侧积层于树脂衬底上，并使用蚀刻液对该铜锥的 铜锥主体层至防诱处理层进行整面蚀刻的情况下，将借助对该整面蚀刻后的该树脂衬 底上的该树脂层的蚀刻面进行表面分析时的化、Zn、C、0、Si的重量浓度（wt% )分别设为 A、B、C、D、E时，Cr含量比率（％ ) [ =A/(A+B+C+D巧）X100]为 0. 1 ~10%。
[0015] 本发明的铜锥在一实施方式中，该化含量比率（％ ) [ =A/(A+B+C+D+E)X100]为 0. 5 ~5%。
[0016] 本发明的铜锥在另一实施方式中，该化含量比率（％ ) [ =A/(A+B+C+D+E)X100] 为1~3%。
[0017] 本发明的铜锥在进而另一实施方式中，该树脂层为接着用树脂。
[0018] 本发明的铜锥在进而另一实施方式中，该树脂层为底涂剂。
[0019] 本发明的铜锥在进而另一实施方式中，该树脂层为半硬化状态的树脂。
[0020] 本发明的铜锥在进而另一实施方式中，该树脂层为嵌段共聚聚酷亚胺树脂层或含 有嵌段共聚聚酷亚胺树脂及聚马来亚酷胺化合物的树脂层。
[0021] 本发明的铜锥在进而另一实施方式中，形成于该铜锥主体层与该防诱处理层之间 的该粗化处理层是由球状粒子或微细粒子构成，且表面粗糖度化为0. 3~4. 0μm。
[0022] 本发明的铜锥在进而另一实施方式中，在该粗化处理层与该防诱处理层之间形成 有屏障层。
[0023] 本发明的铜锥在进而另一实施方式中，在该铜锥主体层与该防诱处理层之间形成 有屏障层。
[0024] 本发明的铜锥在进而另一实施方式中，该屏障层是由锻黄铜层或锻锋-儀合金层 构成。
[00巧]本发明的铜锥在进而另一实施方式中，在树脂衬底积层侧的表面设置有硅烷偶合 剂层。
[00%] 本发明的铜锥在进而另一实施方式中，在该防诱处理层与该树脂层之间设置有娃 烧偶合剂层。
[0027] 本发明的铜锥在进而另一实施方式中，该铜锥主体层的厚度为12μπιW下。
[0028] 本发明的铜锥在进而另一实施方式中，该蚀刻液为硫酸-过氧化氨溶液、二氯化 铜溶液、Ξ氯化铁溶液或过硫酸盐系溶液。
[0029] 本发明的铜锥在进而另一实施方式中，用于半加成法。
[0030] 本发明在进而另一方面是一种附有载体的铜锥，其在载体的一表面或两表面介隔 中间层而自该铜锥主体层侧设置有本发明的铜锥。
[0031] 本发明在进而另一方面是一种附有载体的铜锥，其在该载体的一表面介隔中间层 而自该铜锥主体层侧设置有本发明的铜锥，在该载体的另一表面设置有粗化处理层。
[0032] 本发明在进而另一方面是一种覆铜积层体，其使用有本发明的铜锥。
[0033] 本发明在进而另一方面是一种半导体封装用覆铜积层体，其使用有本发明的铜 锥。
[0034] 本发明在进而另一方面是一种印刷配线板，其使用有本发明的铜锥。
[0035] 本发明在进而另一方面是一种树脂衬底，其在将通过对衬底表面进行表面分 析时的Cr、Zn、C、0、Si的重量浓度（wt%)分别设为A、B、C、D、E时，Cr含量比率（％)[ = A/(A+B+C+D巧）X100]为 0. 1 ~10 %。
[0036] 本发明的树脂衬底在一实施方式中，表面粗糖度化为0. 3~4. 0μm。
[0037] 本发明的树脂衬底在另一实施方式中，用于半加成法。
[0038] 本发明在进而另一方面是一种电路的形成方法，其含有下述步骤：使用本发明的 铜锥，并通过半加成法而形成电路。
[0039] 本发明在进而另一方面是一种半加成法，其使用本发明的覆铜积层体而形成电 路。
[0040] 本发明在进而另一方面是一种半加成法，其使用本发明的树脂衬底而形成电路。
[0041] 本发明在进而另一方面是一种半导体封装用电路形成基板，其在本发明的树脂衬 底的表面，通过半加成法形成有线/间隙为30/30μmW下的电路。
[0042] 本发明在进而另一方面是一种半导体封装，其具备本发明的半导体封装用电路形 成基板。
[0043] 本发明在进而另一方面是一种印刷配线板的制造方法，其含有下述步骤：使用本 发明的铜锥，并通过半加成法而形成电路。
[0044] 本发明在进而另一方面是一种印刷配线板，其使用有本发明的树脂衬底。
[0045] 本发明在进而另一方面是一种电子机器，其使用有本发明的印刷配线板。
[0046] 本发明在进而另一方面是一种印刷配线板的制造方法，其含有下述步骤：准备本 发明的附有载体的铜锥及绝缘基板；
[0047] 将该附有载体的铜锥与绝缘基板积层；
[0048] 在将该附有载体的铜锥与绝缘基板积层后，通过将该附有载体的铜锥的载体剥离 的步骤而形成覆铜积层板，
[0049] 其后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法而形成电 路。
[0050] 本发明在进而另一方面是一种印刷配线板的制造方法，其含有下述步骤：在本发 明的附有载体的铜锥的该极薄铜层侧表面形成电路；
[0051] W掩埋该电路的方式在该附有载体的铜锥的该极薄铜层侧表面形成树脂层；
[0052] 在该树脂层上形成电路；
[0053] 在该树脂层上形成电路后，将该载体剥离；及
[0054] 将该载体剥离后，去除该极薄铜层，由此使形成于该极薄铜层侧表面的掩埋于该 树脂层的电路露出。
[0055]根据本发明，可提供一种铜锥，其积层于树脂衬底并进行整面蚀刻时，转印有铜锥 表面轮廓的树脂衬底的蚀刻面与锻敷膜层的结合力变得良好。
【附图说明】
[0056] 图1表示使用铜锥的轮廓的半加成法的概略例。
[0057]图2表示用W获得实施例及比较例的资料的样品制作流程。 阳化引图3表示实施例1的铜锥表面的沈Μ照片。
[0059]图4表示实施例2的铜锥表面的沈Μ照片。 W60] 图5表示实施例3的铜锥表面的SEM照片。
[0061]图6表示实施例4的铜锥表面的SEM照片。 阳06引图7表示实施例5的铜锥表面的SEM照片。 阳06引图8表示实施例6的铜锥表面的沈Μ照片。 W64] 图9表示比较例2的铜锥表面的SEM照片。 W65] 图10表示比较例6的铜锥表面的沈Μ照片。
[0066] 图11表示比较例9的铜锥表面的沈Μ照片。
【具体实施方式】
[0067] 本发明中所使用的铜锥具备：铜锥主体层；形成于铜锥主体层上的粗化处理层； 及形成于粗化处理层上的含有铭的防诱处理层。再者，也可在铜锥主体层与粗化处理层之 间设置其他层。又，也可在粗化处理层与含有铭的防诱处理层之间设置其他层。铜锥主体 层可由电解铜锥或压延铜锥的任一者形成。
[0068] 在本发明中，所谓"铜锥主体层"，表示除粗化处理层、屏障层、防诱层、硅烷偶合层 等表面处理层W外的铜锥本体（生铜锥）部分。
[0069] 又，就减少印刷配线基板或半导体封装基板制造工艺中的铜锥蚀刻量的观点而 言，可使用铜厚12μmW下的极薄铜锥（包括附有载体的极薄铜锥）。
[0070] 粗化处理层可使用含有选自硫酸烷基醋盐、鹤离子、神离子中的至少一种W上物 质的由硫酸-硫酸铜构成的电解浴而形成，可通过适当调整电解处理条件而获得所需的 表面粗糖度。粗化处理层优选为由球状粒子或微细粒子构成，且表面粗糖度化为0. 3~ 4.0 μ m。若表面粗糖度化未达0.3μ m，则对微细配线形成能力发挥有利作用，但有无电 解锻铜与衬底的结合力降低，而损害印刷配线基板或半导体封装基板所要求的可靠性的顾 虑。例如有在印刷配线板制造商、半导体封装基板制造商或其等的将来的顾客制造工艺中 产生铜电路自衬底剥离的问题的顾虑。若表面粗糖度化超过4.0 μ m，则因转印有铜锥的轮 廓的衬底侧的投错效应（anchoreffect)而使无电解锻铜与衬底的结合力提高，但有在半 加成法中的上述快闪蚀刻制造过程（工艺）制造方法中产生微细配线形成能力劣化的问题 的顾虑。又，表面粗糖度化优选为0. 3~3.0 μ m，更优选为0. 5~2.0 μ m。粗化处理可适 当调整公知的方法而进行，W下表示粗化处理的条件作为示例。
[0071](处理液组成）
[0072] CuS〇4 · 5&0 :39. 3 ~118g/L
[0073] Cu:10 ~30g/L
[0074] &5〇4:10 ~150g/L W巧]胞2胖〇4· 2&0 :0 ~90mg/L
[0076] W:0 ~50mg/L
[0077] 十二烷基硫酸钢：0~50mg/L W78] &43