一种掩膜板及其制备方法
【技术领域】
[0001 ]本发明设及有机光电领域，具体设及一种殷瓦掩膜板及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件（英文全称化ganic Li曲t-血itting Device,简称化抓）是主 动发光器件，具有低功耗、色域广、体积更薄等优点，有望成为下一代主流照明和平板显示 技术。当前高像素密度的化抓显示面板的生产需要采用厚度很薄、热膨胀系数小的精细金 属掩膜板(Fine Metal Mask,FMM)来作为掩膜板(或称荫罩板），用来蒸锻0L抓显示面板像 素单元内的有机发光体。
[0003] 化抓用精细金属掩膜板通常使用殷瓦合金（INVAR,又称殷钢)一般通过湿法刻蚀 的方法来制备，首先在殷瓦合金表面涂覆感光膜，通过曝光的方式将掩膜板的精细图案转 移在感光膜上，再通过显影和湿法刻蚀的方式最后制成精细金属掩膜板。
[0004] 因为Invar材质的掩膜板上的开孔都很小，湿法刻蚀的定位精准度较差，容易导致 最后得到的开孔的位置和大小具有较大偏差，开孔公差达到±0.005mm，幅面为370mmX 470mm的掩膜板的孔间位置公差高达±0.008mm。同时，如图1所示，刻蚀基于化学溶解，形成 的开孔表面毛糖，孔壁不光滑，且孔壁两侧倾斜角度不一致，使得蒸锻阴影不一致，不利于 发光材料完全转移。因此，再加上安装偏差，极易导致FMM方法无法实现高分辨率屏体的蒸 锻，使得FMM方法制备得到的屏体的最高分辨率仅为320PPI(Pixels Per Inch,每英寸所拥 有的像素数目）左右。
[0005] 为此，如何提高精细金属掩膜板的分辨率，同时降低制造成本是业界亟待解决的 问题。
【发明内容】
[0006] 为此，本发明所要解决的是现有技术中精细金属掩膜板分辨率低、成本高的问题， 进而提供一种分辨率高、成本低的复合掩膜板及其制备方法。
[0007] 为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种掩膜板的制备方法，包括W下步骤： [000引在母版上形成第一光刻胶层，并图案化形成包括第一骨架与第一缕空区域的第一 掩膜图案层；
[0009] W所述第一掩膜图案层为掩膜，在所述母版上形成嵌设在所述第一缕空区域中的 第一电铸层；
[0010] 在所述第一电铸层上形成第二光刻胶层，并图案化形成包括第二骨架与第二缕空 区域的第二掩膜图案层；
[0011] W所述第二掩膜图案层为掩膜，在所述第一电铸层上直接形成嵌设在所述第二缕 空区域中的第二电铸层；
[0012] 去除所述第一掩膜图案层与所述第二掩膜图案层；
[0013] 将所述第一电铸层与所述第二电铸层从所述母板上剥离，即得。
[0014] 优选地，所述第二掩膜图案层在所述母版上的投影覆盖所述第一掩膜图案层在所 述母版上的投影。
[0015] 优选地，所述第二光刻胶层的图案化过程包括:曝光步骤、显影步骤W及加热塑形 步骤。
[0016] 优选地，沿所述第二骨架的所在平面的垂直方向，所述第二骨架的截面为不连续 的若干倒置梯形。
[0017] 优选地，所述母版为金属母版，所述第一电铸层和/或所述第二电铸层通过电化学 沉积工艺形成。
[0018] 优选地，所述第一电铸层和/或所述第二电铸层为殷瓦（invar)合金层。
[0019] 优选地，所述第一电铸层厚度为如m~20皿;所述第二电铸层厚度为10皿~35皿。
[0020] 优选地，所述第一光刻胶层为正性光刻胶层，厚度为如m~20WI1。
[0021] 优选地，所述第二光刻胶层为负性光刻胶层，厚度为ΙΟμπι~35μπι。
[0022] 本发明实施例还提供一种所述的掩膜板的制备方法所制备的掩膜板。
[0023] 本发明的上述技术方案相比现有技术具有W下优点：
[0024] 1、本发明所述的一种掩膜板的制备方法，包括W下步骤:在母版上形成第一光刻 胶层，并图案化形成包括第一骨架与第一缕空区域的第一掩膜图案层；W所述第一掩膜图 案层为掩膜，在所述母版上形成嵌设在所述第一缕空区域中的第一电铸层;在所述第一电 铸层上形成第二光刻胶层，并图案化形成包括第二骨架与第二缕空区域的第二掩膜图案 层；W所述第二掩膜图案层为掩膜，在所述第一电铸层上直接形成嵌设在所述第二缕空区 域中的第二电铸层;去除所述第一掩膜图案层与所述第二掩膜图案层;将所述第一电铸层 与所述第二电铸层从所述母板上剥离，即得。所述掩膜板的制备方法步骤简单，无需使用刻 蚀工艺，工艺成本低;优选使用电铸法制备形成掩膜板，不但精度高，能够有效提高所述掩 膜板的分辨率，而且工艺成熟，生产成本低。
[0025] 2、本发明所述的一种掩膜板，采用电铸工艺制备，精度高，分辨率高，能够有效提 高使用其的显示设备的图像质量。
【附图说明】
[0026] 为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合 附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
[0027] 图1是现有技术中通过刻蚀工艺制得的掩膜板截面图；
[0028] 图2a~2i是本发明所述的掩膜板的制备方法在制备过程中的剖视图；
[0029] 图3是本发明所述的掩膜板的制备方法的流程图；
[0030] 图中附图标记表示为：1-母版、2-第一光刻胶层、21-第一掩膜图案层、22-第一骨 架、23-第一缕空区域、3-第一电铸层、4-第二光刻胶层、41-第二掩膜图案层、42-第二骨架、 43-第二缕空区域、5-第二电铸层、6-掩膜板。
【具体实施方式】
[0031] 为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实 施方式作进一步地详细描述。
[0032] 本发明可WW许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。 相反，提供运些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本发明的构思充分传达给 本领域技术人员，本发明将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区 域的尺寸和相对尺寸。
[0033] 下面将结合图2a~2i与图3详细说明根据本发明实施例的一种掩膜板及其制备方 法。
[0034] 所述的一种掩膜板的制备方法，如图3所示，包括W下步骤：
[0035] S1、如图2a所示，在母版1上形成第一光刻胶层2,如图化、2c所示，通过曝光和显影 工艺对所述第一光刻胶层2进行图案化形成包括第一骨架22与第一缕空区域23的第一掩膜 图案层21;所述母版1为金属母版，所述第一光刻胶